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SC69431DC

SC69431DC

车规级 IMC 3D 高精度角度位置传感器 IC

赛卓磁性角度传感器 IC 可实现对磁铁慢速旋转角度的精准检测,支持工厂或客户通过可编程配置输出模拟、PWM、PSI5、SPI、SENT 等信号;该产品符合车规级可靠性标准,能适应高温、振动、电磁干扰等极端工作环境,广泛应用于汽车电子动力转向、油门踏板、变速箱以及工业液压控制阀、机器人关节等场景。

3D 角度位置传感器IMC 集磁片感应AEC-Q100ISO 26262 ASIL-B多接口输出SOP-8
一级分类
角度传感器 IC
二级分类
磁性角度传感器
资源数量
2 项

核心参数

工作温度 TA
−40~160
宽温车规
功能安全等级
ASILB
ISO 26262
工作电压 VDD
4.5~5.5V
5V 模式
工作电流 IDD
7.5mA
单路 SOP-8 典型
主时钟频率 FCK
8.2MHz
全温典型
数据刷新周期 Tper
200µs
典型值
XY 固有线性度
±1Deg
XY 平面
封装
SOP-8
单路 · 无铅 RoHS

产品特性

3D Hall, Programmable

典型应用

油门踏板传感器方向盘转角传感器换挡器档位位置检测节气门和废气再循环阀涡轮增压执行器旋钮开关车身高度3D 手柄

引脚定义

引脚序号说明
VDD1电源;电源输入
MISO2测试/数字输出;测试引脚,接地;MISO:SPI 的主进从出数据引脚
Test3测试;测试引脚,接地
SCLK4测试/数字输入;测试引脚,接地;SCLK:SPI 时钟信号输入
OUT/CS5输出/数字输入;模拟输出;PWM;SENT;CS:SPI 使能输入引脚
MOSI6测试/数字输入;测试引脚,接地;SPI_MOSI:SPI 的主出从进数据引脚
VREG7电源输出;内部电源
VSS8地;地

订购信息

订购型号灵敏度温度范围封装包装数量
SC69431DC-000-TR-Q模拟输出−40~160SOP-8卷带4000 颗/卷
SC69431DC-SPI-TR-QSPI−40~160SOP-8卷带4000 颗/卷
SC69431DC-PSI-TR-QPSI5−40~160SOP-8卷带4000 颗/卷
订购编号说明
SC69431DC-SPI-TR-Q
SC69431
产品系列名称
IMC 3D 高精度角度位置传感器
DC
封装形式
SOP-8 封装(TG:TSSOP-16;S3:SIP-3)
SPI
选项
缺省 SPI 接口(000:默认缺省模拟输出;001:缺省 SENT 接口;PSI:缺省 PSI5 接口)
TR
包装选项
卷带
Q
产品等级
车规级

参数规格

极限参数

工作的自然温度范围内(除非另有说明)。高于此处列出的压力可能会导致器件永久损坏,长时间暴露在绝对最大额定值条件下可能会影响器件的可靠性。

Symbol参数测试条件MinMax单位
VDD电源端电压t<48h−1428V
VDD电源端电压t<60s−1837V
VOUT模拟输出电压t<48h−1024V
VOUT模拟输出电压t<60s−1030V
VspiOUTSPI 输出电压−0.38V
IR反向输出电流40mA
TA工作温度−40160
TSTG储存温度−40160
H磁场强度−11T

静电保护

Symbol参数测试条件MinMax单位
VESDHBMHBM参照 AEC-Q100-002E HBM 标准(SOP8/TSSOP16 封装)−44kV
VESDHBMHBM参照 AEC-Q100-002E HBM 标准(SIP3 封装)−88kV
VESDCDMCDM参照 AEC-Q100-011C CDM 标准−750750V

