Name: VE8600Q
Brand: Semiment
SKU: VE8600Q

VE8600Q

4V–60V 宽输入电流模式同步降压控制器

赛卓提供高压通用的降压 / 升压控制器 VE86XX 系列，开关频率可调，抖频功能可选，保护措施全面，适配智能座舱、车载功放、车载冰箱、拉杆音响等应用场景。

同步降压控制器电流模式控制双 N 沟道 MOSFET 驱动车规兼容 (AEC-Q100)TSSOP20-EP / QFN3x4-20

一级分类

电源管理 IC

二级分类

升压 / 降压控制器 DC/DC

资源数量

1 项

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核心参数

工作输入范围 VIN

4–60V

宽输入

工作输出范围 VOUT

0.8–60V

宽输出

基准电压 VFB

0.8V

全温 ±1.5%

开关频率 FSW

100k–1MHz

电阻可编程

最大占空比 DMAX

99.3%

低压差工作

关断电流 ISHDN

5μA

VEN=0V · typ

热关断门限

170°C

迟滞 20°C

工作结温 TA

−40~125°C

车规温度

产品特性

Buck, SS, PG, Dither

典型应用

汽车电子工业可再生能源冗余电源机器人与无人机

引脚定义

引脚	序号	说明
VIN	1 (TSSOP) / 19 (QFN)	输入电源。此引脚应接输入电源轨，并用小陶瓷电容对地去耦。
EN/SYNC	2 (TSSOP) / 20 (QFN)	使能输入。门限 1.2V、迟滞 120mV，可外部实现输入欠压锁定(UVLO)。若在 EN/SYNC 施加高于 FREQ 默认频率的外部同步时钟，内部时钟跟随同步频率。
EXTBIAS	3 (TSSOP) / 1 (QFN)	内部 VCC 稳压器的外部电源。EXTBIAS 高于 4.7V 时关断来自 VIN 的供电。请勿在 EXTBIAS 接入大于 24V 的电源。接外部电源可降低功耗、提高效率。
VCC	4 (TSSOP) / 2 (QFN)	内部偏置电源，5V。VCC 与 PGND 之间需≥4.7µF 去耦电容。
SGND	5 (TSSOP) / 3 (QFN)	低噪声地基准。SGND 应连接到输出电容的接地端。
SS	6 (TSSOP) / 4 (QFN)	软启动控制输入。用 SS 与 SGND 之间的外部电容编程软启动时间。
COMP	7 (TSSOP) / 5 (QFN)	调节控制环补偿。从 COMP 到 SGND 接 RC 网络补偿调节控制环。
FB	8 (TSSOP) / 6 (QFN)	反馈。将 FB 接到从输出到地的电阻分压器。
CCM/DEM	9 (TSSOP) / 7 (QFN)	连续导通模式/二极管仿真模式(DEM)。悬空 CCM/DEM 或接到 VCC 使器件工作在 CCM；从 CCM/DEM 接合适外部电阻到 SGND 使器件工作在 DEM 模式。DEM 电压应不低于 300mV。
FREQ	10 (TSSOP) / 8 (QFN)	频率。在 FREQ 与 SGND 之间接电阻设置开关频率。
PG	11 (TSSOP) / 9 (QFN)	电源良好输出。PG 输出为开漏。
ILIM	12 (TSSOP) / 10 (QFN)	感测电压限值设置。ILIM 上的电压设置最大输出电流时的额定感测电压。有三个固定选项：悬空、VCC、SGND。接高于 0.64V 且低于 1.5V 的电阻或电压源可使能恒流模式。
SYNCO/DITHER	13 (TSSOP) / 11 (QFN)	频率同步输出。器件工作在 CCM 时 SYNCO 输出 180° 反相时钟，用于双通道运行。接 GND 可使能抖频(dither)。
SENSE-	14 (TSSOP) / 12 (QFN)	电流感测负输入。所感测的电感电流限值门限由 ILIM 状态决定。
SENSE+	15 (TSSOP) / 13 (QFN)	电流感测正输入。所感测的电感电流限值门限由 ILIM 状态决定。
PGND	16 (TSSOP) / 14 (QFN)	功率地。PGND 直接连接到 VCC 去耦电容的负端。
BG	17 (TSSOP) / 15 (QFN)	底部栅极驱动输出。将 BG 接到底部 MOSFET 的栅极。
SW	18 (TSSOP) / 16 (QFN)	开关节点。SW 是 VBST 电源的基准，也是自举开关的大电流回路。
TG	19 (TSSOP) / 17 (QFN)	顶部栅极驱动。TG 驱动顶部 MOSFET 的栅极。TG 驱动器从 BST 电容取电、回到 SW，为顶部 N 沟道 MOSFET 提供真正的浮动驱动。
BST	20 (TSSOP) / 18 (QFN)	自举。BST 是高侧 MOSFET 驱动器的正电源。在 BST 与 SW 之间接旁路电容。必须在 VCC 到 BST 之间接一只肖特基或高速二极管。
EPAD	— (裸露焊盘 / Exposed pad)	裸露焊盘位于器件底面，不与 SGND 或 PGND 电气连接。PCB 布局时应将裸露焊盘连接到 SGND 和 PGND 以获得更好的散热性能。

