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SC69411DC

SC69411DC

高精度磁性角度传感器 IC(SOP8 单路)

赛卓磁性角度传感器 IC 可实现对磁铁慢速旋转角度的精准检测,支持工厂或客户通过可编程配置输出模拟、PWM、PSI5、SPI、SENT 等信号;该产品符合车规级可靠性标准,能适应高温、振动、电磁干扰等极端工作环境,广泛应用于汽车电子动力转向、油门踏板、变速箱以及工业液压控制阀、机器人关节等场景。

角度传感器差分霍尔AEC-Q100 Grade0ISO26262 ASIL-B多协议输出SOP8
一级分类
角度传感器 IC
二级分类
磁性角度传感器
资源数量
2 项

核心参数

角度量程
360°
绝对角度可编程
角度偏移误差 ΔEang
±1Deg
全温
ADC 分辨率 RADC
15bits
内部采样
工作温度 TA
−40~150
宽温车规
工作电压 VDD
4.5–5.5V
5V 模式
工作电流 IDD
8mA
单路 SOP8 典型
数据刷新周期 Tper
128µs
典型
输出模式
4
模拟/PWM/SENT/PSI5

产品特性

2D Hall, Programmable

典型应用

非接触式绝对角度位置检测油门踏板传感器换挡器档位位置检测节气门和 EGR 阀角度位置检测车身高度传感器旋钮开关角度位置检测

引脚定义

引脚序号说明
VSS1
VDD2电源输入
VREG3内部电源(电源输出)
NC4接地
NC5接地
SDA6测试引脚,接地
OUT7模拟输出;PWM;SENT(输出/数字输入)
SCL8测试引脚,接地

订购信息

订购型号灵敏度温度范围封装包装数量
SC69411DC-000-TR-Q模拟−40~150SOP8编带4000 颗/盘
SC69411DC-PSI-TR-QPSI−40~150SOP8编带4000 颗/盘
订购编号说明
SC69411DC-PSI-TR-Q
SC69411
产品系列名称
高精度磁性角度传感器
DC
封装形式
SOP8 封装
PSI
选项
PSI: 缺省 PSI5 接口;000: 默认缺省模拟输出
TR
包装方式
编带
Q
产品等级
车规级

参数规格

极限参数

工作的自然温度范围内(除非另有说明)。高于此处列出的压力可能会导致器件永久损坏,长时间暴露在绝对最大额定值条件下可能会影响器件的可靠性。

Symbol参数测试条件MinMax单位
VDD电源端电压t<48h−1428V
VDD电源端电压t<60s−1837V
VOUT模拟输出电压t<48h−1024V
VOUT模拟输出电压t<60s−1030V
IR反向输出电流40mA
TA工作温度−40150
TSTG储存温度−65165
H磁场强度−11T

静电保护

Symbol参数测试条件MinMax单位
VESDHBMHBM 人体放电模型参照 AEC-Q100-002E HBM 标准,R=1.5kΩ,C=100pF−66kV
VESDCDMCDM 充放电模型参照 AEC-Q100-011C CDM 标准−750750V

工作参数 · 电参数

Symbol参数测试条件MinTypMax单位
VDD工作电压5V 模式4.55.05.5V
VDD3.3V工作电压VREG 及 VDD 同时接 3.3V,UVLO_3P5EN=13.153.33.6V
VDD工作电压PSI54.112V
IDD工作电流单路 SOP8810mA
Isurge开机冲击电流单路 SOP825mA
IOCP电流过流报警单路 SOP82535mA
IERRSTART启动电流误差PSI5−22mA
ΔIS灌电流PSI5-正常功耗模式222630mA
ΔIS灌电流PSI5-低功耗模式111315mA
ISDRIFT静态电流偏移PSI5−44mA
VREG稳压电压5V 模式3.133.33.47V
VREGOVP稳压电压过高检测5V 模式3.53.73.89V
VREGUVL稳压电压过低检测5V 模式2.82.93.0V
VDDstartH启动电压5V 模式3.8V
VDDstartHyst启动电压迟滞5V 模式100mV
VUVLO欠压检测电压UVLO_3P3=03.83.94.1V
VUVLOHYS欠压检测迟滞50100200mV
VOVP过压保护电压6.06.26.4V
VOVP过压保护电压PSI5222426V
VOVPHYST过压检测迟滞50200mV
VOVPHYST过压检测迟滞PSI50.81.42.0V
Ishort输出短路电流短路至地,模拟输出15mA
Ishort输出短路电流短路至地,PWM/SENT 推挽输出30mA
Ishort输出短路电流短路至电源,模拟输出15mA
Ishort输出短路电流短路至电源,PWM/SENT 推挽输出30mA
RL模拟输出负载电阻上拉电阻,连接到电源4.710
RL模拟输出负载电阻下拉电阻,连接到地4.710
RLPWMPWM 输出负载电阻上拉电阻,连接到电源1
RLPWMPWM 输出负载电阻下拉电阻,连接到地1