双芯片隔离参数

Symbol参数Min单位
IsoR隔离电阻4

电参数

工作条件:TAMB = −40~160℃,VDD = 4.5~5.5V,除非另有说明。SC69431 可满足图6所示典型应用输出范围。

Symbol参数测试条件MinTypMax单位
VDD工作电压5V 模式4.55.05.5V
VDD3.3V工作电压VREG 及 VDD 同时接 3.3V,UVLO_3P5EN=13.153.33.6V
VDD工作电压PSI54.112V
IDD工作电流单路 SOP-87.510mA
Isurge开机冲击电流单路 SOP-825mA
IOCP电流过流报警单路 SOP-82535mA
IERRSTART启动电流误差PSI5−22mA
ΔISSINK 电流PSI5-正常功耗模式222630mA
ΔISSINK 电流PSI5-低功耗模式111315mA
ISDRIFT静态电流偏移PSI5−44mA
VREG稳压电压5V 模式3.133.33.47V
VREGOVP稳压电压过高检测5V 模式3.53.73.89V
VREGUVL稳压电压过低检测5V 模式2.82.93.0V
VDDstartH启动电压5V 模式3.8V
VDDstartHyst启动电压迟滞5V 模式100mV
VUVLO欠压检测电压UVLO_3P3=03.83.94.1V
VUVLO欠压检测电压UVLO_3P3=12.62.83.0V
VUVLOHYS欠压检测迟滞50100200mV
VOVP过压保护电压6.06.26.5V
VOVP过压保护电压PSI5222426V
VOVPHYST过压检测迟滞50200mV
VOVPHYST过压检测迟滞PSI50.81.42.0V
Ishort输出短路电流短路至地,模拟输出15mA
Ishort输出短路电流短路至地,PWM,SENT 推挽输出30mA
Ishort输出短路电流短路至电源,模拟输出15mA
Ishort输出短路电流短路至电源,PWM,SENT 推挽输出30mA
RL模拟输出负载电阻上拉电阻,连接到电源4.710
RL模拟输出负载电阻下拉电阻,连接到地4.710
RLPWMPWM 输出负载电阻上拉电阻,连接到电源1
RLPWMPWM 输出负载电阻下拉电阻,连接到地1
Vsatlo模拟输出饱和电平上拉电阻 R≥10k,连接到电源0.52%VDD
Vsatlo模拟输出饱和电平上拉电阻 R≥4.7k,连接到电源2.53%VDD
Vsathi模拟输出饱和电平下拉电阻 R≥4.7k,连接到地9598%VDD
Vsathi模拟输出饱和电平下拉电阻 R≥10k,连接到地9799%VDD
VsatDlo数字输出电平下拉电阻 R≥10k,连接到电源0.51%VDD
VsatDlo数字输出电平上拉电阻 R≥1k,连接到电源610%VDD
VsatDhi数字输出电平下拉电阻 R≥1k,连接到地8590%VDD
VsatDhi数字输出电平下拉电阻 R≥10k,连接到地97.598%VDD
Dsatlo主动诊断输出电平上拉电阻 R≥10k0.51%VDD
Dsatlo主动诊断输出电平上拉电阻 R≥4.7k12%VDD
Dsathi主动诊断输出电平下拉电阻 R≥10k97.598.5%VDD
Dsathi主动诊断输出电平下拉电阻 R≥4.7k9597%VDD
BVSSPD被动诊断输出电平(开路)VSS 开路,下拉电阻,R≤10k0.51.6%VDD
BVSSPU被动诊断输出电平(开路)VSS 开路,上拉电阻,R≥1k,上拉到 5V99.5100%VDD
BVDDPD被动诊断输出电平(开路)VDD 开路,下拉电阻,R≥1k00.5%VDD
BVDDPU被动诊断输出电平(开路)VDD 开路,上拉电阻,R≤10k,上拉到 5V9799.5%VDD
Clamplo可编程钳位电压可编程0100%VDD
Clamphi可编程钳位电压可编程0100%VDD

