ZH639D0
ZH639D0
100V 三相半桥栅极驱动器
针对三相绕组结构电机设计的核心驱动器件，通过内部三组半桥功率电路，将控制单元的弱电指令转换为协同驱动电机 U/V/W 三相绕组的强电信号，精准实现启停、调速、正反转及换相控制。（适用于工业机械、新能源汽车、无人机等中 / 大功率场景。)
栅极驱动器三相半桥高压悬浮自举自适应死区QFN24/TSSOP20电机驱动
一级分类
电机驱动 IC
二级分类
三相电机驱动
资源数量
1 项
核心参数
高边悬浮电源绝对电压 VHBx
120V
极限最大值
高边悬浮地 HSx
100V
极限最大值
悬浮轨电压 HBx−HSx
20V
极限最大值
供电电压 VCC
5~12V
推荐工作条件
高边上拉电流 IHPU
170mA
HOx=HSx, HINx=1 典型值
高边强下拉电流 IHPDST
2.5A
HINx=0, HOx=HSx+5V 典型值
开通传输延迟时间 tPDLH
100ns
典型值
死区时间 DT
100ns
CL=1nF 典型值
产品特性
100V, Analog Smart Pre-drive, Adaptive Dead Zone, Best EMC, Bootstrap Diode Savings, NN Gate Driver
引脚定义
| 引脚 | 序号 | 说明 |
|---|---|---|
| HIN1、HIN2、HIN3 | 1、2、3 | 高边逻辑输入控制信号（TSSOP20） |
| LIN1、LIN2、LIN3 | 4、5、6 | 低边逻辑输入控制信号（TSSOP20） |
| COM(LSS) | 8 | 芯片地（TSSOP20） |
| VCC | 7 | 芯片电源（TSSOP20） |
| LO3、LO2、LO1 | 9、10、11 | 低边功率输出端 |
| HS3、HS2、HS1 | 12、15、18 | 高边悬浮地 |
| HO3、HO2、HO1 | 13、16、19 | 高边功率输出端 |
| HB3、HB2、HB1 | 14、17、20 | 高边悬浮电源 |
订购信息
| 订购型号 | 灵敏度 | 温度范围 | 封装 | 包装 | 数量 |
|---|---|---|---|---|---|
| ZH639D0JT | - | - | TSSOP20 | Reel | 4000 |
| ZH639D0NU | - | - | QFN24 | Reel | 4000 |
参数规格
引脚定义 TSSOP20
| 参数 | 测试条件 |
|---|---|
| HIN1、HIN2、HIN3 | Input — 高边逻辑输入控制信号 |
| LIN1、LIN2、LIN3 | Input — 低边逻辑输入控制信号 |
| COM(LSS) | Ground — 芯片地 |
| VCC | Power — 芯片电源 |
| LO3、LO2、LO1 | Output — 低边功率输出端 |
| HS3、HS2、HS1 | Output — 高边悬浮地 |
| HO3、HO2、HO1 | Output — 高边功率输出端 |
| HB3、HB2、HB1 | Power — 高边悬浮电源 |
引脚定义 QFN24
| 参数 | 测试条件 |
|---|---|
| HIN1、HIN2、HIN3 | Input — 高边逻辑输入控制信号 |
| LIN1、LIN2、LIN3 | Input — 低边逻辑输入控制信号 |
| COM | Ground — 逻辑参考地，与单片机共地 |
| LSS | Ground — 功率参考地，与功率管共地 |
| VCC | Power — 芯片电源 |
| LO3、LO2、LO1 | Output — 低边功率输出端 |
| HS3、HS2、HS1 | Output — 高边悬浮地 |
| HO3、HO2、HO1 | Output — 高边功率输出端 |
| HB3、HB2、HB1 | Power — 高边悬浮电源 |
| NC | NC — 空脚 |
极限参数
| Symbol | 参数 | 测试条件 | Min | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| HBx | 高边悬浮电源 | — | -0.3 | 120 | V |
| HSx | 高边悬浮地 | — | -5 | 100 | V |
| 1us | -10 | 110 | V | ||
| HBx-HSx | 悬浮轨电压 | — | -0.3 | 20 | |