工作参数 · 电参数(续,输出电平)

Symbol参数测试条件MinTypMax单位
Vsatlo模拟输出饱和电平上拉电阻 R≥10kΩ,连接到电源0.52%VDD
Vsatlo模拟输出饱和电平上拉电阻 R≥4.7kΩ,连接到电源2.53%VDD
Vsathi模拟输出饱和电平下拉电阻 R≥4.7kΩ,连接到地9598%VDD
Vsathi模拟输出饱和电平下拉电阻 R≥10kΩ,连接到地9799%VDD
VsatDlo数字输出电平下拉电阻 R≥10kΩ,连接到电源0.51%VDD
VsatDlo数字输出电平上拉电阻 R≥1kΩ 连接到电源2.54%VDD
VsatDhi数字输出电平下拉电阻 R≥1kΩ,连接到地8590%VDD
VsatDhi数字输出电平下拉电阻 R≥10kΩ,连接到地97.598%VDD
Dsatlo主动诊断输出电平上拉电阻 R≥10kΩ0.51%VDD
Dsatlo主动诊断输出电平上拉电阻 R≥4.7kΩ12%VDD
Dsathi主动诊断输出电平下拉电阻 R≥10kΩ97.598.5%VDD
Dsathi主动诊断输出电平下拉电阻 R≥4.7kΩ9597%VDD
BVSSPD被动诊断输出电平(开路)VSS 开路,下拉电阻,R≤10kΩ0.51.6%VDD
BVSSPU被动诊断输出电平(开路)VSS 开路,上拉电阻,R≥1kΩ,上拉到 5V99.5100%VDD
BVDDPD被动诊断输出电平(开路)VDD 开路,下拉电阻,R≥1kΩ00.5%VDD
BVDDPU被动诊断输出电平(开路)VDD 开路,上拉电阻,R≤10kΩ,上拉到 5V9799.5%VDD
Clamplo可编程钳位电压可编程0100%VDD
Clamphi可编程钳位电压可编程0100%VDD

时序参数 · 基本时序

Symbol参数测试条件MinTypMax单位
FCK主时钟频率全温测试7.88.28.5MHz
ΔFCK,T主时钟频率温度偏移−33%FCK
Tper数据刷新频率121128134µs
Ts阶跃响应时间128µs
TPOR上电复位40µs
TINIT初始化时间35ms
SR模拟输出转换速率COUT=10nF80V/ms
SR模拟输出转换速率COUT=47nF85V/ms
SR模拟输出转换速率COUT=100nF60V/ms
SR模拟输出转换速率COUT=330nF20V/ms

时序参数 · PWM 输出

Symbol参数测试条件MinTypMax单位
FPWMPWM 频率频率基础范围1002000Hz
FPWMInit初始 PWM 频率精度25℃±2%FPWM
FPWMInit初始 PWM 频率精度25℃±1%FPWM
ΔFPWMPWM 频率温漂PWM 频率温漂±3%FPWM
TriseLSDPWM 输出上升时间(开漏输出)4.7nF,RL=1kΩ 上拉10µs
TriseLSDPWM 输出上升时间(开漏输出)10nF,RL=1kΩ 上拉20µs
TrisePPPWM 输出上升时间(推挽输出)4.7nF,RL=1kΩ 上拉3µs
TrisePPPWM 输出上升时间(推挽输出)10nF,RL=1kΩ 上拉4µs
TfallLSDPWM 输出下降时间(开漏输出)4.7nF,RL=1kΩ 上拉2µs
TfallLSDPWM 输出下降时间(开漏输出)10nF,RL=1kΩ 上拉4µs
TfallPPPWM 输出下降时间(推挽输出)4.7nF,RL=1kΩ 上拉2µs
TfallPPPWM 输出下降时间(推挽输出)10nF,RL=1kΩ 上拉4µs

时序参数 · SENT 输出

Symbol参数测试条件MinTypMax单位
TICKtimeTick 时间1.56µs
Nnibble数据 Nibble 数量36
TriseSENT 边沿上升时间1.1V 和 3.8V 之间12.518µs
TfallSENT 边沿下降时间1.1V 和 3.8V 之间5.36.5µs
NppSENT 帧周期(无暂停位)154270ticks
PpcSENT 帧周期(有暂停位)282922ticks
A.1传感器类型双阀体位置传感器
A.3传感器类型单可靠传感器
TFRAMESENT 帧周期(慢速)标准数据序列(40 帧)691ms
TFRAMESENT 帧周期(慢速)扩展数据序列(24 帧)415ms

