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SC4104

SC4104

具有休眠模式的线性霍尔传感器

SC410X 系列是一款比例式单轴线性霍尔传感器,其模拟输出电压与垂直于芯片表面的磁通密度成正比,静态输出电压为 50%×VCC。器件内置休眠模式,可通过 SLEEP 引脚进入超低功耗状态(休眠电流 < 3μA、上电时间 < 10μs),并具有 100kHz 检测带宽,非常适合机器人吸尘器、无线电动工具、无线游戏控制器及外设等电池供电应用。供电电压范围 2.5V~5.5V,工作温度 -40℃~150℃,提供 DFN1616 与 SOT23-3L 两种封装;SC4101~SC4105 提供 1.0~5.0mV/Gs 多档灵敏度,其中 SC4104 的典型灵敏度为 3.2mV/Gs(3.3V 条件)。

霍尔传感器比例式线性输出休眠模式DFN1616 / SOT23-3L无铅封装
一级分类
磁性位置传感器 IC
二级分类
线性霍尔
资源数量
2 项

核心参数

典型灵敏度 S
3.2mV/Gs
@3.3V · 25°C
休眠模式功耗
<3μA
ICC-SHDN
上电时间 tPO
<10μs
快速上电
检测带宽 fBW
100kHz
−3dB
供电电压 VCC
2.5–5.5V
宽供电范围
工作温度 TA
−40~150
宽温环境
静态输出电压
50%·VCC
B=0 时
封装
DFN1616 / SOT23-3L
无铅 / 无锡框架

产品特性

Bipolar, Sleep mode, High precision

典型应用

电机控制键盘应用位置检测游戏控制器和外设

引脚定义

引脚序号说明
GNDDFN1616:1 / SOT23-3L:3
NCDFN1616:2 / SOT23-3L:—不做连接,建议接地
SLEEPDFN1616:3 / SOT23-3L:—休眠模式切换
OUTDFN1616:4 / SOT23-3L:2模拟量输出
NCDFN1616:5 / SOT23-3L:—不做连接,建议接地
VDDDFN1616:6 / SOT23-3L:1电源供电

订购信息

订购型号灵敏度温度范围封装包装数量
SC4104DN-TR3.2−40~150DFN1616卷盘4000 颗/盘
SC4104SO-TR3.2−40~150SOT23-3L卷盘3000 颗/盘
订购编号说明
SC410XSO-N-TR
SC410X
产品系列
具有休眠模式的线性霍尔传感器
磁特性参数位
磁特性参数位
代表不同灵敏度(SC4104 对应 3.2mV/Gs @3.3V)
SO
封装描述
SO: SOT23-3L;SE: SOT23;DN: DFN1616
N
有效磁场感应
N: N 极磁场感应;空白: S 极磁场感应
TR
包装方式
TR: 卷盘(Tape & Reel)

参数规格

极限参数

以上列出的应力可能会对器件造成永久性的损害,长时间暴露在绝对最大额定值条件下可能会影响器件的可靠性。

Symbol参数测试条件MinMax单位
VCC abs正向供电电压B=0mT, TA=25°C5.5V
Vccr abs反向供电电压B=0mT, TA=25°C−0.3V
VOUT ABS输出端正电压B=0mT, TA=25°C5.5V
VOUTR ABS输出端负电压B=0mT, TA=25°C−0.3V
TA工作温度范围−40150
TSTG储存温度范围−55165
TJ(max)最高结温度165

静电保护

(1) JEDEC 文件 JEP155 指出,4000V HBM 允许使用标准 ESD 控制过程进行安全制造;(2) JEDEC 文件 JEP157 指出,750V CDM 允许使用标准 ESD 控制过程进行安全制造。

Symbol参数MinMax单位
VESD人体失效模型 HBM(ANSI/ESDA/JEDEC JS-001)−4+4kV
VESD充放电失效模型 CDM(ANSI/ESDA/JEDEC JS-002)−750+750V

