Name: SC69431TG
Brand: Semiment
SKU: SC69431TG

SC69431TG

3D高精度角度位置传感器IC

赛卓磁性角度传感器 IC 可实现对磁铁慢速旋转角度的精准检测，支持工厂或客户通过可编程配置输出模拟、PWM、PSI5、SPI、SENT 等信号；该产品符合车规级可靠性标准，能适应高温、振动、电磁干扰等极端工作环境，广泛应用于汽车电子动力转向、油门踏板、变速箱以及工业液压控制阀、机器人关节等场景。

3D角度位置传感器集磁片IMCTSSOP-16双芯片冗余多接口输出AEC-Q100/ASIL B车规级

一级分类

角度传感器 IC

二级分类

磁性角度传感器

资源数量

2 项

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核心参数

工作温度范围

-40~160℃

宽工作温度范围

工作电流 IDD

7.5mA

单路 SOP-8，典型值

XY 固有线性度误差 ΔEL_XY

-1~1Deg

XY 模式

ADC 分辨率 RADC

15bits

典型值

模拟输出分辨率 RDAC

12bits

DAC 分辨率

数据刷新频率 Tper

200μs

典型值

阶跃响应时间 Ts

400μs

典型值

输出接口

5种

模拟/PWM/SENT/SPI/PSI5

产品特性

3D Hall, Programmable

典型应用

油门踏板传感器方向盘转角传感器换挡器档位位置检测节气门和废气再循环阀涡轮增压执行器旋钮开关车身高度3D 手柄

引脚定义

引脚	序号	说明
VREG1	1	芯片1 -- 内部电源
VSS1	2	芯片1 -- 地
VDD1	3	芯片1-- 电源输入
MISO1	4	芯片1 -- MISO: SPI 的主出从进数据引脚
Test2	5	芯片2 -- 测试引脚，接地
OUT2/CS2	6	芯片2 -- 模拟输出；PWM；SENT；CS:SPI 使能输入引脚
SCLK2	7	芯片2 -- 测试引脚，接地；SCLK: SPI 时钟信号输入
MOSI2	8	芯片2 -- MOSI: SPI 的主出从进数据引脚
VREG2	9	芯片2 -- 内部电源
VSS2	10	芯片2 -- 地
VDD2	11	芯片2 -- 电源输入
MISO2	12	芯片2 -- 测试引脚，接地；MISO: SPI 的主进从出数据引脚
Test1A	13	芯片1 -- 测试引脚，接地
SCLK1	14	芯片1 -- 测试引脚，接地；SCLK: SPI 时钟信号输入
OUT1/CS1	15	芯片1 -- 模拟输出；PWM；SENT；CS:SPI 使能输入引脚
MOSI1	16	芯片1 -- MOSI: SPI 的主出从进数据引脚

订购信息

订购型号	灵敏度	温度范围	封装	包装	数量
SC69431TG-000-TR-Q	-	-40~160	TSSOP-16	卷带	3000 颗/卷
SC69431TG-SPI-TR-Q	-	-40~160	TSSOP-16	卷带	3000 颗/卷

订购编号说明

SC69431TG-SPI-TR-Q

SC69431

产品系列名称

3D高精度角度位置传感器IC

封装形式

TG: TSSOP-16 封装

SPI

选项（默认输出接口）

000: 默认缺省模拟输出；001: 缺省 SENT 接口；SPI: 缺省 SPI 接口；PSI: 缺省 PSI5 接口

包装选项

TR: 卷带

产品等级

Q: 车规级

参数规格

极限参数

工作的自然温度范围内(除非另有说明)。(1) 高于此处列出的压力可能会导致器件永久损坏，长时间暴露在绝对最大额定值条件下可能会影响器件的可靠性

Symbol	参数	测试条件	Min	Max	单位
VDD	电源端电压	t<48h	-14	28	V
VDD	电源端电压	t<60s	-18	37	V
VOUT	模拟输出电压	t<48h	-10	24	V
VOUT	模拟输出电压	t<60s	-10	30	V
VspiOUT	SPI 输出电压		-0.3	8	V
IR	反向输出电流			40	mA
TA	工作温度		-40	160	℃
TSTG	储存温度		-40	160	℃
H	磁场强度		-1	1	T

