SC60414
SC60414
16Bit 高速电感式绝对位置传感器（ABZ+PWM 输出）
本系列电感式编码器 IC 基于电涡流原理，通过高频磁场耦合效应实现电机转子位置的非接触式精准检测。其具备工业级高速响应能力与精密测量性能，并支持多协议数字输出。同时采用高抗干扰设计，可适应油污、尘埃及电磁干扰等恶劣环境。
电感式位置传感器16 bit 分辨率ABZ+PWM 输出AEC-Q100TSSOP-16 / QFN3*3-16
一级分类
电机编码器 IC
二级分类
电感式电机编码器
资源数量
2 项
核心参数
分辨率
16bit
涡流电感式
精度
≤±0.36°
最高 ≤0.05°
最高转速
>600Krpm
单周期线圈
传输延时
<4μs
近零延时
AB 输出线数
12–2048线
多种配置
电源耐压
48V
输出耐压 24V
工作温度 TA
−40~150℃
车规宽温
封装
TSSOP-16/ QFN3*3-16
亚光镀锡 · 无卤
产品特性
16Bit, 600krpm, Programmable
引脚定义
| 引脚 | 序号 | 说明 |
|---|---|---|
| T0 | 1 | 测试引脚 |
| IN0 | 2 | 接收线圈输入 0 |
| IN1 | 3 | 接收线圈输入 1 |
| IN2 | 4 | 接收线圈输入 2 |
| IN3 | 5 | 接收线圈输入 3 |
| AGND | 6 | 模拟地 |
| LCP | 7 | 激励线圈输出正极 |
| LCN | 8 | 激励线圈输出负极 |
| VDD | 9 | 供电电源 |
| VREG | 10 | 芯片内部高压 LDO 输出端，外接 100nF 去耦电容 |
| DGND | 11 | 数字地 |
| IO1 | 12 | SPI：CSn 片选信号 / A 路增量信号输出 |
| IO2 | 13 | SPI：SCLK 时钟信号 / B 路增量信号输出 |
| IO3 | 14 | SPI：MOSI 从机数据输入信号 / Z 路增量信号输出 |
| IO4 | 15 | SPI：MISO 从机数据输出信号 / PWM 绝对角度输出 |
| T1 | 16 | 单线编程引脚 |
订购信息
| 订购型号 | 灵敏度 | 温度范围 | 封装 | 包装 | 数量 |
|---|---|---|---|---|---|
| SC60414TG-1024-TR | 1024 线 | −40~150 | TSSOP16 | 编带 | 4000 颗/盘 |
| SC60414QC-1024-TR | 1024 线 | −40~150 | QFN3*3-16 | 编带 | 5000 颗/盘 |
| SC60414TG-256-TR | 256 线 | −40~150 | TSSOP16 | 编带 | 4000 颗/盘 |
| SC60414TG-50-TR | 50 线 | −40~150 | TSSOP16 | 编带 | 4000 颗/盘 |
订购编号说明
SC60414TG-1024-TR
SC6041X
产品系列
高速电感位置传感器芯片
4
芯片型号
4: ABZ+PWM（8: SPI）
TG
封装形式
TG: TSSOP16（QC: QFN3*3-16）
1024
参数选项
1024=1024 线（256=256 线，50=50 线）
TR
包装选项
TR: 编带
参数规格
极限参数
全工作温度范围（除非另有说明）。高于此处列出的压力可能会导致器件永久损坏，长时间暴露在绝对最大额定值条件下可能会影响器件的可靠性。
| Symbol | 参数 | 测试条件 | Min | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| VDD | 电源端耐压 | t<60s | −5.5 | 48 | V |
| VREG | 稳压端耐压 | t<60s | −0.3 | 5.5 | V |
| VIO | 输出端耐压 | −12 | 24 | V | |
| VLCP/LCN | 激励线圈输入 | −0.5 | 5.5 | V | |
| VINX | 接收线圈输入 | −0.5 | 5.5 | V | |
| SDA | 数字输出/输入 | −0.5 | 5.5 | V | |
| SCL | 数字时钟输入 | −0.5 | 5.5 | V | |
| TA | 工作温度 | −40 | 150 | ℃ | |
| TJ | 最大结温 | −55 | 165 | ℃ | |
| TSTG | 储藏温度 | −65 | 175 | ℃ |
静电保护
| Symbol | 参数 | 测试条件 | Min | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| VESDHBM | 静电防护(HBM) | 人体模型(HBM)测试按照 AEC-Q100-002 标准 | −4 | 4 | kV |
| VESDCDM | 静电防护(CDM) | 充电器件模型(CDM)测试按照 AEC-Q100-011 标准 | −750 | 750 | V |
工作参数 · 电源 / LC 振荡器 / 线圈输入
条件：除非另有说明，VDD=5V±10%，TA 为 −40°C 至 150°C。典型值为环境温度 +25°C、VDD=5V 条件下的测试值。
| Symbol | 参数 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VDD5v | 5V 应用工作电压 | 参考 5V 应用电路连接 | 4.5 | 5.0 | 5.5 | V |
| VDD3.3v | 3.3V 应用工作电压 | 参考 3.3V 应用电路连接 | 3.0 | 3.3 | 3.6 | V |
| IDD5V | 5V 应用工作电流 | VDD=5.0V | — | 8.0 | 12 | mA |
| IDD3.3V | 3.3V 应用工作电流 | VDD=3.3V | — | 7.0 | 11 | mA |
