Name: SC4665
Brand: Semiment
SKU: SC4665

SC4665

带 REF/OCD 的高精度低噪声电流传感器 IC

赛卓基于开环霍尔原理设计的电流传感器芯片，配合磁环可实现最高 1500A 大电流测量。该器件在 -40℃至 150℃全温度范围内保持高精度测量，同时具备高带宽特性和多重保护功能，有效防止异常工况对系统的冲击，并支持 EEPROM 参数重复编程。专为新能源汽车逆变器、光伏储能系统及电池管理系统（BMS）等场景设计，提供稳定可靠的电流检测解决方案。

可编程霍尔传感器电流检测比例模拟输出REF/OCDTO-94 封装无卤绿料

一级分类

电流传感器 IC

二级分类

可编程线性霍尔

资源数量

1 项

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核心参数

灵敏度误差

<1.5%

高精度

供电电压 VDD

3.3 / 5V

可选比例模拟输出

内部带宽 BW

400kHz

Signal −3dB

灵敏度范围 SRG

0.4–10mV/Gs

可编程

感应磁场范围 BRG

±450–±4500Gs

1Gs = 0.1mT

工作温度 TA

−40~125℃

恶劣工业级

可编程次数

100cycles

OTP

封装

TO-94VB

亚光镀锡 / 无卤

产品特性

Vref, OCD

典型应用

逆变器电流检测电机相位和轨电流检测光伏逆变器过流保护不间断电源

引脚定义

引脚	序号	说明
VDD	1	电源
GND	2	地
OUT	3	模拟输出端
REF	4	参考信号输出

订购信息

订购型号	灵敏度	温度范围	封装	包装	数量
SC4665VB-A-BK	0.4~2mV/Gs	−40~125	TO-94	散包	500 颗/袋
SC4665VB-B-BK	2~5mV/Gs	−40~125	TO-94	散包	500 颗/袋
SC4665VB-C-BK	5~10mV/Gs	−40~125	TO-94	散包	500 颗/袋

订购编号说明

SC4665VB-A-BK

SC4665

产品系列

电流传感器

封装外形

TO-94

磁参数

A: 灵敏度 0.4~2mV/Gs；B: 2~5mV/Gs；C: 5~10mV/Gs

包装方式

BK：散包

参数规格

极限参数

以上列出的应力可能会对器件造成永久性的损害，长时间暴露在绝对最大额定值条件下可能会影响器件的可靠性。

Symbol	参数	测试条件	Min	Max	单位
VDD_abs	电源正向耐压		—	6	V
VDDR_abs	电源反向耐压		−0.2	0	V
VOUT_abs	输出正向耐压		—	VDD+0.2	V
VOUTR_abs	输出反向耐压	VDD=0 to −1.0V	−0.3	—	V
TA	工作温度范围		−40	125	℃
TSTG	存储温度范围		−55	165	℃
TJ(max)	最大结温温度		—	165	℃
Endurance	可编程次数		100		cycles

静电保护

(1) JEDEC 文件 JEP155 指出，4000V HBM 允许使用标准 ESD 控制过程进行安全制造。(2) JEDEC 文件 JEP157 指出，750V CDM 允许使用标准 ESD 控制过程进行安全制造。

Symbol	参数	Min	Max	单位
VESD	人体失效模型，参考 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 标准（HBM）	−8	+8	kV
VESD	充放电失效模型，参考 ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 标准（CDM）	−750	+750	V

