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VE6200Q

VE6200Q

车规级超紧凑相机 CIS/CCM 电源管理芯片（PMIC）

赛卓提供车规级 CIS 供电的专用 PMIC，其上电时序灵活可调，输出电压可选，灵活适配不同厂家 CMOS Sensor，高 PSRR 的 LDO 对图像质量有显著提升，是车载 ADAS 厂家的理想选择。

车规 PMIC三路降压 + LDOAEC-Q100 Grade 1POC 供电QFN3x3-16高 PSRR
一级分类
电源管理 IC
二级分类
多路输出 DC/DC
资源数量
1 项
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核心参数

HVBuck1 输入电压
4–18.5V
支持 POC 同轴供电
开关频率
2.1MHz
固定频率 PWM
LDO 输出电流
300mA
输入 2.7–5V
LDO PSRR
60dB
@100kHz（1MHz 时 40dB）
上电时序
10档
SEQ 电阻可选
LDO 可调档位
10档
RSET 电阻可选
工作结温
−40~150℃
AEC-Q100 Grade 1
封装
QFN3x3-16
可湿性侧面 / 凹坑引脚

产品特性

1HV Buck +2LV Buck +1High PSRR LDO

典型应用

汽车与工业应用电池供电设备车载摄像头 CIS/CCMPOC 同轴供电相机模组

引脚定义

引脚序号说明
AGND1模拟地。
VIN2HVBuck1 电源电压输入。在此引脚与地之间接 4.7μF 或更大的去耦陶瓷电容。
SW13HVBuck1 开关节点。
BOOT4HVBuck1 的自举电容连接引脚。在此引脚与 SW1 之间接 0.1μF 陶瓷电容。
VOUT25LVBuck2 的输出电压反馈输入。将输出电容节点直接接到此引脚以获得更好的调节。
SW26LVBuck2 开关节点。
PVD237LVBuck2 和 LVBuck3 的电源电压输入。在此引脚与地之间接 4.7μF 或更大的去耦陶瓷电容。
SW38LVBuck3 开关节点。
VOUT39LVBuck3 的输出电压反馈输入。将输出电容节点直接接到此引脚以获得更好的调节。
SEQ10上电时序选择。
SEQOUT / PG11SEQOUT（VE6200QC-SEQ）：开漏结构的时序控制输出，用于外部电源 IC。PG（VE6200QC-PG）：开漏结构的电源状态指示引脚，指示 HVBuck1、LVBuck2、LVBuck3 和 LDO；PG 为高电平表示所有输出正常工作。
RSET12LDO 输出电压选择。
LDOOUT13LDO 输出。在此引脚与地之间接 2.2μF 陶瓷去耦电容。
LDOIN14LDO 电源电压输入。在此引脚与地之间接 2.2μF 或更大的去耦陶瓷电容。
PVCC15内部模拟电源输出。在此引脚与地之间接 1μF 陶瓷去耦电容。注意：禁止在此引脚上外接额外负载。
FB116HVBuck1 的输出电压反馈输入。
PGND17IC 散热焊盘与功率地。必须连接到主接地平面以确保正常工作。

订购信息

订购型号灵敏度温度范围封装包装数量
VE6200QC-SEQL-TRSEQL−40~125QFN3x3-16卷带（TR）5000 颗/盘
VE6200QC-SEQH-TRSEQH−40~125QFN3x3-16卷带（TR）5000 颗/盘
VE6200QC-PGL-TRPGL−40~125QFN3x3-16卷带（TR）5000 颗/盘
VE6200QC-PGH-TRPGH−40~125QFN3x3-16卷带（TR）5000 颗/盘
VE6200QC-SEQL-TR-QSEQL / Q 车规−40~125QFN3x3-16卷带（TR）5000 颗/盘
VE6200QC-SEQH-TR-QSEQH / Q 车规−40~125QFN3x3-16卷带（TR）5000 颗/盘
VE6200QC-PGL-TR-QPGL / Q 车规−40~125QFN3x3-16卷带（TR）5000 颗/盘
VE6200QC-PGH-TR-QPGH / Q 车规−40~125QFN3x3-16卷带（TR）5000 颗/盘
订购编号说明
VE6200QC-SEQL-TR-Q
VE6200
器件系列
多通道 PMIC DC/DC
QC
封装标识
QFN3x3-16
SEQL
产品选项
SEQL：时序控制输出，UVLO 3.8V；SEQH：时序控制输出，UVLO 4.4V；PGL：电源良好指示，UVLO 3.8V；PGH：电源良好指示，UVLO 4.4V
TR
包装标识
TR：卷带（Tape & Reel）
Q
产品等级
Q：车规产品（空白/I 为工业级）

