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SC69431S3

SC69431S3

3D 高精度角度位置传感器 IC

赛卓磁性角度传感器 IC 可实现对磁铁慢速旋转角度的精准检测,支持工厂或客户通过可编程配置输出模拟、PWM、PSI5、SPI、SENT 等信号;该产品符合车规级可靠性标准,能适应高温、振动、电磁干扰等极端工作环境,广泛应用于汽车电子动力转向、油门踏板、变速箱以及工业液压控制阀、机器人关节等场景。

角度位置传感器3D 磁感应 IMCSIP-3 封装车规 AEC-Q100ASIL B多协议输出
一级分类
角度传感器 IC
二级分类
磁性角度传感器
资源数量
2 项

核心参数

工作温度范围
-40~160°C
宽工作温度
XY 固有线性度误差
±1Deg
ΔEL_XY
工作电流 IDD
7.5mA
单路 SOP-8 典型值
ADC 分辨率
15bits
RADC 典型值
模拟输出分辨率
12bits
RDAC 典型值
功能安全等级
ASIL B
符合 ISO 26262
输出协议
5
模拟/PWM/SPI/SENT/PSI5
有用磁场强度 BNorm
10~20mT
min~典型

产品特性

3D Hall, Programmable

典型应用

油门踏板传感器方向盘转角传感器换挡器档位位置检测节气门和废气再循环阀涡轮增压执行器旋钮开关车身高度3D 手柄

引脚定义

引脚序号说明
VDD1电源输入/PSI5-OUT
VSS3
OUT5模拟输出;PWM;SENT

订购信息

订购型号灵敏度温度范围封装包装数量
SC69431S3-000-TR-Q模拟输出-40~160单路 SIP-3卷带2600 颗/卷
SC69431S3-001-TR-QSENT-40~160单路 SIP-3卷带2600 颗/卷
SC69431S3-PSI-TR-QPSI5-40~160单路 SIP-3卷带2600 颗/卷
订购编号说明
SC69431DC-SPI-TR-Q
SC69431
产品系列名称
3D 高精度角度位置传感器 IC
DC/TG/S3
封装形式
DC: SOP-8 封装;TG: TSSOP-16 封装;S3: SIP-3 封装
000/001/SPI/PSI
选项(输出接口)
000: 默认缺省模拟输出;001: 缺省 SENT 接口;SPI: 缺省 SPI 接口;PSI: 缺省 PSI5 接口
TR
包装选项
TR: 卷带
Q
产品等级
Q: 车规级

参数规格

极限参数

工作的自然温度范围内(除非另有说明)。(1) 高于此处列出的压力可能会导致器件永久损坏,长时间暴露在绝对最大额定值条件下可能会影响器件的可靠性

Symbol参数测试条件MinMax单位
VDD电源端电压t<48h-1428V
VDD电源端电压t<60s-1837V
VOUT模拟输出电压t<48h-1024V
VOUT模拟输出电压t<60s-1030V
VspiOUTSPI 输出电压-0.38V
IR反向输出电流40mA
TA工作温度-40160°C
TSTG储存温度-40160°C
H磁场强度-11T

静电保护

Symbol参数测试条件MinMax单位
VESDHBMHBM参照 AEC-Q100-002E HBM 标准(SOP8/TSSOP16 封装)-44kV
VESDHBMHBM参照 AEC-Q100-002E HBM 标准(SIP3 封装)-88kV
VESDCDMCDM参照 AEC-Q100-011C CDM 标准-750750V

