SC2002
带微功耗模式的锁存型霍尔开关 IC
SC2002 是赛卓采用 CMOS 工艺制造的斩波稳定锁存型霍尔开关 IC，具有高灵敏度与高温度稳定性，专为极致小巧、对功耗敏感的电池供电系统设计。器件支持 1.8V～5.5V 宽工作电压，磁场开启点 BOP 典型 2.0mT、释放点 BRP 典型 -2.0mT、磁滞 BHYS 典型 4.0mT，采用漏极开路输出（使用时需外接上拉电阻）。SC2002 通过动态偏移消除实现卓越高温稳定性，片上集成稳压器、霍尔电压发生器、小信号放大器与施密特触发器；其中 5 脚 S5 封装带 EN 使能引脚，接电源为正常功耗模式、接地为微功耗模式，微功耗模式下平均电流仅 20µA、采样频率 500Hz。器件工作温度 -40℃～125℃，HBM 静电防护达 ±2kV（参照 AEC-Q100-002/011 测试标准），提供 3 脚 SOT23-3L(SO) 与 5 脚 SOT23-5L(S5) 封装，适用于消费电子与家用电器、智能窗帘/晾衣架、无刷直流电机换向、小型电机转速检测、多圈编码器计数、智能水表/电表、旋转式门锁开关等场景。
核心参数
产品特性
With enable pin switch to lowpower
引脚定义
| 引脚 | 序号 | 说明 |
|---|---|---|
| VDD | SO:1 / S5:5 | 电源，1.8V 到 5.5V 电源电压 |
| OUT | SO:2 / S5:4 | 输出，漏极开路输出，使用时需外接上拉电阻 |
| GND | SO:3 / S5:2 | 接地 |
| EN | S5:1 | 输入（仅 S5 封装），连接到 VDD 正常功耗模式，连接到 GND 微功耗模式；必须外接到电源或地，否则无功能 |
| NC | S5:3 | 空脚（仅 S5 封装），开路或连接到地 |
订购信息
| 订购型号 | 灵敏度 | 温度范围 | 封装 | 包装 | 数量 |
|---|---|---|---|---|---|
| SC2002SO-TR | BOP 2.0 / BRP −2.0 mT | −40~125 | SOT23-3L | 编带 | 3000 颗/盘 |
| SC2002SO-L-TR | BOP 2.0 / BRP −2.0 mT | −40~125 | SOT23-3L | 编带 | 3000 颗/盘 |
| SC2002S5-TR | BOP 2.0 / BRP −2.0 mT | −40~125 | SOT23-5L | 编带 | 3000 颗/盘 |
参数规格
极限参数
全工作温度范围（除非另有说明）。高于此处列出的压力可能会导致器件永久损坏，长时间暴露在绝对最大额定值条件下可能会影响器件的可靠性。
| Symbol | 参数 | 测试条件 | Min | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| VDD | 电源端耐压 | −0.5 | 6.5 | V | |
| VOUT | 输出端耐压 | 1.2kΩ 上拉电阻不超过 5 分钟 | −0.5 | 6.5 | V |
| TA | 工作温度 | −40 | 125 | ℃ | |
| TJ | 最大结温 | −40 | 150 | ℃ | |
| TSTG | 储藏温度 | −55 | 165 | ℃ |
静电保护
| Symbol | 参数 | 测试条件 | Min | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| VESDHBM | 人体模型 (HBM) | 按照 AEC-Q100-002 标准 | −2 | +2 | kV |
| VESDCDM | 充电器件模型 (CDM) | 按照 AEC-Q100-011 标准 | −750 | +750 | V |
热特性
单层 PCB，JEDEC 2s2p 和 1s0p 分别在 JESD 51-7 和 JESD 51-3 中定义。最大工作电压必须满足功耗和结温的要求。
| Symbol | 参数 | 测试条件 | Typ | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| RΘJA | SO 封装热阻 | 单层 PCB | 300 | ℃/W |
| RΘJA | S5 封装热阻 | 单层 PCB | 300 | ℃/W |
电参数
工作温度范围内，VDD=3.3V（除非另有说明）。典型值为在 TA=25°C, VDD=3.3V 条件下的测试值。
| Symbol | 参数 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VDD | 工作电压 | TJ < TJ(Max.) | 1.8 | 3.3 | 5.5 | V |
| IDD | 正常功耗模式工作电流 | VDD≥3.3V, TA=25℃ | 1.0 | 1.2 | 2.5 | mA |
| IDDLP | 微功耗模式平均电流 | VDD≥3.3V, TA=25℃ | — | 20 | 50 | µA |
| IQL | 漏电流 | Output Hi-Z | — | — | 3 | µA |
| UVLOH | 高欠压保护 | B>BOP+2.0mT, VDD 从 1.0V 上升 | 1.5 | 1.6 | 1.7 | V |
| UVLOL | 低欠压保护 | B>BOP+2.0mT, VDD 从 1.8V 下降 | 1.2 | 1.3 | 1.5 | V |
| UVLOHYS | 欠压保护迟滞 | UVLOH − UVLOL | 0.2 | 0.3 | 0.5 | V |
| tSµP | 微功耗模式采样周期 | TA=25℃ | — | 2 | 5 | ms |
| fSµP | 微功耗模式采样频率 | TA=25℃ | — | 500 | — | Hz |
| fS | 正常功耗采样频率 | TA=25℃ | — | 20 | — | kHz |
| ton | 上电时间 | VDD≥3.3V, TA=25℃ | — | 30 | 50 | µs |
| tr | 输出上升时间 (10% to 90%) | VPU=3.3V, RPU=1kΩ, CL=50pF | — | 0.2 | 1 | µs |
| tf | 输出下降时间 (90% to 10%) | VPU=3.3V, RPU=1kΩ, CL=50pF | — | 0.2 | 1 | µs |
磁参数
工作温度范围内，VDD=3.3V（除非另有说明）。磁感应强度 B，北极性磁场为负值，南极性磁场为正值；1mT=10Gs。
| Symbol | 参数 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BOP | 磁场开启点 | 0.5 | 2.0 | 3.5 | mT | |
| BRP | 磁场释放点 | TA=25℃ | −3.5 | −2.0 | −0.5 | mT |
| BHYS | 迟滞 | 1.0 | 4.0 | 7.0 | mT |
技术图
技术规格
| BH(mT) | 4.0 |
| BOP(mT) | 2.0 |
| BRP(mT) | -2.0 |
| IDD(mA) | 1.8 |
| 封装 | S5,SO |
| 状态 | 量产 |
| 功能 | With enable pin switch to lowpower |
| 电压范围 | 1.8~5.5 |
| 车规等级 | - |
历史版本
| 版本 | 日期 | 说明 |
|---|---|---|
| Rev.E0.1 | 2025-02-16 | 初始版本 |
| Rev.A1.0 | 2026-03-17 | 正式版本发布 |