参数规格

极限参数

超过上述应力可能造成器件永久损坏；这些仅为应力额定值，不代表器件可在这些或超出操作章节所示的任何其他条件下正常工作。长时间暴露于绝对最大额定条件下可能影响器件可靠性。

参数MinMax单位
VIN−0.3+24V
SW1−0.3+24V
BOOT−0.3+28V
BOOT 相对 SW1−0.3+5V
VOUT2、PVD23、VOUT3、SEQ、SEQOUT、PG、RSET、LDOOUT、LDOIN、PVCC、FB1−0.3+6.5V
SW2、SW3−0.3+6.5V

静电保护

器件对静电敏感，操作时建议采取防护措施。

参数Typ单位
人体放电模型（HBM），依 AEC-Q100-0023kV
充电器件模型（CDM），依 AEC-Q100-0111kV
闩锁（Latch-Up），依 AEC-Q100-004100mA

热特性

θJA 在自然对流（静止空气）、TA=25°C 下，器件贴装于符合 JEDEC 51-7 标准的高导热四层测试板上测得；θJC 在封装裸露焊盘处测得。

参数Typ单位
结到环境热阻 θJA（QFN3X3-16）50°C/W
结到壳热阻 θJC（QFN3X3-16）10°C/W

推荐工作条件

参数MinMax单位
VIN418.5V
VPVD23、VLDOIN2.75V
环境温度−40+125°C
结温−40+150°C

电学参数

TA = 25°C，VIN = 6V，VOUT_HV1 = 3.6V，VOUT_LV2 = 1.1V，VOUT_LV3 = 1.8V，VOUT_LDO = 3.3V，另有说明除外。

Symbol参数测试条件MinTypMax单位
【系统 System】---
UVLOH欠压锁定门限VIN 上升3.63.84V
UVLOL欠压锁定门限VIN 下降3.153.33.45V
VINOV输入过压保护18.62021.5V
【CH1 HVBuck1】---
VIN输入电压范围4—18.5V
VOUTHV1输出电压范围Buck 模式工作；需考虑开关频率、最小导通时间和最小关断时间。2.7—5V
VFB1输出反馈电压精度0.7880.80.812V
FSWHV1开关频率1.892.12.31MHz
SSHV1扩频范围—6—%
TONMIN_HV1最小导通时间——55ns
TOFFMIN_HV1最小关断时间——50ns
RONHS_HV1高边 MOSFET 导通电阻VIN 引脚到 SW1 引脚115210340mΩ
RONLS_HV1低边 MOSFET 导通电阻SW1 引脚到 PGND 引脚40110200mΩ
ICLPK_HV1电感峰值电流限制2.433.6A
ICLVL_HV1电感谷值电流限制—2.7—A
ICLNPK_HV1电感负向峰值电流限制-0.5-A
RDISHV1输出放电电阻-270-Ω
UVPF_HV1输出欠压下降门限405060%
OVPR_HV1输出反馈过压上升门限—110—%
【CH2 LVBuck2（VIN_PVD23 = 3.6V）】---
VINPVD23输入电压范围2.7—5V
VOUTLV2输出电压—1.1—V
VOUTACC_LV2输出电压精度−1.5—1.5%
FSWLV2开关频率1.892.12.31MHz
SSLV2扩频范围—6—%
TONMIN_LV2最小导通时间——44ns
RONHS_LV2高边 MOSFET 导通电阻PVD23 引脚到 SW2 引脚110150215mΩ
RONLS_LV2低边 MOSFET 导通电阻SW2 引脚到 PGND 引脚6090145mΩ
ICLPK_LV2电感峰值电流限制1.82.22.6A
ICLVL_LV2电感谷值电流限制—1.8—A
ICLNPK_LV2电感负向峰值电流限制-0.964-A
RDISLV2输出放电电阻-9-Ω
UVPF_LV2输出欠压下降门限405060%
OVPR_LV2输出过压上升门限—120—%
OVPF_LV2输出过压下降门限—110—%
OVPIN_R_LV2输入过压上升门限5.355.86.25V
OVPIN_HYS_LV2输入过压迟滞VIN_PVD23 下降—580—mV
【CH3 LVBuck3（VIN_PVD23 = 3.6V）】---
VINPVD23输入电压范围2.7—5V
VOUTLV3输出电压—1.8—V
VOUTACC_LV3输出电压精度−1.5—1.5%
FSWLV3开关频率1.892.12.31MHz
SSLV3扩频范围—6—%
TONMIN_LV3最小导通时间——44ns
RONHS_LV3高边 MOSFET 导通电阻PVD23 引脚到 SW3 引脚240310440mΩ
RONLS_LV3低边 MOSFET 导通电阻SW3 引脚到 PGND 引脚170230360mΩ
ICLPK_LV3电感峰值电流限制0.961.31.6A
ICLVL_LV3电感谷值电流限制—1.08—A
ICLNPK_LV3电感负向峰值电流限制-0.6-A
RDISLV3输出放电电阻-10-Ω
UVPF_LV3输出欠压下降门限405060%
OVPR_LV3输出过压上升门限—120—%
OVPF_LV3输出过压下降门限—110—%
OVPIN_R_LV3输入过压上升门限5.355.86.25V
OVPIN_HYS_LV3输入过压迟滞VIN_PVD23 下降—580—mV
【CH4 LDO（VIN_LDO = 3.6V）】---
VINLDO输入电压范围2.7—5V
VOUTLDO输出电压范围VOUT_LDO 经 RSET 设定1.8—3.5V
VOUTACC_LDO输出电压精度VIN_LDO − VOUT_LDO > 0.3V，IOUT_LDO = 0mA 至 300mA−1.5—1.5%
IOUTMAX_LDO最大输出电流300——mA
VDROP300_LDO压差电压IOUT_LDO = 300mA（注 5）——300mV
VDROP150_LDO压差电压IOUT_LDO = 150mA（注 5）——150mV
ICLLDO输出电流限制注 6345450555mA
RDISLDO输出放电电阻4876104Ω
UVPF_LDO输出欠压下降门限304050%
OVPR_LDO输出过压上升门限—125—%
OVPF_LDO输出过压下降门限—110—%
OVPIN_R_LDO输入过压上升门限5.355.86.25V
OVPIN_HYS_LDO输入过压迟滞VIN_LDO 下降—500—mV
【PVCC（注 7）】---
VOUTPVCC内部稳压器输出电压4.334.584.83V
ICLPVCC过流限制150—300mA
【SEQOUT（VE6200QC-SEQ）】---
输出低电平电压流入 SEQOUT 引脚电流为 2mA——230mV
ILEAKSEQOUT输入漏电流SEQOUT 引脚施加 1.8V——1µA
【Power Good（VE6200QC-PG）】---
VOUTL_PG下拉电压流入 PG 引脚电流为 5mA——200mV
ILEAKPG输入漏电流PG 引脚施加 1.8V——1µA
【时序 Timing】---
TSSHV1软启动时间VOUT_HV1 从 0% 上升到目标值 90% 的时间，空载50010001500µs
TSSLV2软启动时间VOUT_LV2 从 0% 上升到目标值 90% 的时间，空载50010001500µs
TSSLV3软启动时间VOUT_LV3 从 0% 上升到目标值 90% 的时间，空载50010001500µs
TSSLDO软启动时间从上一个开启通道输出电压达到目标值 90% 到 VOUT_LDO 上升至目标值 90% 的时间2007001100µs
TDLYPGPG 延迟时间VE6200QC-PG91011ms

