SC2203
高灵敏度锁存型内置上拉电阻霍尔开关IC
SC2203 是赛卓采用高频斩波技术的高灵敏度锁存型内置上拉电阻霍尔开关 IC，在全工作电压和工作温度范围内具有很高的磁场一致性和对称性，电源与输出脚均集成过压保护，抗电磁干扰（EMC）能力强、可靠性高。器件内部集成稳压模块、霍尔阵列、放大电路、施密特触发器与输出级，可接受 2.5V～28V 宽电源供电，并能持续承受 -28V 反向电源电压，电源端耐压最高 32V。SC2203 磁场开启点 BOP 典型 2.0mT、释放点 BRP 典型 -2.0mT、磁滞 BHYS 典型 4.0mT，输出为漏极开路并内置 10kΩ 上拉电阻（灌电流 20mA），带宽 20kHz，工作温度 -40℃～150℃，HBM 静电防护达 ±4kV（参照 AEC-Q100-002/011 测试标准）。器件提供 3 脚直插 TO-92S(UA) 与 3 脚贴片 SOT23-3L(SO) 封装，100% 无卤绿色框架，适用于工业和家用电器、无刷电机位置传感器、电动工具、位置与状态检测、流量计、转速表等场景。
核心参数
产品特性
Buit-in 10k pull-up resistor, BV≥32V
引脚定义
| 引脚 | 序号 | 说明 |
|---|---|---|
| VDD | UA:1 / SO:1 | 电源，2.5V 到 28V 电源电压 |
| GND | UA:2 / SO:3 | 地，接地 |
| OUT | UA:3 / SO:2 | 输出，漏极开路输出，内置 10kΩ 上拉电阻 |
订购信息
| 订购型号 | 灵敏度 | 温度范围 | 封装 | 包装 | 数量 |
|---|---|---|---|---|---|
| SC2203SO-TR | BOP 2.0 / BRP -2.0 mT | -40~150 | SOT23-3L | 编带 | 3000 颗/盘 |
| SC2203UA-BK | BOP 2.0 / BRP -2.0 mT | -40~150 | TO-92S | 散包 | 1000 颗/袋 |
参数规格
极限参数
全工作温度范围（除非另有说明）。高于此处列出的压力可能会导致器件永久损坏，长时间暴露在绝对最大额定值条件下可能会影响器件的可靠性。
| Symbol | 参数 | Min | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| VDD | 电源端耐压 | -28 | 32 | V |
| VOUT | 输出端耐压 | -0.5 | 28 | V |
| ISINK | 输出灌电流 | 0 | 20 | mA |
| TA | 工作温度 | -40 | 150 | ℃ |
| TJ | 最大结温 | -40 | 165 | ℃ |
| TSTG | 储藏温度 | -65 | 175 | ℃ |
静电保护
| Symbol | 参数 | 测试条件 | Min | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| VESDHBM | 人体模型 (HBM) | 测试按照 AEC-Q100-002 标准 | -4 | +4 | kV |
| VESDCDM | 充电器件模型 (CDM) | 测试按照 AEC-Q100-011 标准 | -750 | +750 | V |
热特性
单层 PCB，JEDEC 2s2p 和 1s0p 分别在 JESD 51-7 和 JESD 51-3 中定义。最大工作电压必须满足功耗和结温的要求，参照热特性。
| Symbol | 参数 | Typ | 单位 |
|---|---|---|---|
| RΘja | UA 封装热阻 (TO-92S) | 200 | ℃/W |
| RΘja | SO 封装热阻 (SOT23-3L) | 300 | ℃/W |
电参数
工作温度范围内，VDD=5.0V（除非另有说明）。典型值为在 TA=+25°C, VDD=5V 条件下的测试值。最大工作电压必须满足功耗和热阻的要求。
| Symbol | 参数 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VDD | 工作电压 | TJ < TJ(Max.) | 2.5 | 5.0 | 28 | V |
| IDD(off) | Off 状态工作电流 | VDD=2.5 to 28V, TA=25℃ | 1.2 | 1.6 | 2.0 | mA |
| IDD(on) | On 状态工作电流 | VDD=2.5 to 28V, TA=25℃ | 1.2 | 2.8 | 4.8 | mA |
| ton | 上电时间 | VDD≥5.0V | — | 35 | 50 | µs |
| RPULL | 内置上拉电阻 | 5 | 10 | 15 | kΩ | |
| IQL | 漏电流 | Output Hi-Z | — | — | 3 | µA |
| RDS(on) | 场效应管导通电阻 | VDD=5V, IO=20mA, TA=25℃ | — | 20 | — | Ω |
| VSAT | 输出饱和压降 | B>BOP, VDD=5V, IO=20mA, TA=25℃ | 0.1 | 0.18 | 0.24 | V |
| td | 输出延迟时间 | B=BRP to BOP | — | 15 | 25 | µs |
| tr | 输出上升时间 (10% to 90%) | RL=1kΩ, Co=50pF | — | 0.2 | 0.5 | µs |
| tf | 输出下降时间 (90% to 10%) | RL=1kΩ, Co=50pF | — | 0.1 | 0.2 | µs |
磁参数
工作温度范围内，VDD=5.0V（除非另有说明）。磁感应强度 B，北极性磁场为负值，南极性磁场为正值。1mT=10Gs。BOP/BRP/BHYS 数据对应工作点 2.0mT / 释放点 -2.0mT。
| Symbol | 参数 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| fBW | 带宽 | 20 | — | — | kHz | |
| BOP | 磁场开启点 | TA=25℃ | 0.5 | 2.0 | 3.5 | mT |
| BRP | 磁场关闭点 | TA=25℃ | -3.5 | -2.0 | -0.5 | mT |
| BHYS | 迟滞 | TA=25℃ | 2.0 | 4.0 | 6.0 | mT |
| BO | 磁场对称性 | BO=(BOP+BRP)/2 | -1.0 | 0 | 1.0 | mT |
技术图
技术规格
| BH(mT) | 4.0 |
| BOP(mT) | 2.0 |
| BRP(mT) | -2.0 |
| IDD(mA) | 1.6 |
| 封装 | SO,UA |
| 状态 | 量产 |
| 功能 | Buit-in 10k pull-up resistor, BV≥32V |
| 电压范围 | 2.5~28 |
| 车规等级 | - |
历史版本
| 版本 | 日期 | 说明 |
|---|---|---|
| Rev.E0.1 | 2024-07-26 | 初始版本 |
| Rev.V1.0 | 2025-04-18 | 正式版本发布 |
| Rev.V1.1 | 2025-10-13 | 更新产品 POD 信息 |
| Rev.V1.2 | 2026-03-20 | 增加包装尺寸信息 |