热特性

最大工作电压必须满足功耗和结温的要求，参照热特性。

Symbol	参数	测试条件	Typ	单位
RθJA	TO-94 封装形式热阻	JEDEC 1s0p 在 JESD 51-3 中定义	177	℃/W

电参数

工作电压范围 4.5V to 5.5V，环境温度 −40°C to 105°C，另有说明除外。

Symbol	参数	测试条件	Min	Typ	Max	单位
VDD	供电电压	仅 5V 产品	4.5	5	5.5	V
IDD	供电电流	在 VOUT 或 VREF 上无负载；VCC = 5V	—	9	—	mA
CBYPASS	电源旁路电容	推荐 VCC 到 GND	—	0.1	—	μF
RVREF	Ref 负载电阻	VREF 到 GND，VREF 到 VCC	1	—	—	KΩ
CVREF	Ref 负载电容	VREF 到 GND	—	—	6	nF
Tpo	上电延时	VDD=0 到 5V，VCC=90% 到 VOUT=90% 时间	—	77	—	us
VPOR(H)	上电复位电压	VDD=0 to 5.5	—	2.9	—	V
VPOR(L)	上电复位电压	VDD=5.5 to 0	—	2.6	—	V
UVLOH	欠压保护	VDD=0 to 5.5V	—	4.1	4.3	V
UVLOL	欠压保护	VDD=5 to 0V	—	3.25	—	V
VOVPH	过压保护 (OVP) 阈值	VDD rising	—	6.4	—	V
VOVPH	过压保护 (OVP) 阈值	VDD rising	—	5.9	—	V
tdOVD(E)	OVP 延迟时间	时间从 VCC 上升至 ≥VOVP（EN）到 OVP 生效	—	54	—	us
tdOVD(D)	OVP 延迟时间	时间从 VCC 下降至 ≤VOVP（DIS）到 OVP 清除	—	7.6	—	us
TRES	响应时间	CLoad, Sen, EENoise, EEBW, All Temp	—	1	—	us
Tr	上升时间	TA = 25°C, CL = 1nF, 10%-90% of 1V	—	—	3	us
IOUT	VOUT 负载电流	VDD=4.5–5.5, VOUT=0.5–4.5, Iload=−10–10mA	—	9	—	mA
ILEAK	输出漏电流	高阻抗模式	—	6	20	uA
RLoadL	VOUT 负载电阻	VOUT to GND, RL=10k to 1k, B=+BMAX	1	—	—	kΩ
RLoadH	VOUT 负载电阻	VOUT to VCC, RL=10k to 1k, B=−BMAX	1	—	—	kΩ
Clamp_lo	钳位输出电压（EE_Clamp level=0）	B=−BMAX, RL=5k to VDD, EE_CL=enable	—	5	—	%VDD
Clamp_hi	钳位输出电压（EE_Clamp level=0）	B=+BMAX, RL=5k to GND, EE_CL=enable	—	95	—	%VDD
Clamp_lo	钳位输出电压（EE_Clamp level=1）	B=−BMAX, RL=5k to VDD, EE_CL=enable	—	7.5	—	%VDD
Clamp_hi	钳位输出电压（EE_Clamp level=1）	B=+BMAX, RL=5k to GND, EE_CL=enable	—	92.5	—	%VDD
VSAT(H)	饱和电压	B=−BMAX, RL=5k to VDD, EE_CL=enable	—	0.5	—	%VDD
VSAT(L)	饱和电压	B=+BMAX, RL=5k to GND, EE_CL=enable	—	99	—	%VDD
VOOR	输出工作范围	5V 供电	0.5	—	4.5	V
SR	输出斜率	Sen, CL	0.8	—	—	V/us
Np-p	VOUT 噪声	CLoad, Sen, TA, EENoise, EEBW	—	40	—	mVp-p
NRMS	VOUT 噪声	CLoad, Sen, TA, EENoise, EEBW	—	5	—	mVRMS
Fc	斩波频率		—	2	—	MHz
BW	内部带宽	Signal −3dB, CL=1nF	120	400	—	KHZ

