SC2002-L
SC2002-L
带微功耗模式的锁存型霍尔开关 IC（微功耗版）
SC2002-L 是赛卓 SC2002 系列中出厂预设微功耗模式的斩波稳定锁存型霍尔开关 IC，采用 CMOS 工艺制造，专为对功耗极为敏感的电池供电系统设计。器件工作于微功耗模式，平均电流仅 20µA、采样频率 500Hz，在保持磁感应能力的同时大幅降低系统功耗。SC2002-L 支持 1.8V～5.5V 宽工作电压，磁场开启点 BOP 典型 2.0mT、释放点 BRP 典型 -2.0mT、磁滞 BHYS 典型 4.0mT，采用漏极开路输出（使用时需外接上拉电阻），通过动态偏移消除实现卓越高温稳定性。器件工作温度 -40℃～125℃，HBM 静电防护达 ±2kV（参照 AEC-Q100-002/011 测试标准），采用 3 脚 SOT23-3L(SO) 封装，适用于消费电子与家用电器、智能窗帘/晾衣架、无刷直流电机换向、多圈编码器计数、智能水表/电表等低功耗磁感应场景。
霍尔开关锁存输出微功耗模式开漏输出斩波稳定SOT23-3L
一级分类
磁性位置传感器 IC
二级分类
锁存开关霍尔
资源数量
1 项
核心参数
工作电压 VDD
1.8–5.5V
宽供电范围
微功耗平均电流 IDDLP
20µA
@VDD≥3.3V · 25°C
微功耗采样频率 fSµP
500Hz
@25°C
磁场开启点 BOP
2.0mT
典型值
磁场释放点 BRP
−2.0mT
典型值
工作温度 TA
−40~125℃
宽温工业级
封装
SOT23-3L
SO · 无铅镀锡
产品特性
Low power, fBW=500Hz
引脚定义
| 引脚 | 序号 | 说明 |
|---|---|---|
| VDD | 1 | 电源，1.8V 到 5.5V 电源电压 |
| OUT | 2 | 输出，漏极开路输出，使用时需外接上拉电阻 |
| GND | 3 | 接地 |
订购信息
| 订购型号 | 灵敏度 | 温度范围 | 封装 | 包装 | 数量 |
|---|---|---|---|---|---|
| SC2002SO-L-TR | BOP 2.0 / BRP −2.0 mT | −40~125 | SOT23-3L | 编带 | 3000 颗/盘 |
订购编号说明
SC2002SO-L-TR
SC2002
器件系列
带微功耗模式的锁存型霍尔开关 IC
SO
封装外形
SOT23-3L（S5 为 SOT23-5L）
L
功耗模式
微功耗（缺省为正常功耗）
TR
包装方式
编带（BK 为散包）
参数规格
极限参数
全工作温度范围（除非另有说明）。高于此处列出的压力可能会导致器件永久损坏，长时间暴露在绝对最大额定值条件下可能会影响器件的可靠性。
| Symbol | 参数 | 测试条件 | Min | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| VDD | 电源端耐压 | −0.5 | 6.5 | V | |
| VOUT | 输出端耐压 | 1.2kΩ 上拉电阻不超过 5 分钟 | −0.5 | 6.5 | V |
| TA | 工作温度 | −40 | 125 | ℃ | |
| TJ | 最大结温 | −40 | 150 | ℃ | |
| TSTG | 储藏温度 | −55 | 165 | ℃ |
静电保护
| Symbol | 参数 | 测试条件 | Min | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| VESDHBM | 人体模型 (HBM) | 按照 AEC-Q100-002 标准 | −2 | +2 | kV |
| VESDCDM | 充电器件模型 (CDM) | 按照 AEC-Q100-011 标准 | −750 | +750 | V |
热特性
单层 PCB，JEDEC 2s2p 和 1s0p 分别在 JESD 51-7 和 JESD 51-3 中定义。最大工作电压必须满足功耗和结温的要求。
| Symbol | 参数 | 测试条件 | Typ | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| RΘJA | SO 封装热阻 | 单层 PCB | 300 | ℃/W |
电参数
工作温度范围内，VDD=3.3V（除非另有说明）。典型值为在 TA=25°C, VDD=3.3V 条件下的测试值。
| Symbol | 参数 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VDD | 工作电压 | TJ < TJ(Max.) | 1.8 | 3.3 | 5.5 | V |
| IDD | 正常功耗模式工作电流 | VDD≥3.3V, TA=25℃ | 1.0 | 1.2 | 2.5 | mA |
| IDDLP | 微功耗模式平均电流 | VDD≥3.3V, TA=25℃ | — | 20 | 50 | µA |
| IQL | 漏电流 | Output Hi-Z | — | — | 3 | µA |
| UVLOH | 高欠压保护 | B>BOP+2.0mT, VDD 从 1.0V 上升 | 1.5 | 1.6 | 1.7 | V |
| UVLOL | 低欠压保护 | B>BOP+2.0mT, VDD 从 1.8V 下降 | 1.2 | 1.3 | 1.5 | V |
| UVLOHYS | 欠压保护迟滞 | UVLOH − UVLOL | 0.2 | 0.3 | 0.5 | V |
| tSµP | 微功耗模式采样周期 | TA=25℃ | — | 2 | 5 | ms |
| fSµP | 微功耗模式采样频率 | TA=25℃ | — | 500 | — | Hz |
| fS | 正常功耗采样频率 | TA=25℃ | — | 20 | — | kHz |
| ton | 上电时间 | VDD≥3.3V, TA=25℃ | — | 30 | 50 | µs |
| tr | 输出上升时间 (10% to 90%) | VPU=3.3V, RPU=1kΩ, CL=50pF | — | 0.2 | 1 | µs |
| tf | 输出下降时间 (90% to 10%) | VPU=3.3V, RPU=1kΩ, CL=50pF | — | 0.2 | 1 | µs |
磁参数
工作温度范围内，VDD=3.3V（除非另有说明）。磁感应强度 B，北极性磁场为负值，南极性磁场为正值；1mT=10Gs。
| Symbol | 参数 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BOP | 磁场开启点 | 0.5 | 2.0 | 3.5 | mT | |
| BRP | 磁场释放点 | TA=25℃ | −3.5 | −2.0 | −0.5 | mT |
| BHYS | 迟滞 | 1.0 | 4.0 | 7.0 | mT |
技术图
技术规格
| BH(mT) | 4.0 |
| BOP(mT) | 2.0 |
| BRP(mT) | -2.0 |
| IDD(mA) | 1.8 |
| 封装 | SO |
| 状态 | 量产 |
| 功能 | Low power, fBW=500Hz |
| 电压范围 | 1.8~5.5 |
| 车规等级 | - |
历史版本
| 版本 | 日期 | 说明 |
|---|---|---|
| Rev.E0.1 | 2025-02-16 | 初始版本 |
| Rev.A1.0 | 2026-03-17 | 正式版本发布 |