时序参数-基本时序

Symbol参数测试条件MinTypMax单位
FCK主时钟频率全温测试7.88.28.5MHz
ΔFCK,T主时钟频率温度偏移−33%FCK
Tper数据刷新频率200250µs
Ts阶跃响应时间400500µs
TPOR上电复位40µs
TINIT初始化时间35ms

时序参数-EEPROM 时序

Symbol参数Typ单位
tPS上电复位时间100µs
tPW上电复位时间100µs
TIDLE待机时间20ms

时序参数-PWM 输出

Symbol参数测试条件MinTypMax单位
FPWMPWM 频率频率基础范围1002000Hz
FPWMInit初始 PWM 频率精度25℃±2%FPWM
FPWMInit初始 PWM 频率精度25℃±1%FPWM
ΔFPWMPWM 频率温漂PWM 频率温漂±3%FPWM
TriseLSDPWM 输出上升时间(开漏输出)4.7nF,RL=1kΩ 上拉10µs
TriseLSDPWM 输出上升时间(开漏输出)10nF,RL=1kΩ 上拉20µs
TrisePPPWM 输出上升时间(推挽输出)4.7nF,RL=1kΩ 上拉3µs
TrisePPPWM 输出上升时间(推挽输出)10nF,RL=1kΩ 上拉4µs
TfallLSDPWM 输出下降时间(开漏输出)4.7nF,RL=1kΩ 上拉2µs
TfallLSDPWM 输出下降时间(开漏输出)10nF,RL=1kΩ 上拉4µs
TfallPPPWM 输出下降时间(推挽输出)4.7nF,RL=1kΩ 上拉2µs
TfallPPPWM 输出下降时间(推挽输出)10nF,RL=1kΩ 上拉4µs

时序参数-SPI 输出

Symbol参数MinTypMax单位
VIH高电平输入电压0.6*VDDVDDV
VIL低电平输入电压00.4*VDDV
VIH高电平输出电压VDD−0.4VDDV
VIL低电平输出电压0VSS+0.4V
tSCLK时钟周期450500ns
tSCLKLO时钟低电平225ns
tSCLKHI时钟高电平225ns
tMISO输出数据延迟时间210ns
tMOSI数据捕捉建立时间30ns
t1初始时钟延迟时间225ns
t2初始输出数据建立时间90120ns
t3通信完成使能保持时间225ns
t4通信完成输出保持时间90120ns
tSyncPulse同步脉冲周期5201000ns

时序参数-SENT 输出

Symbol参数测试条件MinTypMax单位
TICKtimeTick 时间1.56us
Nnibble数据 Nibble 数量36
TriseSENT 边沿上升时间1.1V 和 3.8V 之间12.518us
TfallSENT 边沿下降时间1.1V 和 3.8V 之间5.36.5us
NppSENT 帧周期(无暂停位)154270ticks
PpcSENT 帧周期(有暂停位)282922ticks
A.1传感器类型双节气门位置传感器
A.3传感器类型单安全传感器
TFRAMESENT 帧周期(慢速)标准数据序列(40 帧)691ms
TFRAMESENT 帧周期(慢速)扩展数据序列(24 帧)415ms

时序参数-PSI5 输出

Symbol参数测试条件MinTypMax单位
Tcycle通信周期300µs
Tcycle通信周期500µs
Tcycle通信周期1000µs
Tbit位时间125 kbit/s7.688.4µs
Tbit位时间189 kbit/s55.35.6µs
TSHOLD同步脉冲保持时间9µs
TRISE电流斜率上升时间0.331µs
TFALL电流斜率下降时间0.331µs
MSR占空比(tfall,80 − trise,20)/TBit;(tfall,20 − trise,80)/TBit475053%

