SC2498T
SC2498T
高压闩锁式平面霍尔开关 IC
SC2498T 是赛卓采用 60V BCD 工艺制造的高压平面感应锁存型（双极）霍尔开关 IC，磁场感应方向平行于封装标识面（平面感应），通过 AEC-Q100 Grade0 车规认证并满足 ISO 26262 ASIL A 功能安全等级。器件采用斩波稳定与动态失调消除技术，工作点 BOP 典型 3.0mT、释放点 BRP 典型 -3.0mT、磁滞 6.0mT，翻转点在全温度范围内稳定精确。芯片内置稳压电路，支持 2.8V 至 40V 宽电源供电，电源端耐压最高 60V，具备 -28V 电源反接保护与 40mA 限流开漏输出；工作温度 -40℃ 至 150℃，采用 SOT23-3L（SO）贴片封装，适用于直流无刷电机换向、座椅电机、升降车窗、天窗/尾门及转速表等汽车与工业场景。
霍尔开关闩锁输出开漏输出AEC-Q100 Grade 0ISO26262 ASIL ASOT23-3L
一级分类
磁性位置传感器 IC
二级分类
锁存开关霍尔
资源数量
2 项
核心参数
工作电压 VDD
2.8–40V
宽压 · 片上稳压器
工作点 BOP
3.0mT
典型值
释放点 BRP
-3.0mT
典型值
磁滞 BHYS
6.0mT
典型值
反接电池保护
-28V
R≥200Ω
限流开漏输出
40mA
过流保护
工作温度 TA
-40~150℃
宽温车规级
封装
SOT23-3L
无铅 · 哑光镀锡
产品特性
Planar magnetic sensing, BV≥60V
引脚定义
| 引脚 | 序号 | 说明 |
|---|---|---|
| VDD | 1 | 电源供电，2.8V 至 40V |
| OUT | 2 | 开漏输出，需外接上拉电阻 |
| GND | 3 | 接地端 |
订购信息
| 订购型号 | 灵敏度 | 温度范围 | 封装 | 包装 | 数量 |
|---|---|---|---|---|---|
| SC2498TSO-TR-Q | BOP 3.0mT / BRP -3.0mT | -40~150 | SOT23-3L | 卷盘 | 3000 颗/盘 |
订购编号说明
SC2498TSO-TR-Q
SC2498T
产品系列
高压闩锁式平面霍尔开关 IC
SO
封装描述
SOT23-3L
TR
包装方式
卷盘（Tape & Reel）
Q
产品等级
车规级产品
参数规格
极限参数
工作自由空气温度范围内（另有说明除外）。超过上述应力可能造成器件永久损坏；长时间暴露于绝对最大额定条件下可能影响器件可靠性。
| Symbol | 参数 | 测试条件 | Min | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| VDD | 电源电压 | R≥200Ω，不超过 5 分钟 | -28 | 60 | V |
| VOUT | 输出端电压 | 1.2kΩ 上拉电阻，不超过 5 分钟 | -0.5 | 60 | V |
| ISINK | 输出端灌电流 | 0 | 40 | mA | |
| TA | 工作环境温度 | -40 | 150 | ℃ | |
| TJ | 最高结温度 | -40 | 165 | ℃ | |
| TSTG | 储存温度 | -65 | 175 | ℃ |
静电保护
| Symbol | 参数 | 测试条件 | Min | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| VESDHBM | 人体放电模型 HBM | 依据标准 AEC-Q100-002 HBM | -8 | +8 | kV |
| VESDCDM | 充放电模型 CDM | 依据标准 AEC-Q100-011 CDM | -750 | +750 | V |
热特性
最大电压须根据功耗与结温调整，见热特性章节。
| Symbol | 参数 | 测试条件 | Typ | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| RΘja | SO 封装热阻 | 单层 PCB，铜箔限于焊盘 | 300 | ℃/W |
电学参数
工作自由空气温度范围内，VDD=5.0V（另有说明除外）。典型值定义于 TA=25°C、VDD=5V。RPU 与 VPU 为外部上拉电阻与外部上拉电压。
| Symbol | 参数 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VDD | 工作电压 | TJ < TJ(Max.) | 2.8 | 5.0 | 40 | V |
| IDD | 工作电流 | VDD=2.8 至 40V, TA=25℃ | 3.5 | 4.1 | 7.0 | mA |
| UVLOH | 欠压锁定上限 | B>BOP+2.0mT，VDD 从 1.5V 上升 | 2.5 | 2.7 | V | |
| UVLOL | 欠压锁定下限 | B>BOP+2.0mT，VDD 从 2.5V 下降 | 2.3 | 2.5 | V | |
| UVLOHYS | 欠压磁滞 | UVLOH - UVLOL | 0.1 | 0.2 | 0.4 | V |
| ton | 上电时间 | VDD≥5V | 25 | 40 | µs | |
| IQL | 关态漏电流 | 输出高阻态 | 3 | µA | ||
| VSAT | 输出饱和压降 | B>BOP, VDD=5V, IO=20mA, TA=25℃ | 0.14 | 0.4 | V | |
| OCP | 过流保护 | 输出导通 VPULL-UP<30V | 30 | 40 | 50 | mA |
| td | 输出延迟时间 | B=BRP 到 BOP | 15 | 25 | µs | |
| tr | 输出上升时间（10% 至 90%） | VPU=12V, RPU=1kΩ, CL=50pF | 0.2 | 1 | µs | |
| tf | 输出下降时间（90% 至 10%） | VPU=12V, RPU=1kΩ, CL=50pF | 0.1 | 1 | µs |
磁特性
工作自由空气温度范围内，VDD=5.0V（另有说明除外）。北极磁场 B 记为负值，南极磁场记为正值。1mT=10Gs。
| Symbol | 参数 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| fBW | 带宽 | 20 | kHz | |||
| BOP | 工作点 | 1.5 | 3.0 | 4.5 | mT | |
| BRP | 释放点 | TA=25℃ | -4.5 | -3.0 | -1.5 | mT |
| BHYS | 磁滞 | 3.0 | 6.0 | 9.0 | mT |
技术图
技术规格
| BH(mT) | 6.0 |
| BOP(mT) | 3.0 |
| BRP(mT) | -3.0 |
| IDD(mA) | 4.1 |
| 封装 | SO |
| 状态 | 量产 |
| 功能 | Planar magnetic sensing, BV≥60V |
| 电压范围 | 2.8~40 |
| 车规等级 | AEC-Q100, ASIL A |
历史版本
| 版本 | 日期 | 说明 |
|---|---|---|
| Rev.E0.1 | 2023-06-10 | 初步规格书 |
| Rev.E0.2 | 2023-07-17 | 统一格式 |
| Rev.E0.3 | 2023-08-21 | 修订部分描述 |
| Rev.V1.0 | 2023-08-24 | 升级版本 |
| Rev.V1.1 | 2024-06-11 | 更新传感器位置 |
| Rev.V1.2 | 2025-07-05 | 更新格式后发布 |
| Rev.V1.3 | 2026-05-13 | 增加包装信息与声明 |