Name: VE8602Q
Brand: Semiment
SKU: VE8602Q

VE8602Q

4V-60V 输入电流模式同步升压控制器（车规）

赛卓提供高压通用的降压 / 升压控制器 VE86XX 系列，开关频率可调，抖频功能可选，保护措施全面，适配智能座舱、车载功放、车载冰箱、拉杆音响等应用场景。

同步升压控制器电流模式控制双 N 沟道 MOSFET 驱动车规级TSSOP20-EP / QFN3X4-20

一级分类

电源管理 IC

二级分类

升压 / 降压控制器 DC/DC

资源数量

1 项

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核心参数

输入电压范围 VIN

4–60V

宽输入电压

基准电压 VFB

0.8V

±1.5% 全温精度

开关频率范围 FSW

0.1–1MHz

电阻编程 / 外部同步

过温关断 TSD

170℃

迟滞 20℃

跨导 GM

550µS

误差放大器

工作温度 TA

−40~+125℃

车规宽温

EXTBIAS 静态电流

8µA

EXTBIAS=12V 不开关

封装

TSSOP20-EP/ QFN3X4-20

EPAD 散热 / 湿润焊侧

产品特性

Boost, Quassi-Bypass, SS, PG, Dither

典型应用

音频电源工业大电流升压电源

引脚定义

引脚	序号	说明
VIN	1 (TSSOP) / 19 (QFN)	输入电源。此引脚应接到输入电源轨，并用小陶瓷电容对地去耦。
EN/SYNC	2 (TSSOP) / 20 (QFN)	使能输入。阈值 1.2V、迟滞 120mV，可外部实现输入欠压锁定（UVLO）。若在 EN/SYNC 上施加高于 FREQ 默认频率的外部同步时钟，内部时钟跟随同步频率。
EXTBIAS	3 (TSSOP) / 1 (QFN)	内部 VCC 稳压器的外部供电。当 EXTBIAS 高于 4.7V 时禁用来自 VIN 的供电。请勿在 EXTBIAS 接入大于 24V 的电源。接外部电源可降低功耗、提高效率。
VCC	4 (TSSOP) / 2 (QFN)	内部偏置供电。5V 内部偏置，VCC 与 PGND 之间需 ≥4.7µF 去耦电容。
SGND	5 (TSSOP) / 3 (QFN)	低噪声地基准。SGND 应连接到输出电容的地端。
SS	6 (TSSOP) / 4 (QFN)	软启动控制输入。通过 SS 与 SGND 之间的外部电容编程软启动时间。
COMP	7 (TSSOP) / 5 (QFN)	调节控制环路补偿。在 COMP 与 SGND 之间连接 RC 网络对控制环路进行补偿。
FB	8 (TSSOP) / 6 (QFN)	反馈。将 FB 连接到从输出到地的电阻分压器。
CCM/DEM	9 (TSSOP) / 7 (QFN)	连续导通模式/二极管仿真模式（DEM）。悬空或接 VCC 使器件工作在 CCM；从 CCM/DEM 接适当外部电阻到 SGND 使器件工作在 DEM 模式。DEM 电压不应低于 300mV。
FREQ	10 (TSSOP) / 8 (QFN)	频率。在 FREQ 与 SGND 之间连接电阻设置开关频率。
PG	11 (TSSOP) / 9 (QFN)	电源良好输出。PG 输出为开漏。
ILIM	12 (TSSOP) / 10 (QFN)	感应电压限值设置。ILIM 上的电压设定最大输出电流时的标称感应电压。有三种固定选项：悬空、VCC、SGND。接高于 0.64V 且低于 1.5V 的电阻或电压源可禁用打嗝模式。
SYNCO/DITHER	13 (TSSOP) / 11 (QFN)	频率同步输出。当器件工作在 CCM 时，SYNCO 输出 180° 反相时钟用于双通道操作。接 GND 可使能抖频（dither）。
SENSE-	14 (TSSOP) / 12 (QFN)	电流检测负输入。感应电感电流限值阈值由 ILIM 的状态决定。
SENSE+	15 (TSSOP) / 13 (QFN)	电流检测正输入。感应电感电流限值阈值由 ILIM 的状态决定。
PGND	16 (TSSOP) / 14 (QFN)	功率地。将 PGND 直接连接到 VCC 去耦电容的负极端。
BG	17 (TSSOP) / 15 (QFN)	底部栅极驱动输出。将 BG 连接到底部 MOSFET 的栅极。
SW	18 (TSSOP) / 16 (QFN)	开关节点。SW 是 VBST 供电的基准，也是自举开关的高电流回流点。
TG	19 (TSSOP) / 17 (QFN)	顶部栅极驱动。TG 驱动顶部 MOSFET 栅极，从 BST 电容取电并回流到 SW，为顶部 N 沟道 MOSFET 提供真正的浮动驱动。
BST	20 (TSSOP) / 18 (QFN)	自举。BST 是高侧 MOSFET 驱动的正电源。在 BST 与 SW 之间连接旁路电容；必须从 VCC 到 BST 接一个肖特基或高速二极管。
EPAD	— (TSSOP) / — (QFN)	裸露焊盘。位于器件底面，不与 SGND 或 PGND 电气连接。PCB 布局时应将裸露焊盘连接到 SGND 和 PGND 以获得更好的散热。