静电保护

Symbol	参数	测试条件	Min	Max	单位
VESD_HBM	HBM	参照 AEC-Q100-002E HBM 标准(SOP8/TSSOP16 封装)	-4	4	kV
VESD_HBM	HBM	参照 AEC-Q100-002E HBM 标准(SIP3 封装)	-8	8	kV
VESD_CDM	CDM	参照 AEC-Q100-011C CDM 标准	-750	750	V

双芯片隔离参数

Symbol	参数	Min	单位
IsoR	隔离电阻	4	MΩ

工作参数 - 电参数

工作条件: TAMB = -40~160℃, VDD = 4.5~5.5V, 除非另有说明

Symbol	参数	测试条件	Min	Typ	Max	单位
VDD	工作电压	5V 模式	4.5	5.0	5.5	V
VDD_3.3V	工作电压	VREG 及 VDD 同时接 3.3V, UVLO_3P5EN=1	3.15	3.3	3.6	V
VDD	工作电压	PSI5	4.1		12	V
IDD	工作电流	单路 SOP-8	-	7.5	10	mA
Isurge	开机冲击电流	单路 SOP-8	-	-	25	mA
IOCP	电流过流报警	单路 SOP-8	-	25	35	mA
IERRSTART	启动电流误差	PSI5	-2	-	2	mA
ΔIS	SINK 电流	PSI5-正常功耗模式	22	26	30	mA
ΔIS	SINK 电流	PSI5-低功耗模式	11	13	15	mA
ISDRIFT	静态电流偏移	PSI5	-4		4	mA
VREG	稳压电压	5V 模式	3.13	3.3	3.47	V
VREGOVP	稳压电压过高检测	5V 模式	3.5	3.7	3.89	V
VREGUVL	稳压电压过低检测	5V 模式	2.8	2.9	3.0	V
VDDstartH	启动电压	5V 模式	3.8			V
VDDstartHyst	启动电压迟滞	5V 模式		100		mV
VUVLO	欠压检测电压	UVLO_3P3=0	3.8	3.9	4.1	V
VUVLO	欠压检测电压	UVLO_3P3=1	2.6	2.8	3.0	V
VUVLOHYS	欠压检测迟滞		50	100	200	mV
VOVP	过压保护电压		6.0	6.2	6.5	V
VOVP	过压保护电压	PSI5	22	24	26	V
VOVPHYST	过压检测迟滞			50	200	mV
VOVPHYST	过压检测迟滞	PSI5	0.8	1.4	2.0	V
Ishort	输出短路电流	短路至地，模拟输出	-	-	15	mA
Ishort	输出短路电流	短路至地，PWM, SENT 推挽输出	-	-	30	mA
Ishort	输出短路电流	短路至电源，模拟输出	-	-	15	mA
Ishort	输出短路电流	短路至电源，PWM, SENT 推挽输出	-	-	30	mA
RL	模拟输出负载电阻	上拉电阻，连接到电源	4.7	10	-	kΩ
RL	模拟输出负载电阻	下拉电阻，连接到地	4.7	10	-	kΩ

工作参数 - 电参数(续)