订购信息

订购型号	灵敏度	温度范围	封装	包装	数量
VE8600EC-TR-Q	Q (车规)	−40~+125°C	TSSOP20-EP	编带卷盘 (TR)	4000 颗/盘
VE8600QE-TR-Q	Q (车规)	−40~+125°C	QFN3x4-20	编带卷盘 (TR)	5000 颗/盘

订购编号说明

VE8600EC-TR-Q

VE8600

器件系列

降压控制器 (Buck Controller)

封装标识

EC: TSSOP20-EP；QE: QFN3x4-20

包装标识

编带卷盘 (Tape & Reel)

产品等级

Q: 车规产品 (Automotive)

参数规格

极限参数

参数	Min	Max	单位
VIN	−0.3	+75	V
SW	−0.3	+75	V
SW（瞬态 < 20 ns）	−5	+75	V
BST 相对 SW	−0.3	VCC+0.3	V
TG 相对 SW	−0.3	VCC+0.3	V
EN/SYNC	−0.3	+75	V
VCC	−0.3	+6.5	V
EXTBIAS	−0.3	+26	V
SENSE+/−	−0.3	+75	V
SENSE+ 相对 SENSE−	−0.3	+0.3	V
所有其他引脚	−0.3	VCC+0.3	V
结温	—	+150	°C

静电保护 (ESD)

参数	Typ	单位
人体放电模型 (HBM)，依 AEC-Q100-002	2	kV
充电器件模型 (CDM)，依 AEC-Q100-011	1	kV
闩锁 (Latch-Up)，依 AEC-Q100-004	100	mA

热特性

参数	Typ	单位
TSSOP20-EP 热阻 θJA	40	°C/W
TSSOP20-EP 热阻 θJC	8	°C/W
QFN-20 热阻 θJA	48	°C/W
QFN-20 热阻 θJC	10	°C/W