双芯片隔离参数

Symbol参数Min单位
IsoR隔离电阻4

工作参数-电参数

工作条件: TAMB = -40~160°C, VDD = 4.5~5.5V, 除非另有说明

Symbol参数测试条件MinTypMax单位
VDD工作电压5V 模式4.55.05.5V
VDD3.3V工作电压VREG 及 VDD 同时接 3.3V, UVLO_3P5EN=13.153.33.6V
VDD工作电压PSI54.112V
IDD工作电流单路 SOP-8-7.510mA
Isurge开机冲击电流单路 SOP-8--25mA
IOCP电流过流报警单路 SOP-8-2535mA
IERRSTART启动电流误差PSI5-2-2mA
ΔISSINK 电流PSI5-正常功耗模式222630mA
ΔISSINK 电流PSI5-低功耗模式111315mA
ISDRIFT静态电流偏移PSI5-44mA
VREG稳压电压5V 模式3.133.33.47V
VREGOVP稳压电压过高检测5V 模式3.53.73.89V
VREGUVL稳压电压过低检测5V 模式2.82.93.0V
VDDstartH启动电压5V 模式3.8V
VDDstartHyst启动电压迟滞5V 模式100mV
VUVLO欠压检测电压UVLO_3P3=03.83.94.1V
VUVLO欠压检测电压UVLO_3P3=12.62.83.0V
VUVLOHYS欠压检测迟滞50100200mV
VOVP过压保护电压6.06.26.5V
VOVP过压保护电压PSI5222426V
VOVPHYST过压检测迟滞50200mV
VOVPHYST过压检测迟滞PSI50.81.42.0V
Ishort输出短路电流短路至地,模拟输出--15mA
Ishort输出短路电流短路至地,PWM, SENT 推挽输出--30mA
Ishort输出短路电流短路至电源,模拟输出--15mA
Ishort输出短路电流短路至电源,PWM, SENT 推挽输出--30mA
RL模拟输出负载电阻上拉电阻,连接到电源4.710-
RL模拟输出负载电阻下拉电阻,连接到地4.710-

工作参数-电参数(续)

(1) SC69431 可满足如图 6 所示典型应用输出范围

Symbol参数测试条件MinTypMax单位
RLPWMPWM 输出负载电阻上拉电阻,连接到电源1--
RLPWMPWM 输出负载电阻下拉电阻,连接到地1--
Vsatlo模拟输出饱和电平上拉电阻 R≥10k,连接到电源-0.52%VDD
Vsatlo模拟输出饱和电平上拉电阻 R≥4.7k,连接到电源-2.53%VDD
Vsathi模拟输出饱和电平下拉电阻 R≥4.7k,连接到地9598%VDD
Vsathi模拟输出饱和电平下拉电阻 R≥10k,连接到地9799%VDD
VsatDlo数字输出电平下拉电阻 R≥10k,连接到电源-0.51%VDD
VsatDlo数字输出电平上拉电阻 R≥1k,连接到电源-610%VDD
VsatDhi数字输出电平下拉电阻 R≥1k,连接到地8590-%VDD
VsatDhi数字输出电平下拉电阻 R≥10k,连接到地97.598%VDD
Dsatlo主动诊断输出电平上拉电阻 R≥10k-0.51%VDD
Dsatlo主动诊断输出电平上拉电阻 R≥4.7k-12%VDD
Dsathi主动诊断输出电平下拉电阻 R≥10k97.598.5%VDD
Dsathi主动诊断输出电平下拉电阻 R≥4.7k9597%VDD
BVSSPD被动诊断输出电平(开路)VSS 开路,下拉电阻,R≤10k-0.51.6%VDD
BVSSPU被动诊断输出电平(开路)VSS 开路,上拉电阻,R≥1k,上拉到 5V99.5100%VDD
BVDDPD被动诊断输出电平(开路)VDD 开路,下拉电阻,R≥1k-00.5%VDD
BVDDPU被动诊断输出电平(开路)VDD 开路,上拉电阻,R≤10k,上拉到 5V9799.5%VDD
Clamplo可编程钳位电压可编程0-100%VDD
Clamphi可编程钳位电压可编程0-100%VDD

时序参数-基本时序

Symbol参数测试条件MinTypMax单位
FCK主时钟频率全温测试7.88.28.5MHz
ΔFCK,T主时钟频率温度偏移-33%FCK
Tper数据刷新频率-200250μs
Ts阶跃响应时间-400500μs
TPOR上电复位-40-μs
TINIT初始化时间-35ms

时序参数-EEPROM 时序

Symbol参数MinTypMax单位
tPS上电复位时间-100-μs
tPW上电复位时间-100-μs
TIDLE待机时间-20-ms

时序参数-PWM 输出

Symbol参数测试条件MinTypMax单位
FPWMPWM 频率频率基础范围100-2000Hz
FPWMInit初始 PWM 频率精度25°C--±2%FPWM
FPWMInit初始 PWM 频率精度25°C--±1%FPWM
ΔFPWMPWM 频率温漂PWM 频率温漂--±3%FPWM
TriseLSDPWM 输出上升时间(开漏输出)4.7nF, RL=1kΩ 上拉-10-μs
TriseLSDPWM 输出上升时间(开漏输出)10nF, RL=1kΩ 上拉-20-μs
TrisePPPWM 输出上升时间(推挽输出)4.7nF, RL=1kΩ 上拉-3-μs
TrisePPPWM 输出上升时间(推挽输出)10nF, RL=1kΩ 上拉-4-μs
TfallLSDPWM 输出下降时间(开漏输出)4.7nF, RL=1kΩ 上拉-2-μs
TfallLSDPWM 输出下降时间(开漏输出)10nF, RL=1kΩ 上拉-4-μs
TfallPPPWM 输出下降时间(推挽输出)4.7nF, RL=1kΩ 上拉-2-μs
TfallPPPWM 输出下降时间(推挽输出)10nF, RL=1kΩ 上拉-4-μs