Symbol	参数	测试条件	Min	Typ	Max	单位
RL_PWM	PWM 输出负载电阻	上拉电阻，连接到电源	1	-	-	kΩ
RL_PWM	PWM 输出负载电阻	下拉电阻，连接到地	1	-	-	kΩ
Vsat_lo	模拟输出饱和电平	上拉电阻 R≥10k，连接到电源	-	0.5	2	%VDD
Vsat_lo	模拟输出饱和电平	上拉电阻 R≥4.7k，连接到电源	-	2.5	3	%VDD
Vsat_hi	模拟输出饱和电平	下拉电阻 R≥4.7k，连接到地	95	98	-	%VDD
Vsat_hi	模拟输出饱和电平	下拉电阻 R≥10k，连接到地	97	99	-	%VDD
VsatD_lo	数字输出电平	下拉电阻 R≥10k，连接到电源	-	0.5	1	%VDD
VsatD_lo	数字输出电平	上拉电阻 R≥1k，连接到电源	-	6	10	%VDD
VsatD_hi	数字输出电平	下拉电阻 R≥1k，连接到地	85	90	-	%VDD
VsatD_hi	数字输出电平	下拉电阻 R≥10k，连接到地	97.5	98	-	%VDD
Dsat_lo	主动诊断输出电平	上拉电阻 R≥10k	-	0.5	1	%VDD
Dsat_lo	主动诊断输出电平	上拉电阻 R≥4.7k	-	1	2	%VDD
Dsat_hi	主动诊断输出电平	下拉电阻 R≥10k	97.5	98.5	-	%VDD
Dsat_hi	主动诊断输出电平	下拉电阻 R≥4.7k	95	97	-	%VDD
BVssPD	被动诊断输出电平(开路)	VSS 开路，下拉电阻，R≤10k	-	0.5	1.6	%VDD
BVssPU	被动诊断输出电平(开路)	VSS 开路，上拉电阻，R≥1k，上拉到 5V	99.5	100	-	%VDD
BVddPD	被动诊断输出电平(开路)	VDD 开路，下拉电阻，R≥1k	-	0	0.5	%VDD
BVddPU	被动诊断输出电平(开路)	VDD 开路，上拉电阻，R≤10k，上拉到 5V	97	99.5	-	%VDD
Clamp_lo	可编程钳位电压	可编程	0	-	100	%VDD
Clamp_hi	可编程钳位电压	可编程	0	-	100	%VDD

时序参数-基本时序

Symbol	参数	测试条件	Min	Typ	Max	单位
FCK	主时钟频率	全温测试	7.8	8.2	8.5	MHz
ΔFCK,T	主时钟频率温度偏移		-3		3	%FCK
Tper	数据刷新频率		-	200	250	μs
Ts	阶跃响应时间		-	400	500	μs
TPOR	上电复位		-	40	-	μs
TINIT	初始化时间		-	3	5	ms

时序参数-EEPROM 时序

Symbol	参数	Min	Typ	Max	单位
tPS	上电复位时间	-	100	-	μs
tPW	上电复位时间	-	100	-	μs
TIDLE	待机时间	-	20	-	ms

时序参数-PWM 输出

Symbol	参数	测试条件	Min	Typ	Max	单位
FPWM	PWM 频率	频率基础范围	100	-	2000	Hz
FPWM_Init	初始 PWM 频率精度	25℃	-	-	±2%	FPWM
FPWM_Init	初始 PWM 频率精度	25℃	-	-	±1%	FPWM
ΔFPWM	PWM 频率温漂	PWM 频率温漂	-	-	±3%	FPWM
Trise_LSD	PWM 输出上升时间(开漏输出)	4.7nF, RL=1kΩ 上拉	-	10	-	μs
Trise_LSD	PWM 输出上升时间(开漏输出)	10nF, RL=1kΩ 上拉	-	20	-	μs
Trise_PP	PWM 输出上升时间(推挽输出)	4.7nF, RL=1kΩ 上拉	-	3	-	μs
Trise_PP	PWM 输出上升时间(推挽输出)	10nF, RL=1kΩ 上拉	-	4	-	μs
Tfall_LSD	PWM 输出下降时间(开漏输出)	4.7nF, RL=1kΩ 上拉	-	2	-	μs
Tfall_LSD	PWM 输出下降时间(开漏输出)	10nF, RL=1kΩ 上拉	-	4	-	μs
Tfall_PP	PWM 输出下降时间(推挽输出)	4.7nF, RL=1kΩ 上拉	-	2	-	μs
Tfall_PP	PWM 输出下降时间(推挽输出)	10nF, RL=1kΩ 上拉	-	4	-	μs

时序参数-SPI 输出

Symbol	参数	Min	Typ	Max	单位
VIH	高电平输入电压	0.6*VDD	-	VDD	V
VIL	低电平输入电压	0	-	0.4*VDD	V
VIH	高电平输出电压	VDD-0.4	-	VDD	V
VIL	低电平输出电压	0	-	VSS+0.4	V
tSCLK	时钟周期	450	500	-	ns
tSCLK_LO	时钟低电平	225	-	-	ns
tSCLK_HI	时钟高电平	225	-	-	ns
tMISO	输出数据延迟时间	-	-	210	ns
tMOSI	数据捕捉建立时间	-	30	-	ns
t1	初始时钟延迟时间	225	-	-	ns
t2	初始输出数据建立时间	-	90	120	ns
t3	通信完成使能保持时间	225	-	-	ns
t4	通信完成输出保持时间	-	90	120	ns
tSyncPulse	同步脉冲周期	520	-	1000	ns

