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SC9685TS-RP120

SC9685TS-RP120

PWM 输出带功能安全变速箱速度传感器 IC

SC9685/SC9686 是通过 ASIL-B 功能安全认证的变速箱速度传感器芯片,具有抗振动干扰能力强,且支持不同宽度的目标齿轮检测,适用于传动系统转速探测等应用。

速度传感器变速箱传感器霍尔差分PWM 输出两线电流接口TS-2 封装
一级分类
速度传感器 IC
二级分类
变速箱传感器
资源数量
1 项

核心参数

最大检测距离
3.0mm
气隙
工作电压 VDD
5.3~20V
典型 12V
工作温度范围
-40~150
宽温
信号频率 fmag
0~12KHz
支持零速检测
正转脉宽 tw(FWD)
120us
典型值 (RP120)
反转脉宽 tw(REV)
60us
典型值 (RP120)
高速模式脉宽 tw(HS)
30us
典型值 (RP120)
供电电流高值 IHigh
14.0mA
典型值

产品特性

Vibration Suppression, PCB-less

典型应用

变速箱速度传感器速度传感器

引脚定义

引脚序号说明
VDD15.3V ~ 20V 供电电源
GND2

订购信息

订购型号灵敏度温度范围封装包装数量
SC9685TS-RP120-TR-Q--40~150TS-2编带1500 颗/盘
订购编号说明
SC9685TS-RP120-TR-Q
SC9685
产品系列名称
变速箱速度传感器 IC 系列
TS
封装形式
TS-2 封装
RP120
选项
CW 120us,CCW 60us,GND to VCC
TR
包装选项
编带
Q
产品等级
车规级

参数规格

极限参数

工作的自然温度范围内(除非另有说明)。高于此处列出的压力可能会导致器件永久损坏,长时间暴露在绝对最大额定值条件下可能会影响器件的可靠性。

Symbol参数测试条件MinMax单位
VDD正向耐压Tj=170℃-16.5V
VDD正向耐压T=150℃-20V
VDD正向耐压t=10 X 5min-22V
VDD正向耐压t=10 X 5min, RM≥75Ω included in VDD-24V
VDD正向耐压t=400ms, RM≥75Ω included in VDD-27V
VDDR反向耐压t<1h, RM≥75Ω included in VDD-18-V
Irev反向灌电流t<4h, RM≥75Ω included in VDD, external current limitation-100mA
Irev反向灌电流t<1h, RM≥75Ω included in VDD, external current limitation-200mA
Tj最大结温5000h, VDD<16.5V, RM≥75Ω included in VDD-150
Tj最大结温500h, VDD<13V, RM≥75Ω included in VDD-160
Tj最大结温1h, VDD<13V, RM≥75Ω included in VDD-170
TSTG储存温度-65175
RθjA封装热阻参照 JESD51-1 标准-190℃/W

静电保护

Symbol参数测试条件MinMax单位
VESDHBMHBM参照 AEC-Q100-002E HBM 标准,R=1.5kΩ,C=100pF-88KV
VESDCDMCDM参照 AEC-Q100-011C CDM 标准-750750V

工作范围

工作的自然温度范围内(VDD=12V,除非另有说明)。

Symbol参数测试条件MinTypMax单位
VDD工作电压Directly on IC leads; includes not the voltage drop at RM5.31220V
VAC电源抗交流干扰VDD=13V, 0<fmod<150KHz--6Vpp
VresPWM复位电压reset voltage3.6-4.1V
VrelPWM返回电压return voltage4.7-5.3V
dTjDir每个磁周期方向判断有效允许的温度漂移范围Valid for ΔBdir>1.9mT-7.5-7.5K
dTjSpeed静止时的温度变化Valid for ΔB>3mT-150-150K
B0背磁强度-500-500mT
ΔBstat,l/r外部 2 霍尔点背磁偏差Bleft-Bright when the gear is stationary-30-30mT
ΔBstat,m/o中间与外部霍尔背磁偏差Bcenter-Bright when the gear is stationary-30-30mT
ΔB差分磁场Bleft-Bright when the gear is rotating-120-120mT
fmag信号频率0-12KHz
fdirmin方向检测最小频率-01Hz

