SYLMV324
SYLMV324
低输入失调电压低压通用四运放
SYLMV324 是赛卓推出的四通道低压通用运算放大器，采用传统工艺并施行全流程车规标准管控。四路放大器均具备超低输入失调电压（低至 ±1mV）与超低静态电流（约 90μA/通道），支持 2.5V～5.5V 宽供电范围以及单、双电源供电，采用经典的轨到轨输入输出设计，即使输入或输出摆幅达到电源上下限也不会像常规运放那样发生饱和与翻转，从而获得最大输出摆幅与最宽动态范围。其单位增益带宽约 1MHz、宽带噪声约 35nV/√Hz，并内置过载保护与过载恢复电路（恢复时间约 400 纳秒），显著提升电路可靠性。工作温度范围 -40℃～125℃，采用 14 脚 SOIC（SOP14）与 TSSOP14 封装，适用于烟雾探测器、可穿戴设备、个人电子产品、条码扫描仪、家用电器、消费电子产品、传感器模块与电源模块等场景。
通用运放四运放轨到轨输入输出低失调电压低功耗车规标准管控
一级分类
其他数模混合 IC
二级分类
运算放大器
资源数量
1 项
核心参数
超低输入失调电压 Vos
±1mV
典型值
供电电压
2.5 ~ 5.5V
单/双电源
超低静态电流
90μA/通道
每通道
低宽带噪声
35nV/√Hz
宽带噪声
单位带宽增益 GBW
1MHz
0dB 增益
输入输出
轨到轨
Rail-to-rail I/O
过载恢复时间
≈400ns
内置过载恢复
工作温度范围
−40 ~ 125℃
全温车规级
产品特性
Quad op-amp, RRO
引脚定义
| 引脚 | 序号 | 说明 |
|---|---|---|
| Out A | 1 | A 通道输出 |
| -In A | 2 | A 通道反相输入 |
| +In A | 3 | A 通道同相输入 |
| +Vs | 4 | 正电源 |
| +In B | 5 | B 通道同相输入 |
| -In B | 6 | B 通道反相输入 |
| Out B | 7 | B 通道输出 |
| Out C | 8 | C 通道输出 |
| -In C | 9 | C 通道反相输入 |
| +In C | 10 | C 通道同相输入 |
| -Vs | 11 | 负电源（或接地）-单电源 |
| +In D | 12 | D 通道同相输入 |
| -In D | 13 | D 通道反相输入 |
| Out D | 14 | D 通道输出 |
订购信息
| 订购型号 | 灵敏度 | 温度范围 | 封装 | 包装 | 数量 |
|---|---|---|---|---|---|
| SYLMV324B-SR | - | −40 to 125°C | 14-Pin SOIC | 卷盘（编带） | 3 |
| SYLMV324B-TR | - | −40 to 125°C | 14-Pin TSSOP | 卷盘（编带） | 3 |
订购编号说明
SYLMV324B-SR
SY
厂商前缀
赛卓电子
LMV3
产品系列
低压通用运放系列
24
通道数标识
4=四运放（321=单, 358=双, 324=四）
B
系列后缀
全系列共用的 B 系列后缀（SYLMV3xxB）；非文档版本号（规格书版本为 Rev.A/1.0）
-SR
封装/编带代码
SR=14-Pin SOIC 编带；TR=14-Pin TSSOP 编带
参数规格
极限参数
全工作温度范围（除非另有说明）(1)。(1) 高于此处列出的压力可能会导致器件永久损坏，长时间暴露在绝对最大额定值条件下可能会影响器件的可靠性。(2) 设计保证。
| Symbol | 参数 | Min | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| — | 供电电压 | 0 | 6.3 | V |
| — | 输入电压 | (−VS) − 0.3 | (+VS) + 0.3 | V |
| — | 差分输入电压 | −6 | +6 | V |
| — | 输出短路 | - | - | |
| TA | 工作温度 | −40 | 125 | ℃ |
| TJ | 最大结温 | −45 | 160 | ℃ |
| TSTG | 储藏温度 | −65 | 150 | ℃ |
静电防护
| Symbol | 参数 | Min | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| VESD | 静电防护（HBM-ANSI/ESDA/JEDEC JS-001） | −3.5 | 3.5 | kV |
| VESD | 静电防护（CDM-JEDEC JESD22-C101） | −2 | +2 | kV |
工作条件
| Symbol | 参数 | 测试条件 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VS | 供电电压范围 | 2.5V～5.5 | V |
| TA | 工作温度 | −40～125 | ℃ |
电气参数
规格书参数（无特殊说明仿真及测试条件为 VDD=5V, TA=25℃, RL=10Kohm）。(1) 必须调整最大电压的功耗和结温，见热特性。
| Symbol | 参数 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VSabs | 电源电压极限 | 电源电压从 5V 一直增加，芯片烧坏或者漏电变大到 | — | — | 6 | mA |
| INabs | 输入电压范围极限 | 输入 VI+/VI− 输入从 −VSS−1 到 VDD+1，确定最小/最大输入范围，芯片没有损坏或者漏电流比较小 | — | — | — | |
| (VI+−VI−)abs | 差分输入电压极限 | 最大/最小电压输入芯片不损坏 | — | — | ||
| Iin+/Iin− | 输入抽/灌电流 | 芯片外部抽/灌电流 | — | — | — | |
| VSmin | 最小工作供电 | 芯片供电 VS+~VS− 全温测试芯片功能指标 | — | — | — | |
| VSmax | 最大工作供电 | 芯片供电 VS+~VS− 全温测试芯片功能指标 | — | — | — | |
| IDD | 静态电流 | VDD=2.5V，VDD=5V | — | 89 | 150 | |