时序参数-SENT 输出

Symbol	参数	测试条件	Min	Typ	Max	单位
TICKtime	Tick 时间		1.5	-	6	us
Nnibble	数据 Nibble 数量		3	6	-	-
Trise	SENT 边沿上升时间	1.1V 和 3.8V 之间	-	12.5	18	us
Tfall	SENT 边沿下降时间	1.1V 和 3.8V 之间	-	5.3	6.5	us
Npp	SENT 帧周期 (无暂停位)		154	-	270	ticks
Ppc	SENT 帧周期 (有暂停位)		282	-	922	ticks
A.1	传感器类型	双节气门位置传感器	-	-	-	-
A.3	传感器类型	单安全传感器	-	-	-	-
TFRAME	SENT 帧周期 (慢速)	标准数据序列(40 帧)	-	691	-	ms
TFRAME	SENT 帧周期 (慢速)	扩展数据序列(24 帧)	-	415	-	ms

时序参数-PSI5 输出

Symbol	参数	测试条件	Min	Typ	Max	单位
Tcycle	通信周期			300		μs
Tcycle	通信周期			500		μs
Tcycle	通信周期			1000		μs
Tbit	位时间	125 kbit/s	7.6	8	8.4	μs
Tbit	位时间	189 kbit/s	5	5.3	5.6	μs
TSHOLD	同步脉冲保持时间		9			μs
TRISE	电流斜率上升时间		0.33		1	μs
TFALL	电流斜率下降时间		0.33		1	μs
MSR	占空比	(tfall, 80 - trise, 20) / TBit；(tfall, 20 - trise, 80) / TBit	47	50	53	%

精度参数-模拟输出

Symbol	参数	测试条件	Min	Typ	Max	单位
RADC	ADC 分辨率		-	15	-	bits
RDAC	模拟输出分辨率		-	12	-	bits
INL	DAC 积分非线性误差		-4	-	4	LSB
DNL	DAC 差分非线性误差		0.05	-	3	LSB
ΔEL_XY	XY 固有线性度误差		-1	-	1	Deg
ΔEL_XZ	XZ 固有线性度误差		-2.5	-	2.5	Deg
ΔEL_YZ	YZ 固有线性度误差		-2.5	-	2.5	Deg
ΔEtemp	角度温度漂移误差	XY	-0.5	-	0.5	Deg
ΔEratio	比例输出错误	4.5V≤VDD≤5.5V	-0.05	0	0.5	%VDD
Npk-pk	输出极噪声		-	0.05	0.2	Deg

精度参数-PWM 输出

Symbol	参数	测试条件	Min	Typ	Max	单位
RSP	PWM 分辨率		-	12	-	bits
JDC	PWM % 占空比抖动(开漏输出)	125Hz,4.7nF,RL=1kΩ,电阻上拉	-	±0.003	±0.016	%DC
JDC	PWM % 占空比抖动(开漏输出)	250Hz,4.7nF,RL=1kΩ,电阻上拉	-	±0.005	±0.02	%DC
JDC	PWM % 占空比抖动(开漏输出)	500Hz,4.7nF,RL=1kΩ,电阻上拉	-	±0.009	±0.035	%DC
JDC	PWM % 占空比抖动(开漏输出)	1000Hz,4.7nF,RL=1kΩ,电阻上拉	-	±0.003	±0.016	%DC
JDC	PWM % 占空比抖动(开漏输出)	2000Hz,4.7nF,RL=1kΩ,电阻上拉	-	±0.005	±0.02	%DC
JDC	PWM % 占空比抖动(推挽输出)	125Hz, 4.7nF, RL=1kΩ, 电阻上拉	-	±0.003	±0.016	%DC
JDC	PWM % 占空比抖动(推挽输出)	250Hz, 4.7nF, RL=1kΩ, 电阻上拉	-	±0.005	±0.02	%DC
JDC	PWM % 占空比抖动(推挽输出)	500Hz, 4.7nF, RL=1kΩ, 电阻上拉	-	±0.009	±0.035	%DC
JDC	PWM % 占空比抖动(推挽输出)	1000Hz, 4.7nF, RL=1kΩ, 电阻上拉	-	±0.003	±0.016	%DC
JDC	PWM % 占空比抖动(推挽输出)	2000Hz, 4.7nF, RL=1kΩ, 电阻上拉	-	±0.005	±0.02	%DC
JPWM	PWM 频率抖动(开漏输出)	125Hz-2000Hz,4.7nF, RL=1kΩ,电阻上拉	-	±0.04	±0.15	Hz
JPWM	PWM 频率抖动(推挽输出)	125Hz-2000Hz,4.7nF, RL=1kΩ,电阻上拉	-	±0.04	±0.15	Hz