热特性

最大工作电压必须满足功耗和结温的要求,参照热特性。单层 PCB,JEDEC 2s2p 和 1s0p 分别在 JESD 51-7 和 JESD 51-3 中定义。

Symbol参数Typ单位
RθJASOT23-3L 封装形式热阻300℃/W
RθJADFN1616 封装形式热阻186℃/W

电学参数

工作电压范围 2.5V 至 5.5V,环境温度 −40°C 至 150°C,另有说明除外。

Symbol参数测试条件MinTypMax单位
VCC工作电压2.53.33.6V
VCC工作电压4.555.5V
ICC工作电流VCC=3.3V, B=0mT3mA
ICC工作电流VCC=5V, B=0mT4mA
ICC-SHDN休眠电流SLEEP → 3.3V3μA
tPO上电时间VCC=3.3V, B=0mT, VOUT=90% of Full-Scale10μs
tWK唤醒时间SLEEP → 0V10μs
IOUT输出负载电流2mA
COUT输出负载电容1nF
fBW检测带宽−3 dB100kHz
tPd响应延时时间10μs
fc斩波频率500kHz
Vhsleep休眠输入高电压休眠使能0.7VCCV
VLSLEEP休眠输入低电压休眠关闭0.3VCCV

磁特性

工作电压范围 2.5V 至 5.5V,环境温度 −40°C 至 150°C,另有说明除外。本表数值为 SC4104 变体。

Symbol参数测试条件MinTypMax单位
VQT静态电压B=0 Gs, TA=25°C, VCC=3.3V1.581.651.72V
VQT静态电压B=0 Gs, TA=25°C, VCC=5V2.432.502.57V
VQΔT静态电压温度漂移B=0 Gs, VCC=3.3V, TA=−40°C~105°C versus 25°C±1%×VCCV
VQΔT静态电压温度漂移B=0 Gs, VCC=5V, TA=−40°C~105°C versus 25°C±1%×VCCV
VQRE静态电压比例误差±0.2%
S灵敏度SC4104, VCC=3.3V, TA=25°C3.2mV/Gs
S灵敏度SC4104, VCC=5V, TA=25°C5.0mV/Gs
BL线性磁感应范围SC4104, VCC=3.3V, TA=25°C±450Gs
BL线性磁感应范围SC4104, VCC=5V, TA=25°C±470Gs
VL输出电压线性范围0.2VCC–0.2V
STC灵敏度温度系数TA=−40°C~150°C versus 25°C0.040.120.20%/℃
SLE灵敏度线性误差±1%
SSE灵敏度对称误差±1%
SRE灵敏度比例式误差TA=25°C, VCC=3V~3.6V, with respect to VCC=3.3V−3+3%
VN输出参考峰峰值噪声SC4104, BN × S, OUT with RC filter7mVpp

技术图

123VDD电源供电OUT模拟量输出GND电源地
图2 · SOT23-3L 封装顶视图(左)& DFN1616 封装顶视图(右)
SC4723VDDGNDHall霍尔片Modulator调制OPADemodulator解调Buffer缓冲OUT
图3 · 功能框图概览
tPOt1t2VCC(min)VCC90% VOUTV
图4 · 上电时间定义
tpdtrApplied FieldOutput90%10%%
图5 · 传播延迟和上升时间定义
SC4723VDDOUTGND100nFSupply Voltage输出
图7 · 典型应用线路图
VCC85%·VCC10%·VCCVOUT (V)B (Gs)N 极B = 0S 极
图8 · 输出函数
TOP VIEW0.953.00 / 2.603.02 / 2.821.72 / 1.52SIDE VIEW1.25 Max0.10L 0.60 / 0.30单位:mm · 未标公差为公称尺寸 · 高度不包括模具浇口溢料
封装尺寸图 · DFN1616(DN) & SOT23-3L(SO)(单位:mm)

技术规格

静态输出电压50% VDD
封装SO, SE, DN
状态量产
功能Bipolar, Sleep mode
电压范围2.5~5.5
带宽100K
工作温度-40~150
灵敏度3.2mV/Gs

历史版本

版本日期说明
Rev.E0.12024-07-25初始规格书
Rev.A1.02024-11-27正式版发布
Rev.A1.12025-01-07增加 DFN1616 选项
Rev.A1.22025-12-04根据测试参数,补全规格书指标
Rev.A1.32026-01-08取消 SE 封装选项
Rev.A1.42026-06-02根据实测数据修改功耗

产品资料

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