订购信息

订购型号	灵敏度	温度范围	封装	包装	数量
VE8602EC-TR-Q	Q (Automotive)	−40~+125	TSSOP20-EP	卷带	4000 颗
VE8602QE-TR-Q	Q (Automotive)	−40~+125	QFN3x4-20	卷带	5000 颗

订购编号说明

VE8602EC-TR-Q

VE8602

器件系列

升压控制器

EC / QE

封装标识

EC：TSSOP20-EP；QE：QFN3x4-20

包装标识

卷带（Tape & Reel）

产品等级

Q：车规级产品

参数规格

极限参数

参数	Min	Max	单位
VIN	-0.3	+75	V
SW	-0.3	+75	V
SW（瞬态 < 20 ns）	-5	+75	V
BST 到 SW	-0.3	VCC+0.3	V
TG 到 SW	-0.3	VCC+0.3	V
EN/SYNC	-0.3	+75	V
VCC	-0.3	+6.5	V
EXTBIAS	-0.3	+26	V
SENSE+-	-0.3	+75	V
SENSE+ 到 SENSE-	-0.3	+0.3	V
所有其他引脚	-0.3	VCC+0.3	V
结温		+150	℃

静电保护

参数	Typ	单位
人体放电模型 HBM	2	kV
充放电模型 CDM	1	kV
闩锁 Latch-Up	100	mA

热特性

参数	Typ	单位
TSSOP20-EP 热阻 θJA	40	℃/W
TSSOP20-EP 热阻 θJC	8	℃/W
QFN-20 热阻 θJA	48	℃/W
QFN-20 热阻 θJC	10	℃/W