磁参数

Symbol	参数	测试条件	Min	Typ	Max	单位
NP	磁极数		-	2	-	-
Bx, By	XY 平面磁场强度	√(Bx²+By²)	-	-	70	mT
Bz	Z 轴磁场强度		-	-	126	mT
BNorm	有用的磁场强度	√(Bx²+By²) (X-Y mode); √(Bx²+(1/GIMC·Bz)²) (X-Z mode); √(By²+(1/GIMC·Bz)²) (Y-Z mode)	10	20	-	mT
GIMC	IMC 增益		-	1.19	-	-
Dmag	磁铁直径		-	8	-	mm
Hmag	磁铁厚度		-	2.5	-	mm
AG	磁铁与芯片间隙		2	-	5	mm
	磁铁材料		-	NdFeB 35	-	-

封装信息 - TSSOP-16 封装尺寸

DEC.2025,Rev.A。e=0.650(BSC)；E 含 0.252(BSC) 标注；尺寸单位 mm

Symbol	参数	Min	Max	单位
A	总高度	-	1.200	mm
A1	底部间隙	0.050	0.150	mm
A2	封装体厚度	0.800	1.000	mm
b	引脚宽度	0.190	0.300	mm
c	引脚厚度	0.090	0.200	mm
D	封装体长度	4.900	5.100	mm
E	含引脚总宽度	6.250	6.550	mm
E1	封装体宽度	4.300	4.500	mm
L	引脚长度	0.500	0.700	mm
θ	引脚角度	1°	7°	°

包装信息 - TSSOP16 编带尺寸

所有尺寸均为标称尺寸。Pin1 Quadrant=Q1

参数	单位
数量	pcs
卷盘直径	mm
卷盘宽度 W1	mm
P0	mm
P1	mm
P2	mm
A0	mm
B0	mm
K0	mm
W	mm

典型应用电路 - 模拟/PWM/SENT TSSOP-16 封装(模拟输出参考值)

对应图29 模拟/PWM TSSOP-16 封装应用参考电路图（模拟输出参考值）

参数	测试条件	Min	Typ	Max
R11, R21	减小 EMC 影响，输出误差增大	-	0Ω	10Ω
R12, R22	减小 EMC 影响，输出误差增大	-	0Ω	51Ω
C11, C21	靠近引脚摆放	100nF	100nF	-
C12, C22	靠近引脚摆放	47nF	100nF	-
C13, C23	靠近引脚摆放	47nF	100nF	220nF
C14, C24	减小 EMC 影响，靠近连接器端摆放	-	1nF	10nF
C15, C25	减小 EMC 影响，靠近连接器端摆放	-	1nF	10nF

技术图

图1 封装示意图（SOP-8 / TSSOP-16 / SIP-3 PCB-less）

图7 上电复位时序

图10 功能框图

技术规格

封装	TG
输出	Analog,PWM,SPI,SENT,PSI5
状态	量产
功能	3D Hall, Programmable
电压范围	3.3~5.5
精度	1 degree
车规等级	AEC-Q100, ASILB
工作温度	-40~160
电流范围	7.5
磁场范围(mT)	20-70

历史版本

版本	日期	说明
Draft	2024-10-28	Draft 初始版本
PreliminaryV_0.1	2025-7-15	Draft 版本更新
PreliminaryV_0.2	2025-8-20	参数更新
PreliminaryV_0.3	2025-10-31	更新 SIP3 引脚图，用户编程参数等

产品资料

SC69431S3/SC69431TG/SC69431DC 中文规格书

pdf · 3.8 MB

SC69431S3/SC69431TG/SC69431DC 英文规格书

pdf · 1.9 MB