| HOx | 高边输出 | — | HS − 0.3 | HB + 0.3 | V |
| LOx | 低边输出 | — | −0.3 | VCC + 0.3 | V |
| VCC | 电源 | — | −0.3 | 20 | V |
| HINx | 高通道逻辑信号输入电平 | — | −0.3 | 6 | V |
| LINx | 低通道逻辑信号输入电平 | — | −0.3 | 6 | V |
| TA | 环境温度 | −40 | 125 | ℃ | |
| Tstg | 储存温度 | −55 | 150 | ℃ |
ESD
| Symbol | 参数 | 测试条件 | Typ | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| VESD | 静电放电 | 人体放电模式 (HBM) | ±2000 | V |
| HSx 引脚对 GND 打负电 | 1000 | V |
推荐工作条件
| Symbol | 参数 | Min | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| VHBx | 高边悬浮电源绝对电压 | VS + 5 | VS + 12 | V |
| VHSx | 高边悬浮电源偏置电压 | −5 | 100 | V |
| VHOx | 高边悬浮输出电压 | VHSx | VHBx | V |
| VCC | 供电电压 | 5 | 12 | V |
| VLOx | 低边输出电压 | 0 | VCC | V |
| VINx | 逻辑输入电压 (HINx & LINx) | 0 | 5 | V |
| TA | 环境温度 | −40 | 125 | ℃ |
电气特性参数
如无特殊注明，测试条件为 25℃，VCC=8V，VM=80V
| Symbol | 参数 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VVHBR | HBx 上升阈值（电源部分） | VHBRx = VHBx − VHSx | 3.8 | V | ||
| VVHBF | HBx 下降阈值 | 2.2 | V | |||
| VVHBH | HBx 阈值迟滞 | 1.6 | V | |||
| IQ-VCC | VCC 静态电流 | HINx = LINx = 0, VSx=0 | 50 | 200 | μA | |
| HINx=1, LINx=0 | uA | |||||
| HINx=0, LINx=1 | uA | |||||
| IBL | 自举电源漏电流 | HBx = HSx = 100 V | 50 | μA | ||
| 150℃ | 150 | uA | ||||
| IOP | 动态工作电流 | 互补 25k, 50%, PWM, 无负载 | 1.8 | 2.9 | mA | |
| VIH | 高电平输入阈值电压（输入部分） | 2.2 | V | |||
| VIL | 低电平输入阈值电压 | 0.7 | V | |||
| VIN-Hys | 输入引脚阈值电压迟滞 | 0.7 | V | |||
| RIN | 输入引脚下拉电阻 | 200 | kΩ | |||
| IHPU | 高边上拉电流（输出部分） | HOx = HSx, HINx=1 | 170 | mA | ||
| IHPD | 高边下拉电流 | HOx = HBx, HINx=0 | 150 | mA | ||
| IHPDST | 高边强下拉电流 | HINx=0, HOx=HSx+5V | 2.5 | A | ||
| ILPU | 低边上拉电流 | LOx=0, LINx=1 | 140 | mA | ||
| ILPD | 低边下拉电流 | LOx=VCC, LINx=0 | 150 | mA | ||
| ILPDST | 低边强下拉电流 | LINx=0, LOx=LSS+5V | 2.5 | A | ||
| RHPD | HO 输出强下拉电阻 | HOx=HSx+100mV, HINx=0 | 0.8 | 1 | Ω | |
| RLPD | LO 输出强上拉电阻 | LOx=100mV, LINx=0 | 0.8 | 1 | Ω | |
| tPDLH | 开通传输延迟时间（动态参数） | 100 | 250 | ns | ||
| tPDHL | 关断传输延迟时间 | 100 | 250 | ns | ||
| tPDRM | 低到高传输延时匹配时间 | 60 | ns | |||