电学参数

VIN = 24V，VEN = 2V，VEXTBIAS = 0V，VILIM = 悬空，另有说明除外。

Symbol	参数	测试条件	Min	Typ	Max	单位
VIN_{UV_RISING}	VIN UVLO 阈值（上升）			4.08		V
VIN_{UV_FALLING}	VIN UVLO 阈值（下降）			3.78		V
VIN_{UV_HYS}	VIN UVLO 迟滞			300		mV
IQ_EXTBIAS	带 EXTBIAS 偏置的 VIN 供电电流	EXTBIAS=12V，不开关，VCCM/DEM=5V，VFB=0.84V，SENSE+=SENSE-=0V		8		µA
IQ	无 EXTBIAS 偏置的 VIN 供电电流	EXTBIAS=0V，不开关，VCCM/DEM=5V，VFB=0.84V，SENSE+=SENSE-=0V		1570		µA
IQ_DEM	VIN DEM 电流	EXTBIAS=0V，不开关，VCCM/DEM=0.6V，VFB=0.84V，SENSE+=SENSE-=12V		436		µA
ISHDN	VIN 关断电流	VEN=0V		4	15	µA
VCCVIN	来自 VIN 的 VCC 稳压输出电压	VIN>6V，ILOAD=0~50mA	4.75	5	5.25	V
	来自 VIN 的 VCC 稳压负载调整率	ILOAD=0~50mA，EXTBIAS 悬空或接 SGND		2	5	%
VCCEXTBIAS	来自 EXTBIAS 的 VCC 稳压输出电压	EXTBIAS>6V	4.75	5	5.25	V
	来自 EXTBIAS 的 VCC 稳压负载调整率	ILOAD=0~50mA，EXTBIAS=12V		1	3	%
EXTBIAS_RISING	EXTBIAS UVLO 阈值（上升）		4.3	4.68	4.92	V
EXTBIAS_FALLING	EXTBIAS UVLO 阈值（下降）		4.05	4.42	4.75	V
EXTBIAS_HYS	EXTBIAS 阈值迟滞			258	278	mV
IEXTBIAS	EXTBIAS 供电电流	VDEM=5V，VFB=0.84V，SENSE+=SENSE-=12V，EXTBIAS=12V，不开关		960		µA
IEXTBIAS	EXTBIAS 供电电流	VDEM=0.6V，VFB=0.84V，SENSE+=SENSE-=12V，EXTBIAS=12V，不开关		500		µA
VFB	反馈电压	4V < VIN < 60V	0.788	0.8	0.812	V
IFB	反馈电流	VFB=0.8V		10		nA
VEN_RISING	使能阈值（上升）			1.2	1.25	V
VEN_FALLING	使能阈值（下降）			1.08		V
VEN_TH	使能阈值迟滞			120		mV
IEN	使能输入电流	VEN=2V		1	2	µA
TOFF	使能关断延时		18	42	72	µs
FSW	工作频率	RFREQ=90kΩ		500		kHz
FSW_FOLDBACK	折返工作频率	VFB=0.1V		50%		FSW
FSWH	最高频率		1000			kHz
FSWL	最低频率				100	kHz
FSYNC	EN/SYNC 频率范围		100		1000	kHz
VSYNC_RISING	EN/SYNC 电压上升阈值		2			V
VSYNC_FALLING	EN/SYNC 电压下降阈值				0.35	V
VSENSE+/-	电流检测共模电压范围		0		65	V
VILIMIT	电流限制感应电压	ILIM=SGND，VSENSE+=12V	14	24	34	mV
VILIMIT	电流限制感应电压	ILIM=VCC，VSENSE+=12V	39	49	59	mV
VILIMIT	电流限制感应电压	ILIM=FLOAT，VSENSE+=12V	64	74	84	mV
VREV_ILIMIT	反向电流限制感应电压	ILIM=SGND，VSENSE+=12V		8		mV
VREV_ILIMIT	反向电流限制感应电压	ILIM=VCC，VSENSE+=12V		16		mV
VREV_ILIMIT	反向电流限制感应电压	ILIM=FLOAT，VSENSE+=12V		25		mV
ISENSE+	传感器输入电流	VSENSE+=VSENSE-=12V	240	270	300	µA
ISENSE+	传感器输入电流	VSENSE+=VSENSE-=1V			1	µA
ISENSE-	传感器输入电流	VSENSE+=VSENSE-=12V			1	µA
ISENSE-	传感器输入电流	VSENSE+=VSENSE-=1V			1	µA
ISS	软启动源电流	SS=0.5V	2	4	6	µA
GM	误差放大器跨导	∆V=5mV	360	550	750	µS
AO	误差放大器开环直流增益		70	75	82	dB
IEA	误差放大器灌/拉电流	FB=0.7/0.9V		±50		µA
VOV	过压阈值		110%	116%	120%	VFB
VOV_HYS	过压迟滞			3%		VFB
	过温关断			170		℃
	过温关断迟滞			20		℃
RTG_PULLUP	TG 上拉电阻			2		Ω
RTG_PULLDN	TG 下拉电阻			1		Ω
RBG_PULLUP	BG 上拉电阻			2		Ω
RBG_PULLDN	BG 下拉电阻			1		Ω
TDEAD	死区时间			20		ns
TON_{MIN_TG}	TG 最小导通时间			170		ns
TON_{MIN_BG}	BG 最小导通时间			145		ns
VPG_LOW	电源良好低电平	ILOAD=4mA		0.2	0.3	V
PGVTH_RSING	PG 上升阈值	VOUT 上升		90%		VFB
PGVTH_RSING	PG 上升阈值	VOUT 下降		110%		VFB
PGVTH_FALLING	PG 下降阈值	VOUT 下降		88%		VFB
PGVTH_FALLING	PG 下降阈值	VOUT 上升		112%		VFB
PGVTH_HYS	PG 阈值迟滞			2%		VFB
IPG_LK	电源良好漏电流	PG=5V			2	µA
TPG_DELAY	电源良好延时	上升		70		µs
TPG_DELAY	电源良好延时	下降		55		µs
IDEM	DEM 模式输出电流	RFREQ=90 kΩ		6.5		µA
VCCM_TH	CCM 所需 DEM 阈值电压		3			V

技术图

引脚配置图（TSSOP20-EP / QFN3X4-20）

功能框图

典型应用线路图（VIN=8-25V，VOUT=25V，IOUT=3A）

封装尺寸图（QFN3X4-20 湿润焊侧 / TSSOP20-EP）

技术规格

封装	EC/QE
状态	量产
功能	Boost, Quassi-Bypass, SS, PG, Dither
车规等级	AEC-Q100
频率	100K~1M
输入电压	4.0~60
输出电压	4~60

历史版本

版本	日期	说明
1.0	2024-05-06	初始发布

产品资料

VE8602Q 英文规格书

pdf · 1.2 MB

参数	Min	Max	单位
温度	-40	+125	℃
VIN 到 GND	+4	+60	V
EN/SYNC	0	+60	V
SENSE+、SENSE- 到 GND	0	+60	V
EXTBIAS 到 GND	+4.7	+24	V