| VVREG | 5V 工作，VREG 引脚电压 | VDD=5.0V | 4.5 | 4.8 | — | V |
| CVREG | VREG 引脚去耦电容 | 47 | 100 | 470 | nF | |
| VOVP | 过压诊断开启电压 | 当电源电压高过此电压，输出关闭 | 6.5 | 7.0 | 7.5 | V |
| VOVPHYS | 过压诊断迟滞电压 | 0.2 | 0.5 | 0.8 | V | |
| VUVR | 欠压诊断开启电压 | 当电源电压低于此电压，输出关闭 | 3.4 | 3.7 | 4.3 | V |
| VUVRHYS | 欠压诊断迟滞电压 | 0.1 | 0.3 | 0.5 | V | |
| IOSC | LC 振荡器驱动电流 | L=3µH，C=1nF，Rs=2Ω | 2.0 | — | 10 | mA |
| VOSC | LC 振荡器振荡幅度 | L=3µH，C=1nF，Rs=2Ω | 3.0 | 3.5 | 4.0 | Vpp |
| FOSC | LC 振荡器振荡频率 | L=3µH，C=1nF，Rs=2Ω | 2 | 4 | 5 | MHz |
| LOSC | 激励线圈电感值 | 2 | — | 10 | µH | |
| VPPIN | INX 输入信号幅度 | 5 | — | 100 | mV |
工作参数 · A/D 转换 / ABZ·PWM 输出
条件：VDD=5V±10%，TA 为 −40°C 至 150°C。典型值为 +25°C、VDD=5V 条件下的测试值。
| Symbol | 参数 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RES(SD) | ADC 分辨率 | — | 14 | — | Bit | |
| T(ON) | 启动时间 | — | — | 5 | ms | |
| FPWM | PWM 频率(默认) | 927 | 976 | 1024 | Hz | |
| FPWM(OPT) | PWM 频率(可选) | 232 | 244 | 256 | Hz | |
| DUTY | AB 输出占空比 | 1000 转匀速转动 | 40 | 50 | 60 | % |
| RES(AB) | AB 输出线数 | 12 | — | 1024 | RES | |
| ZWIDTH | Z 零位宽度 | — | 4 | — | LSB | |
| Rpm | 转速 | 单周期线圈 | — | — | 600000 | rpm |
工作参数 · IO 数字端口电学特性
条件：VDD=5V±10%，TA 为 −40°C 至 150°C。典型值为 +25°C、VDD=5V 条件下的测试值。
| Symbol | 参数 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VTHI | 输入高电平阈值 | — | — | 2.0 | V | |
| VTLO | 输入低电平阈值 | 0.8 | — | — | V | |
| VSHI | 输出高电平电压 | 4mA 下拉电流 | VDD−0.5 | — | — | V |
| VSLO | 输出低电平电压 | 4mA 上拉电流 | — | — | 0.5 | V |
| VIH | 输入高电平 | 0.5*VDD | — | — | V | |
| VOL | 输出低电平 | — | — | 0.2*VDD | V | |
| VOH | 输出高电平 | 0.8*VDD | — | — | V | |
| ISHI | 输出高电平短路到地电流 | VDD=3.3V | — | — | 30 | mA |
| ISLO | 输出低电平短路到电源电流 | VDD=3.3V | — | — | 30 | mA |
工作参数 · 诊断功能
条件：VDD=5V±10%，TA 为 −40°C 至 150°C。典型值为 +25°C、VDD=5V 条件下的测试值。
| Symbol | 参数 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Dsatlo | 主动诊断输出电平 | 下拉电阻 R≥4.7kΩ | — | 0.5 | 1 | %VDD |
| Dsatlo | 主动诊断输出电平 | 上拉电阻 R≥4.7kΩ | 99 | 99.5 | — | %VDD |
| BVSSPD | 被动诊断输出电平(开路) | VSS 开路，下拉电阻，4.7kΩ≤R≤47kΩ | — | 0 | 3 | %VDD |
| BVSSPU | 被动诊断输出电平(开路) | VSS 开路，上拉电阻，4.7kΩ≤R≤47kΩ | 97 | 98 | — | %VDD |
| BVDDPD | 被动诊断输出电平(开路) | VDD 开路，下拉电阻，4.7kΩ≤R≤47kΩ | — | 0 | 1 | %VDD |
| BVDDPU | 被动诊断输出电平(开路) | VDD 开路，上拉电阻，4.7kΩ≤R≤47kΩ | 96.5 | 98 | — | %VDD |
| OTP | 过温保护 | — | 175 | — | ℃ | |
| IOCP | 过流保护 | — | — | 30 | mA |
技术图
技术规格
| 封装 | TG&QC |
| UVW | - |
| KRPM | 600 |
| PWM(Hz) | 244/1000 |
| 状态 | 量产 |
| ABZ-Line | 50/256/1024 |
| 电压范围 | 3V~5.5V |
| 分辨率 | 16bit |
| 数字接口 | - |
| Analog | - |
历史版本
| 版本 | 日期 | 说明 |
|---|---|---|
| Rev.V0.1 | 2025-09-11 | 初始版本 |
| Rev.V0.2 | 2025-12-11 | 增加包装规范 |