磁特性

工作电压 5V，环境温度 25°C，另有说明除外。1Gs = 0.1mT。

Symbol	参数	测试条件	Min	Typ	Max	单位
VQT	VQ 粗调档	EE=0, B=0, Sen=−Smax~+Smax	—	50	—	%VDD
VQT	VQ 粗调档	EE=1, B=0, Sen=−Smax~+Smax	—	10	—	%VDD
VQT	VQ 粗调档	EE=2, B=0, Sen=−Smax~+Smax	—	0.5	—	V
VQT	VQ 粗调档	EE=3, B=0, Sen=−Smax~+Smax	—	0.33	—	V
VQT	VQ 粗调档	EE=4, B=0, Sen=−Smax~+Smax	—	1.35	—	V
VQT	VQ 粗调档	EE=5, B=0, Sen=−Smax~+Smax	—	1.5	—	V
VQT	VQ 粗调档	EE=6, B=0, Sen=−Smax~+Smax	—	1.65	—	V
VQT	VQ 粗调档	EE=7, B=0, Sen=−Smax~+Smax	—	2.5	—	V
VQPR	VQ 细调范围	B=0, Sen=Smax, EE=+−max	2.3	—	2.7	V
VQBits	VQ 细调位	guaranteed by design	—	10	—	bit
VQStep	VQ 细调步进	Scan the EE for VQ	—	0.39	0.5	mV
VQAcc	VQ 调节误差	B=0, Sen=Smax, EE=+−max	−0.5	0	0.5	mV
VQTemp	VQ 温漂	TA=−40~125℃	−1	0	1	Gs
ACCVQ	VQ 总误差	TA=−40~125℃	−15	0	15	mV
VOUTLIN	线性输出范围		10	—	90	%
BRG	感应磁场强度范围		±450	—	±4500	Gs
Msen	灵敏度随 VDD 变化比	VDD=4.5–5.5V	—	—	—	%
SRG	灵敏度范围	Guaranteed by design	0.4	—	10	mV/Gs
SStep	灵敏度调节步进	Scan the EE for Sen	—	0.1	—	%
SAcc	灵敏度调节误差	Sen=Smax, EE=+−max	−1	0	1	%
STemp	灵敏度温漂	TA=−40~125℃	−2.5	0	2.5	%
LN	非线性误差		−0.5	0	0.5	%
PSRR	电源抑制比	0-1kHz, 100mV pk-pk ripple on VCC, B=0	—	40	—	dB
PSRR	电源抑制比	1k-100kHz, 100mV pk-pk ripple on VCC, B=0	—	25	—	dB

REF 参数（SIP4 with REF）

工作电压 5V，环境温度 25°C，另有说明除外。

Symbol	参数	测试条件	Min	Typ	Max	单位
VREF	VREF 粗调档	EE=0, B=0, Sen=−Smax~+Smax	—	50	—	%VDD
VREF	VREF 粗调档	EE=1, B=0, Sen=−Smax~+Smax	—	10	—	%VDD
VREF	VREF 粗调档	EE=2, B=0, Sen=−Smax~+Smax	—	0.5	—	V
VREF	VREF 粗调档	EE=3, B=0, Sen=−Smax~+Smax	—	0.33	—	V
VREF	VREF 粗调档	EE=4, B=0, Sen=−Smax~+Smax	—	1.35	—	V
VREF	VREF 粗调档	EE=5, B=0, Sen=−Smax~+Smax	—	1.5	—	V
VREF	VREF 粗调档	EE=6, B=0, Sen=−Smax~+Smax	—	1.65	—	V
VREF	VREF 粗调档	EE=7, B=0, Sen=−Smax~+Smax	—	2.5	—	V
VREFPR	VREF 细调范围	EE=0, B=0, Sen=Smax, EE=+−max	2.4	—	2.6	V
VREFBits	VREF 细调位	Guaranteed by design	—	9	—	bit
VREFStep	VREF 细调步进	Scan the EE for VREF	—	0.39	0.5	mV
VREFAcc	VREF 调节误差	B=0, Sen=Smax, EE=+−max	−0.5	0	0.5	mV
ACCVREF	VREF 总误差	TA=−40~125℃	−5	0	5	mV

技术图

图2 · 引脚描述（4 脚 TO-94 VB 封装，俯视图）

图3 · 功能框图概览

图4 · 上电时间定义

图5 · 输出延迟时间定义

图6 · 典型应用线路图

封装尺寸图（TO-94 VB，单位：毫米）

技术规格

静态输出电压	50%VDD/2.5/1.65
封装	VB
状态	量产
功能	Vref, OCD
电压范围	3.0~5.5
车规等级	-
带宽	400K
灵敏度	1.0~25.0

历史版本

版本	日期	说明
Rev.E0.1	2022-07-10	初始规格书
Rev.A1.0	2025-02-06	正式版发布

产品资料

SC4665 中文规格书

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