| PSRR | 电源抑制比 | 芯片电源上加信号，测量输出与输入比值 | 74 | 120 | — | |
| Vos | 输入失调电压 | Vcm=0V~3V | — | 0.46 | 1.33 | |
| Vos TC | 失调电压温漂 | TA=−40C~125C，Vos 的漂移 | — | 0.22 | — | |
| IB | 输入偏置电流 | TA=25C | ||||
| IB | 输入偏置电流 | TA=85C | 24 | |||
| Ios | 输入失调电流 | TA=25C | 1 | |||
| Cin | 输入电容（差分模式） | 差分模式 | — | 7.7 | — | |
| Cin | 输入电容（共模模式） | 共模模式 | — | 10.5 | — | |
| Av | 开环电压增益 | Rload=10KΩ | 86 | 120 | — | |
| VCMR | 共模输入电压范围 | 运放连接成单位增益，输入与输出相等 | (Vs−)−0.1 | Vs+0.1 | ||
| CMRR | 共模抑制比 | Vcm=0V~3V | 85 | 133 | — | |
| Xtalk | 通道串扰 | f=1KHz，Rload=2KΩ | — | — | — | |
| VOH,VOL | 输出高/低电平 | Rload=10KΩ | — | 8 | 13 | |
| ISC | 输出短路电流 | 输入接成 VS/−VS，输出短接到 −VS/VS | 35 | 60 | ||
| GBW | 增益带宽积 | 运放增益为 0dB，测量带宽 | — | 1.5 | — | |
| SR | 压摆率 | AV=1，Vout=1.5V to 3.5V，CLOAD=60pF，Rload=1KΩ | — | 0.65 | — | |
| Ts | 建立时间 | AV=1，2V step，CLOAD=60pF | — | 3.1 | — | |
| Ts | 建立时间 | AV=1，2V step，CLOAD=60pF | — | 3.4 | — | |
| EN | 低频噪声 | f=0.1Hz to 10Hz | — | 1.7 | — | |
| eN | 输入电压噪声密度 | f=1KHz | — | 30 | — | |
| IN | 输入电流噪声密度 | f=1KHz | ||||
| THD+N | 总谐波失真加噪声 | AV=1，f=1KHz，Rload=10KΩ，VOUT=1Vp-p | 0.005 | |||
| ESD | 静电防护 | Human body model | ||||
| VSplug | 电源插入/热插拔应力 | 原文表格此行仅列符号，未给条件与数值 | ||||
| VI+plug | 同相输入插入/热插拔应力 | 原文表格此行仅列符号，未给条件与数值 | ||||
| VI-plug | 反相输入插入/热插拔应力 | 原文表格此行仅列符号，未给条件与数值 |
编带/卷盘订购信息（封装外形信息表）
尺寸单位 mm；Pin1 Quadrant 为编带方向上引脚 1 所在象限。本表含全系列（321B/358B/324B）各封装，SYLMV324B 为最后两行。
| 参数 |
|---|
| SYLMV321B-TR |
| SYLMV358B-SR |
| SYLMV358B-VR |
| SYLMV358B-TSR |
| SYLMV324B-SR |
| SYLMV324B-TR |
封装外形尺寸 SOP-14/SOIC-14
单位 mm。本型号 SYLMV324B-SR 采用此封装。
| Symbol | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| A | 1.35 | 1.60 | 1.75 | mm |
| A1 | 0.10 | 0.15 | 0.25 | mm |
| A2 | 1.25 | 1.45 | 1.65 | mm |
| b | 0.31 | 0.51 | mm | |
| D | 8.45 | 8.63 | 8.85 | mm |
| E | 5.80 | 6.00 | 6.20 | mm |
| E1 | 3.80 | 3.90 | 4.00 | mm |
| e | 1.27 BSC | mm | ||
| L | 0.40 | 0.60 | 0.80 | mm |
| L1 | 1.05 REF | mm | ||
| L2 | 0.25 BSC | mm | ||
| θ | 0° | 8° |
封装外形尺寸 TSSOP-14
单位 mm。本型号 SYLMV324B-TR 采用此封装。原文表格此页字形渲染异常，数值按 MIN/TYP/MAX 顺序逐项对应（部分项缺 MIN/TYP）。文本层不含数值，数值取自页面光栅图。
| Symbol | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| A | 1.20 | mm | ||
| A1 | 0.05 | 0.15 | mm | |
| A2 | 0.80 | 1.05 | mm | |
| c | 0.19 | 0.30 | mm | |
| D | 4.86 | 5.00 | 5.10 | mm |
| E | 6.20 | 6.40 | 6.60 | mm |
| E1 | 4.30 | 4.40 | 4.50 | mm |
| e | 0.65 BSC | mm | ||
| L | 0.45 | 0.60 | 0.75 | mm |
| L1 | 1.00 REF | mm | ||
| L2 | 0.25 BSC | mm | ||
| R | 0.09 | mm | ||
| θ | 0° | 8° |
技术图
技术规格
| SR(V/uS) | 0.7 |
| GBW(Hz) | 1M |
| 封装 | SOP14, TSSOP14 |
| VOS(mV) | ±1 |
| 状态 | 量产 |
| 电压范围 | 2.5~5.5 |
历史版本
| 版本 | 日期 | 说明 |
|---|---|---|
| Rev.A/1.0 | 页脚版本标识（PDF 内未提供历史版本变更表） |