| tPDFM | 高到低传输延时匹配时间 | 60 | ns | |||
| tRISE | 输出上升时间 | 10% ~ 90%, CL = 1nF | 100 | 170 | ns | |
| tFALL | 输出下降时间 | 10% ~ 90%, CL = 1nF | 50 | 90 | ns | |
| DT | 死区时间 | CL = 1nF | 50 | 100 | 150 | ns |
逻辑真值表
输入 HINx / LINx → 输出 HOx / LOx
| 参数 | 测试条件 |
|---|---|
| 输入 HINx=L, LINx=L | HINx=L, LINx=L |
| 输入 HINx=L, LINx=H | HINx=L, LINx=H |
| 输入 HINx=H, LINx=L | HINx=H, LINx=L |
| 输入 HINx=H, LINx=H | HINx=H, LINx=H |
| 输入 HINx=Floating, LINx=Floating | HINx=Floating, LINx=Floating |
封装尺寸 TSSOP20
单位 mm（同时给出 inch）
| Symbol | Min | Max | 单位 |
|---|---|---|---|
| D | 6.400 | 6.600 | mm |
| E | 4.300 | 4.500 | mm |
| b | 0.190 | 0.300 | mm |
| c | 0.090 | 0.200 | mm |
| E1 | 6.250 | 6.550 | mm |
| A | 1.200 | mm | |
| A2 | 0.800 | 1.000 | mm |
| A1 | 0.050 | 0.150 | mm |
| e | 0.65 (BSC) | 0.65 (BSC) | mm |
| L | 0.500 | 0.700 | mm |
| H | 0.25 (TYP) | 0.25 (TYP) | mm |
| θ | 1° | 7° | ° |
封装尺寸 QFN24
散热焊盘 D=E 三种 Option；A 为封装高度，A3 为焊盘厚度（单位 mm）
| 参数 | 测试条件 | Min | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| Option1 D=E | D=E | 2.600 | 2.800 | mm |
| Option1 A | A | 0.700 | 0.850 | mm |
| Option1 A3 | A3 | 0.153 | 0.253 | mm |
| Option2 D=E | D=E | 2.350 | 2.550 | mm |
| Option2 A | A | 0.700 | 0.850 | mm |
| Option2 A3 | A3 | 0.153 | 0.253 | mm |
| Option3 D=E | D=E | 2.600 | 2.800 | mm |
| Option3 A | A | 0.550 | 0.650 | mm |
| Option3 A3 | A3 | 0.125 | 0.175 | mm |
技术图
技术规格
| 封装 | TSSOP20,QFN24 |
| 状态 | 量产 |
| 功能 | 100V, Analog Smart Pre-drive, Adaptive Dead Zone, Best EMC, Bootstrap Diode Savings, NN Gate Driver |
| 电压范围 | 100 |
| 峰值电流 | 2.5 |
历史版本
| 版本 | 日期 | 说明 |
|---|---|---|
| V0.1 | 2023.02.21 | Preliminary Datasheet |
| V1.0 | 2023.09.13 | 修订了产品的封装形式、管脚功能等信息 |
| V1.1 | 2023.09.18 | QFN24 封装，增加了功率地 PGND，5 脚由 NC 变为 COM，6 脚为 PGND |
| V1.2 | 2023.09.28 | 增加自动死区、电平转换、驱动能力的详细描述；PGND 改成 LSS；关于双 GND 的描述 |
| V1.3 | 2023.10.12 | 修正了电器参数 |
| V1.4 | 2023.11.4 | 更改了 ESD 参数；增加了 HS 引脚对 COM 的瞬态耐压值 |
| V1.5 | 2024.4.12 | 更改了 ESD 参数 |