时序参数-SPI 输出

Symbol参数MinTypMax单位
VIH高电平输入电压0.6*VDD-VDDV
VIL低电平输入电压0-0.4*VDDV
VIH高电平输出电压VDD-0.4-VDDV
VIL低电平输出电压0-VSS+0.4V
tSCLK时钟周期450500-ns
tSCLKLO时钟低电平225--ns
tSCLKHI时钟高电平225--ns
tMISO输出数据延迟时间--210ns
tMOSI数据捕捉建立时间-30-ns
t1初始时钟延迟时间225--ns
t2初始输出数据建立时间-90120ns
t3通信完成使能保持时间225--ns
t4通信完成输出保持时间-90120ns
tSyncPulse同步脉冲周期520-1000ns

时序参数-SENT 输出

Symbol参数测试条件MinTypMax单位
TICKtimeTick 时间1.5-6us
Nnibble数据 Nibble 数量36--
TriseSENT 边沿上升时间1.1V 和 3.8V 之间-12.518us
TfallSENT 边沿下降时间1.1V 和 3.8V 之间-5.36.5us
NppSENT 帧周期 (无暂停位)154-270ticks
PpcSENT 帧周期 (有暂停位)282-922ticks
A.1传感器类型双节气门位置传感器----
A.3传感器类型单安全传感器----
TFRAMESENT 帧周期 (慢速)标准数据序列(40 帧)-691-ms
TFRAMESENT 帧周期 (慢速)扩展数据序列(24 帧)-415-ms

时序参数-PSI5 输出

Symbol参数测试条件MinTypMax单位
Tcycle通信周期300μs
Tcycle通信周期500μs
Tcycle通信周期1000μs
Tbit位时间125 kbit/s7.688.4μs
Tbit位时间189 kbit/s55.35.6μs
TSHOLD同步脉冲保持时间9μs
TRISE电流斜率上升时间0.331μs
TFALL电流斜率下降时间0.331μs
MSR占空比(tfall, 80 - trise, 20) / TBit; (tfall, 20 - trise, 80) / TBit475053%

精度参数-模拟输出

Symbol参数测试条件MinTypMax单位
RADCADC 分辨率-15-bits
RDAC模拟输出分辨率-12-bits
INLDAC 积分非线性误差-4-4LSB
DNLDAC 差分非线性误差0.05-3LSB
ΔELXYXY 固有线性度误差-1-1Deg
ΔELXZXZ 固有线性度误差-2.5-2.5Deg
ΔELYZYZ 固有线性度误差-2.5-2.5Deg
ΔEtemp角度温度漂移误差XY-0.5-0.5Deg
ΔEratio比例输出错误4.5V≤VDD≤5.5V-0.0500.5%VDD
Npk-pk输出极噪声-0.050.2Deg

精度参数-PWM 输出

Symbol参数测试条件MinTypMax单位
RSPPWM 分辨率-12-bits
JDCPWM % 占空比抖动(开漏输出)125Hz,4.7nF,RL=1kΩ,电阻上拉-±0.003±0.016%DC
JDCPWM % 占空比抖动(开漏输出)250Hz,4.7nF,RL=1kΩ,电阻上拉-±0.005±0.02%DC
JDCPWM % 占空比抖动(开漏输出)500Hz,4.7nF,RL=1kΩ,电阻上拉-±0.009±0.035%DC
JDCPWM % 占空比抖动(开漏输出)1000Hz,4.7nF,RL=1kΩ,电阻上拉-±0.003±0.016%DC
JDCPWM % 占空比抖动(开漏输出)2000Hz,4.7nF,RL=1kΩ,电阻上拉-±0.005±0.02%DC
JDCPWM % 占空比抖动(推挽输出)125Hz,4.7nF,RL=1kΩ,电阻上拉-±0.003±0.016%DC
JDCPWM % 占空比抖动(推挽输出)250Hz,4.7nF,RL=1kΩ,电阻上拉-±0.005±0.02%DC
JDCPWM % 占空比抖动(推挽输出)500Hz,4.7nF,RL=1kΩ,电阻上拉-±0.009±0.035%DC
JDCPWM % 占空比抖动(推挽输出)1000Hz,4.7nF,RL=1kΩ,电阻上拉-±0.003±0.016%DC
JDCPWM % 占空比抖动(推挽输出)2000Hz,4.7nF,RL=1kΩ,电阻上拉-±0.005±0.02%DC
JPWMPWM 频率抖动(开漏输出)125Hz-2000Hz,4.7nF,RL=1kΩ,电阻上拉-±0.04±0.15Hz
JPWMPWM 频率抖动(推挽输出)125Hz-2000Hz,4.7nF,RL=1kΩ,电阻上拉-±0.04±0.15Hz