精度参数-模拟输出

Symbol参数测试条件MinTypMax单位
RADCADC 分辨率15bits
RDAC模拟输出分辨率12bits
INLDAC 积分非线性误差−44LSB
DNLDAC 差分非线性误差0.053LSB
ΔELXYXY 固有线性度误差−11Deg
ΔELXZXZ 固有线性度误差−2.52.5Deg
ΔELYZYZ 固有线性度误差−2.52.5Deg
ΔEtemp角度温度漂移误差XY−0.50.5Deg
ΔEratio比例输出错误4.5V≤VDD≤5.5V−0.0500.5%VDD
Npk-pk输出极噪声0.050.2Deg

精度参数-PWM 输出

Symbol参数测试条件MinTypMax单位
RSPPWM 分辨率12bits
JDCPWM % 占空比抖动(开漏输出)125Hz,4.7nF,RL=1kΩ,电阻上拉±0.003±0.016%DC
JDCPWM % 占空比抖动(开漏输出)250Hz,4.7nF,RL=1kΩ,电阻上拉±0.005±0.02%DC
JDCPWM % 占空比抖动(开漏输出)500Hz,4.7nF,RL=1kΩ,电阻上拉±0.009±0.035%DC
JDCPWM % 占空比抖动(开漏输出)1000Hz,4.7nF,RL=1kΩ,电阻上拉±0.003±0.016%DC
JDCPWM % 占空比抖动(开漏输出)2000Hz,4.7nF,RL=1kΩ,电阻上拉±0.005±0.02%DC
JDCPWM % 占空比抖动(推挽输出)125Hz,4.7nF,RL=1kΩ,电阻上拉±0.003±0.016%DC
JDCPWM % 占空比抖动(推挽输出)250Hz,4.7nF,RL=1kΩ,电阻上拉±0.005±0.02%DC
JDCPWM % 占空比抖动(推挽输出)500Hz,4.7nF,RL=1kΩ,电阻上拉±0.009±0.035%DC
JDCPWM % 占空比抖动(推挽输出)1000Hz,4.7nF,RL=1kΩ,电阻上拉±0.003±0.016%DC
JDCPWM % 占空比抖动(推挽输出)2000Hz,4.7nF,RL=1kΩ,电阻上拉±0.005±0.02%DC
JPWMPWM 频率抖动(开漏输出)125Hz-2000Hz,4.7nF,RL=1kΩ,电阻上拉±0.04±0.15Hz
JPWMPWM 频率抖动(推挽输出)125Hz-2000Hz,4.7nF,RL=1kΩ,电阻上拉±0.04±0.15Hz

技术图

123VDD电源供电OUT模拟量输出GND电源地
图3 · SOP-8 引脚描述
SC4723VDDGNDHall霍尔片Modulator调制OPADemodulator解调Buffer缓冲OUT
图10 · 功能框图
VCC85%·VCC10%·VCCVOUT (V)B (Gs)N 极B = 0S 极
图6 · 典型应用输出范围
tPOt1t2VCC(min)VCC90% VOUTV
图7 · 上电复位时序
tpdtrApplied FieldOutput90%10%%
图9 · SPI 时序
SC4723VDDOUTGND100nFSupply Voltage输出
图28 · 模拟/PWM SOP-8 封装应用参考电路图
TOP VIEW0.953.00 / 2.603.02 / 2.821.72 / 1.52SIDE VIEW1.25 Max0.10L 0.60 / 0.30单位:mm · 未标公差为公称尺寸 · 高度不包括模具浇口溢料
图35 · SOP-8 封装尺寸

技术规格

封装DC
输出Analog,PWM,SPI,SENT,PSI5
状态量产
功能3D Hall, Programmable
电压范围3.3~5.5
精度1 degree
车规等级AEC-Q100, ASILB
工作温度-40~160
电流范围7.5
磁场范围(mT)20-70

历史版本

版本日期说明
Draft2024-10-28Draft 初始版本
Preliminary V_0.12025-07-15Draft 版本更新
Preliminary V_0.22025-08-20参数更新
Preliminary V_0.32025-10-31更新 SIP3 引脚图,用户编程参数等

产品资料

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