电气特性

工作的自然温度范围内(VDD=12V,除非另有说明)。

Symbol参数测试条件MinTypMax单位
ILow供电电流低值5.97.08.4mA
IHigh供电电流高值11.814.016.8mA
供电电流@ Vres_min<VDD1--mA
IFaultASIL 报警电流1.53.03.9mA
dIX/dVDD电流线性调整率--90uA/V
tr, tf输出上升/下降时间10% and 90% value, RM=50Ω Tj<170℃6-26mA/us
tdinput输出校准延时Additive to power up time-220300us
tPO上电时间--1ms
nstart霍尔感应点初始偏差校准所需磁信号边沿数--3edges
nDZ-Startup非校准模式下的边沿个数--4edges
nsupp输出停止需要脉冲个数--1pulses
nDZ-Start输出第 1 个脉冲所需磁信号边沿数1-2edges
nDR-Start初始方向有效方向信息检测,所需脉冲数4th pulse has valid direction information ΔBdir≥2*ΔBlimit1-2pulses
nDRchange方向突变后识别方向所需脉冲数2nd pulse has valid direction information ΔBdir≥4*ΔBlimit--2pulses
Sjit-close小气隙输出抖动ΔB≥2mT, 1sigma, T≤150℃, f=1kHz-0.7-0.7%
Sjit-close小气隙输出抖动ΔB≥2mT, 1sigma, T≤170℃, f=1kHz-2-2%
Sjit-far大气隙输出抖动2mT≥ΔB≥ΔBlimit, 1sigma, T≤150℃, f=1kHz-2-2%
Sjit-far大气隙输出抖动2mT≥ΔB≥ΔBlimit, 1sigma, T≤170℃, f=1kHz-4-4%
Sjit-AC电源有纹波情况下输出抖动VDD=13V±6Vpp, 1sigma, 0<fmod<150kHz, ΔB=15mT-0.5-0.5%
启动和非校准模式下输出边沿的系统相位误差-90-90°

PWM 输出时序(SC9685TS-RP90-TR-Q/SC9685TS-FP90-TR-Q)

非本型号变体(RP90/FP90),供家族参考,非本型号 RP120。

Symbol参数MinTypMax单位
tw(FWD)正向脉冲宽度384552us
tw(REV)反向脉冲宽度7690104us
tw(ND)无方向脉冲周期153180207us
fFWD正向频率范围0-12KHz
fREV反向频率范围0-7KHz
fND无方向频率范围0-4KHz

PWM 输出时序(SC9685TS-RP180-TR-Q/SC9685TS-FP180-TR-Q)

非本型号变体(RP180/FP180),供家族参考,非本型号 RP120。

Symbol参数MinTypMax单位
tw(FWD)正向脉冲宽度384552us
tw(REV)反向脉冲宽度153180207us
tw(ND)无方向脉冲周期306360414us
fFWD正向频率范围0-12KHz
fREV反向频率范围0-4KHz
fND无方向频率范围0-2.2KHz

PWM 输出时序(SC9685TS-RP120-TR-Q,本型号)

本型号 RP120 专属时序表,含高速模式参数(fHigh/fLow/tw(HS)/tw(PRE))。

Symbol参数测试条件MinTypMax单位
fHigh进入高速模式频率Tcycle frequency increasing1.1--KHz
fLow退出高速模式频率Tcycle frequency decreasing1--KHz
tw(FWD)正向脉冲宽度Tcycle frequency < fLow102120138us
tw(REV)反向脉冲宽度Tcycle frequency < fLow516069us
tw(HS)高速模式脉冲宽度Tcycle frequency > fHigh253035us
tw(PRE)预脉冲宽度253035us
fND无方向频率范围0-12KHz