磁参数

Symbol参数测试条件MinTypMax单位
NP磁极数-2-
Bx, ByXY 平面磁场强度√(Bx²+By²)--70mT
BzZ 轴磁场强度--126mT
BNorm有用的磁场强度√(Bx²+By²) (X-Y mode); √(Bx²+(Bz/GIMC)²) (X-Z mode); √(By²+(Bz/GIMC)²) (Y-Z mode)1020-mT
GIMCIMC 增益-1.19-
Dmag磁铁直径-8-mm
Hmag磁铁厚度-2.5-mm
AG磁铁与芯片间隙2-5mm
磁铁材料-NdFeB 35-

SIP-3 单芯片应用参考值-模拟输出

对应图 34 SIP-3 单芯片封装应用参考电路图(VCC/VREG/GND/NC/OUT)

Symbol参数MinTypMax
C1电容 C1100nF-
C2电容 C2-100nF-
C3电容 C3-100nF-
C4电容 C42.2nF-

SIP-3 单芯片应用参考值-PWM 输出

Symbol参数MinTypMax
C1电容 C1-100nF-
C2电容 C2-100nF-
C3电容 C3-2.2nF-
C4电容 C42.2nF-

SIP-3 单芯片应用参考值-SENT 输出

Symbol参数MinTypMax
C1电容 C1-100nF-
C2电容 C2-100nF-
C3电容 C3-2.2nF-
C4电容 C42.2nF-

SIP-3 单芯片应用参考值-PSI5 输出

Symbol参数MinTypMax
C1电容 C1-10nF-
C2电容 C2-100nF-
C3电容 C3100nF-
C4电容 C40nF

封装信息-SIP-3 封装尺寸

SIP-3L 封装外形图,单位 mm;DEC.2025, Rev.A

SymbolMinTypMax单位
E7.237.337.43mm
E15.235.335.43mm
E20.901.001.10mm
E32.052.152.25mm
E41.201.301.40mm
E51.151.251.35mm
b0.330.430.53mm
b10.400.500.60mm
c-0.36-mm
D7.257.357.45mm
D13.853.954.05mm
D21.801.902.00mm
D34.054.154.25mm
D40.200.300.40mm
D50.140.150.16mm
(D)-0.30-mm
A1.651.751.85mm
A11.001.101.20mm
e2.54 TYP.mm
e11.27 TYP.mm
L18.9019.9020.90mm
L13.904.004.10mm
L20.901.001.10mm
θ17° TYP.°
θ230° TYP.°
θ37° TYP.°

包装信息-SIP3 编带尺寸

所有尺寸均为标称尺寸

参数单位
卷盘直径mm
卷盘宽度 W1mm
P0mm
P1mm
P2mm
A0mm
B0mm
K0mm
Wmm

技术图

TOP VIEW0.953.00 / 2.603.02 / 2.821.72 / 1.52SIDE VIEW1.25 Max0.10L 0.60 / 0.30单位:mm · 未标公差为公称尺寸 · 高度不包括模具浇口溢料
图1 封装示意图(SOP-8 / TSSOP-16 / SIP-3 PCB-less)
tPOt1t2VCC(min)VCC90% VOUTV
图7 上电复位时序
SC4723VDDGNDHall霍尔片Modulator调制OPADemodulator解调Buffer缓冲OUT
图10 功能框图

技术规格

封装S3
输出Analog,PWM,SPI,SENT,PSI5
状态量产
功能3D Hall, Programmable
电压范围3.3~5.5
精度1 degree
车规等级AEC-Q100, ASILB
工作温度-40~160
电流范围7.5
磁场范围(mT)20-70

历史版本

版本日期说明
Draft2024-10-28Draft 初始版本
PreliminaryV_0.12025-7-15Draft 版本更新
PreliminaryV_0.22025-8-20参数更新
PreliminaryV_0.32025-10-31更新 SIP3 引脚图,用户编程参数等

产品资料

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