时序参数 · PSI5 输出

Symbol参数测试条件MinTypMax单位
Tcycle通信周期300µs
Tcycle通信周期500µs
Tcycle通信周期1000µs
Tbit位时间125 kbit/s7.688.4µs
Tbit位时间189 kbit/s55.36µs
TSHOLD同步脉冲保持时间9µs
TRISE电流斜率上升时间0.331µs
TFALL电流斜率下降时间0.331µs
MSRMark/Space Ratio(tfall,80 − trise,20)/TBit,(tfall,20 − trise,80)/TBit475053%

精度参数 · 模拟输出

Symbol参数测试条件MinTypMax单位
RADCADC 分辨率15bits
RDAC模拟输出分辨率12bits
INLDAC 积分非线性误差5LSB
DNLDAC 差分非线性误差0.0513LSB
ΔEang角度偏移误差−11Deg
ΔEL非线性度误差−11Deg
ΔEtemp角度温度漂移误差−0.50.5Deg
ΔEratio比例输出错误4.5V≤VDD≤5.5V−0.0500.5%VDD
Npk-pk输出极噪声0.050.2Deg

精度参数 · PWM 输出

Symbol参数测试条件MinTypMax单位
RSPPWM 分辨率12bits
JDCPWM 占空比抖动(开漏输出)125Hz,4.7nF,RL=1kΩ 电阻上拉±0.003±0.016%DC
JDCPWM 占空比抖动(开漏输出)250Hz,4.7nF,RL=1kΩ 电阻上拉±0.005±0.02%DC
JDCPWM 占空比抖动(开漏输出)500Hz,4.7nF,RL=1kΩ 电阻上拉±0.009±0.035%DC
JDCPWM 占空比抖动(开漏输出)1000Hz,4.7nF,RL=1kΩ 电阻上拉±0.003±0.016%DC
JDCPWM 占空比抖动(开漏输出)2000Hz,4.7nF,RL=1kΩ 电阻上拉±0.005±0.02%DC
JDCPWM 占空比抖动(推挽输出)125Hz,4.7nF,RL=1kΩ 电阻上拉±0.003±0.016%DC
JDCPWM 占空比抖动(推挽输出)250Hz,4.7nF,RL=1kΩ 电阻上拉±0.005±0.02%DC
JDCPWM 占空比抖动(推挽输出)500Hz,4.7nF,RL=1kΩ 电阻上拉±0.009±0.035%DC
JDCPWM 占空比抖动(推挽输出)1000Hz,4.7nF,RL=1kΩ 电阻上拉±0.003±0.016%DC
JDCPWM 占空比抖动(推挽输出)2000Hz,4.7nF,RL=1kΩ 电阻上拉±0.005±0.02%DC
JPWMPWM 频率抖动(开漏输出)125Hz-2000Hz,4.7nF,RL=1kΩ 电阻上拉±0.04±0.15Hz
JPWMPWM 频率抖动(推挽输出)125Hz-2000Hz,4.7nF,RL=1kΩ 电阻上拉±0.04±0.15Hz

磁参数

Symbol参数MinTypMax单位
HEXT磁场强度10120mT
Dmag磁铁直径6mm
Hmag磁铁厚度2.5mm
AG磁铁与芯片间隙0.53mm
磁铁材料NdFeB 35

技术图

123VDD电源供电OUT模拟量输出GND电源地
图2 · SOP8 引脚描述
SC4723VDDGNDHall霍尔片Modulator调制OPADemodulator解调Buffer缓冲OUT
图9 · 功能框图
tPOt1t2VCC(min)VCC90% VOUTV
图7 · 上电复位时序
VCC85%·VCC10%·VCCVOUT (V)B (Gs)N 极B = 0S 极
图6 · 典型应用输出范围
SC4723VDDOUTGND100nFSupply Voltage输出
图28 · 模拟/PWM/SENT SOP8 封装应用参考电路图
TOP VIEW0.953.00 / 2.603.02 / 2.821.72 / 1.52SIDE VIEW1.25 Max0.10L 0.60 / 0.30单位:mm · 未标公差为公称尺寸 · 高度不包括模具浇口溢料
图33 · SOP8 封装尺寸

技术规格

封装DC
输出Analog,PWM,SENT,I2C,PSI5
状态量产
功能2D Hall, Programmable
电压范围3.3~5.5
精度1 degree
车规等级AEC-Q100, ASILB
工作温度-40~150
电流范围8
磁场范围(mT)10-120

历史版本

版本日期说明
Rev.V0.12025-08-26初始版本
Rev.V0.22026-03-24增加包装尺寸,更新 SIP3 尺寸图,增加免责声明

产品资料

© 2011 - 2026 赛卓电子科技(上海)股份有限公司 版权所有