电学特性

VIN=24V，VEN=2V，VEXTBIAS=0V，VILIM=悬空，除非另有说明。

Symbol	参数	测试条件	Min	Typ	Max	单位
VIN_{UV_RISING}	VIN UVLO 门限（上升）		-	4.08	-	V
VIN_{UV_FALLING}	VIN UVLO 门限（下降）		-	3.78	-	V
VIN_{UV_HYS}	VIN UVLO 迟滞		-	300	-	mV
IQ_EXTBIAS	带 EXTBIAS 偏置的 VIN 供电电流	EXTBIAS=12V, VCCM/DEM=5V, VFB=0.84V, SENSE+=SENSE−=0V, 无开关	-	10	-	μA
IQ	无 EXTBIAS 偏置的 VIN 供电电流	EXTBIAS=0V, VFB=0.84V, VCCM/DEM=5V, SENSE+=SENSE−=0V, 无开关	-	1600	-	μA
IQ_DEM	VIN DEM 电流	EXTBIAS=0V, VCCM/DEM=0.6V, VFB=0.84V, SENSE+=SENSE−=12V, 无开关	-	500	-	μA
ISHDN	VIN 关断电流	VEN=0V	-	5	15	μA
VCCVIN	来自 VIN 的 VCC 稳压输出电压	VIN>6V, ILOAD=0~50mA	4.75	5	5.25	V
	来自 VIN 的 VCC 负载调整率	ILOAD=0~50mA, EXTBIAS 悬空或接 SGND	2	-	5	%
VCCEXTBIAS	来自 EXTBIAS 的 VCC 稳压输出电压	EXTBIAS>6V	4.75	5	5.25	V
	来自 EXTBIAS 的 VCC 负载调整率	ILOAD=0~50mA, EXTBIAS=12V	1	-	3	%
EXTBIAS_RISING	EXTBIAS UVLO 门限（上升）		4.3	4.68	4.92	V
EXTBIAS_FALLING	EXTBIAS UVLO 门限（下降）		4.05	4.42	4.75	V
EXTBIAS_HYS	EXTBIAS 门限迟滞		-	258	278	mV
IEXTBIAS	EXTBIAS 供电电流（CCM）	VDEM=5V, VFB=0.84V, SENSE+=SENSE−=12V, EXTBIAS=12V, 无开关	-	960	-	μA
IEXTBIAS	EXTBIAS 供电电流（DEM）	VDEM=0.6V, VFB=0.84V, SENSE+=SENSE−=12V, EXTBIAS=12V, 无开关	-	500	-	μA
VFB	反馈电压	4V < VIN < 60V	0.788	0.8	0.812	V
IFB	反馈电流	VFB=0.8V	-	10	-	nA
VEN_RISING	使能门限（上升）		-	1.2	1.25	V
VEN_FALLING	使能门限（下降）		-	1.08	-	V
VEN_TH	使能门限迟滞		-	120	-	mV
IEN	使能输入电流	VEN=2V	-	1	2	μA
TOFF	使能关断延时		18	42	72	μs
FSW	工作频率	RFREQ=90 kΩ	-	500	-	kHz
FSW_FOLDBACK	折返工作频率	VFB=0.1V	-	50%	-	FSW
FSWH	最大频率		1000	-	-	kHz
FSWL	最小频率		-	-	100	kHz
FSYNC	EN/SYNC 频率范围		100	-	1000	kHz
VSYNC_RISING	EN/SYNC 电压上升门限		2	-	-	V
VSYNC_FALLING	EN/SYNC 电压下降门限		-	-	0.35	V
VSENSE+/−	电流感测共模电压范围		0	-	75	V
VILIMIT	电流限值感测电压	ILIM=SGND, VSENSE+=12V	14	24	34	mV
VILIMIT	电流限值感测电压	ILIM=VCC, VSENSE+=12V	39	49	59	mV
VILIMIT	电流限值感测电压	ILIM=FLOAT, VSENSE+=12V	64	74	84	mV
VREV_ILIMIT	反向电流限值感测电压	ILIM=SGND, VSENSE+=12V	-	8	-	mV
VREV_ILIMIT	反向电流限值感测电压	ILIM=VCC, VSENSE+=12V	-	16	-	mV
VREV_ILIMIT	反向电流限值感测电压	ILIM=FLOAT, VSENSE+=12V	-	25	-	mV
VVAL_ILIMIT	谷值电流限值	ILIM=SGND, VSENSE+=12V	-	14.5	-	mV
VVAL_ILIMIT	谷值电流限值	ILIM=VCC, VSENSE+=12V	-	41.5	-	mV
VVAL_ILIMIT	谷值电流限值	ILIM=FLOAT, VSENSE+=12V	-	66.5	-	mV
ISENSE+	感测器输入电流	VSENSE+=VSENSE−=12V	-	1	-	μA
ISENSE+	感测器输入电流	VSENSE+=VSENSE−=1V	-	1	-	μA
ISENSE−	感测器输入电流	VSENSE+=VSENSE−=12V	240	270	300	μA
ISENSE−	感测器输入电流	VSENSE+=VSENSE−=1V	-	1	-	μA
ISS	软启动源电流	SS=0.5V	2	4	6	μA
GM	误差放大器跨导	ΔV=5mV	420	550	720	μS
AO	误差放大器开环直流增益		70	75	82	dB
IEA	误差放大器灌/拉电流	FB=0.7/0.9V	-	±50	-	μA
VOV	过压门限		110%	116%	120%	VFB
VOV_HYS	过压迟滞		-	3%	-	VFB
	热关断		-	170	-	°C
	热关断迟滞		-	20	-	°C
RTG_PULLUP	TG 上拉电阻		-	2	-	Ω
RTG_PULLDN	TG 下拉电阻		-	1	-	Ω
RBG_PULLUP	BG 上拉电阻		-	2	-	Ω
RBG_PULLDN	BG 下拉电阻		-	1	-	Ω
TDEAD	死区时间		-	20	-	ns
DMAX	TG 最大占空比	VFB=0.7V	98	99.3	-	%
TON_{MIN_TG}	TG 最小导通时间		-	170	-	ns
TON_{MIN_BG}	BG 最小导通时间		-	145	-	ns
VPG_LOW	电源良好低电平	ILOAD=4mA	-	0.2	0.3	V
PGVTH_RSING	PG 上升门限	VOUT 上升	-	90%	-	VFB
PGVTH_RSING	PG 上升门限	VOUT 下降	-	110%	-	VFB
PGVTH_FALLING	PG 下降门限	VOUT 下降	-	88%	-	VFB
PGVTH_FALLING	PG 下降门限	VOUT 上升	-	112%	-	VFB
PGVTH_HYS	PG 门限迟滞		-	2%	-	VFB
IPG_LK	电源良好漏电流	PG=5V	-	-	2	μA
TPG_DELAY	电源良好延时（上升）	上升	-	70	-	μs
TPG_DELAY	电源良好延时（下降）	下降	-	55	-	μs
IDEM	DEM 模式输出电流	RFREQ=90 kΩ	-	6.5	-	μA
VCCM_TH	CCM 所需 DEM 门限电压		3	-	-	V

技术图

典型应用 · Shunt 电阻采样与 DCR 采样两种配置

功能框图

引脚配置（TSSOP20-EP 与 QFN3x4-20）

效率与负载电流曲线（25°C，VIN 5V~60V）

封装尺寸图（TSSOP20-EP 与 QFN3x4-20 可湿性侧面）

技术规格

封装	EC/QE
状态	量产
功能	Buck, SS, PG, Dither
车规等级	AEC-Q100
频率	100K~1M
输入电压	4.0~60
输出电压	0.8~60

历史版本

版本	日期	说明
1.0	2024-05-06	初始发布

产品资料

VE8600Q 英文规格书

pdf · 1.3 MB

参数	Min	Max	单位
温度	−40	+125	°C
VIN 相对 GND	+4	+60	V
EN/SYNC	0	+60	V
SENSE+、SENSE− 相对 GND	0	+60	V
EXTBIAS 相对 GND	+4.7	+24	V