磁特性

Symbol参数测试条件MinTypMax单位
ΔBlimit极限阈值0.530.750.97mT
ΔBlimitdrift极限阈值偏移additional drift over lifetime at 25℃ for one and the same sensor-5-3%
ΔBstartup非校准模式(启动期间)检测磁场边缘所需的差分磁场变化量Option 000.530.750.97mTpk-pk
ΔBstartup非校准模式(启动期间)检测磁场边缘所需的差分磁场变化量Option 011.221.501.78mTpk-pk
ΔBstartup非校准模式(启动期间)检测磁场边缘所需的差分磁场变化量Option 102.142.502.86mTpk-pk
ΔBstartup非校准模式(启动期间)检测磁场边缘所需的差分磁场变化量Option 114.445.005.56mTpk-pk
HYSmin速度通道最小磁滞阈值Option 00.530.750.97mTpkpk
HYSmin速度通道最小磁滞阈值Option 11.221.51.78mTpkpk
HYSadaptive速度通道,自适应磁滞阈值Option 0-12.5-%
HYSadaptive速度通道,自适应磁滞阈值Option 1-25-%

EMC - ISO 7637-2

参考 ISO 7637-2;2004;ΔB=2mT(正弦信号振幅);VDD=13.5V;fB=100Hz,TA=25℃,RM=30Ω。

Symbol参数测试条件
VMEC7637_2测试脉冲 1IV /-100V
VMEC7637_2测试脉冲 2aIV /75V
VMEC7637_2测试脉冲 2b- /10V
VMEC7637_2测试脉冲 3aIV /-150V
VMEC7637_2测试脉冲 3bIV /100V
VMEC7637_2测试脉冲 4IV /-7V
VMEC7637_2测试脉 5aIV /86.5V
VMEC7637_2测试脉冲 5bUs=28.5V

EMC - ISO 7637-3

参考 ISO 7637-3 1995;ΔB=2mT(正弦信号振幅);VDD=13.5V;fB=100Hz,TA=25℃,RM=30Ω。

Symbol参数测试条件
VMEC7637_3测试脉冲 1IV /-30V
VMEC7637_3测试脉冲 2IV /30V
VMEC7637_3测试脉冲 3aIV /-60V
VMEC7637_3测试脉冲 3bIV /40V

EMC - ISO 11452-3

参考 ISO11452-3 2001;ΔB=20Gs,VDD=13.5V;fB=100Hz,TA=25℃。

Symbol参数测试条件
ETemCellTEM 测试IV/250V/m

EMC - ISO 11452-4

参考 ISO11452-4 2011;Stress =1-400MHz,VDD=13.5V;fB=100Hz,TA=25℃。

Symbol测试条件
BCI open200mA
BCI close200mA

EMC - ISO 11452-8

参考 ISO11452-8 2007;VDD=13.5V;fB=100Hz,TA=25℃。

Symbol测试条件
ITMFDC2mT
ITMFAC

编带信息

图 12 编带尺寸,单位毫米。

Symbol单位
Amm
Bmm
Dmm
Fmm
Hmm
H1mm
H2mm
Lmm
Pmm
P1mm
P2mm
Tmm
Wmm
W1mm
W2mm

技术图

TOP VIEW0.953.00 / 2.603.02 / 2.821.72 / 1.52SIDE VIEW1.25 Max0.10L 0.60 / 0.30单位:mm · 未标公差为公称尺寸 · 高度不包括模具浇口溢料
图 1 TS-2 外观图
123VDD电源供电OUT模拟量输出GND电源地
图 2 引脚描述
SC4723VDDGNDHall霍尔片Modulator调制OPADemodulator解调Buffer缓冲OUT
图 3 功能框图
SC4723VDDOUTGND100nFSupply Voltage输出
图 10 典型应用电路

技术规格

封装TS
接口PWM
输出Current
状态量产
功能Vibration Suppression, PCB-less
车规等级AEC-Q100, ASILB
检测Speed+Dir
频率0~9K
脉冲宽度(us)120/60

历史版本

版本日期说明
Rev.E0.12022-04-27初版规格书
Rev.E0.22023-12-12增加振动抑制
Rev.A1.02025-03-31正式发布

产品资料

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