系统特性

以下规格由设计保证，不在量产测试中执行。

Symbol参数测试条件MinTypMax单位
【系统 System】---
OTP过温保护—160—°C
OTPH过温保护迟滞—20—°C
【CH1 HVBuck1】---
IOUTMAX_HV1最大输出电流2——A
VLOADREG_HV1负载调整率IOUT_HV1 = 0A 至 2A——0.1%/A
VLINEREG_HV1线性调整率VIN = 5V 至 18.5V，IOUT_HV1 = 2A——1%
VLOADTRAIN_HV1负载瞬态IOUT_HV1 = 10mA 至 500mA 至 10mA，1µs−150—150mV
VLINETRAIN_HV1线性瞬态VIN = 5V 至 18.5V 至 5V，100µs，IOUT_HV1 = 10mA/500mA−50—50mV
VRIPPLEHV1输出纹波单个开关周期内的峰峰值——20mVpp
【CH2 LVBuck2（VIN_PVD23 = 3.6V）】---
IOUTMAX_LV2最大输出电流1.5——A
VLOADREG_LV2负载调整率IOUT_LV2 = 0A 至 1.5A——0.1%/A
VLINEREG_LV2线性调整率VIN_PVD23 = 2.7V 至 5V，IOUT_LV2 = 1.5A——1%
VLOADTRAIN_LV2负载瞬态IOUT_LV2 = 10mA 至 500mA 至 10mA，1µs−50—50mV
VLINETRAIN_LV2线性瞬态VIN_PVD23 = 3V 至 5V 至 3V，50µs，IOUT_LV2 = 10mA/1A−50—50mV
VRIPPLELV2输出纹波单个开关周期内的峰峰值——10mVpp
【CH3 LVBuck3（VIN_PVD23 = 3.6V）】---
IOUTMAX_LV3最大输出电流700——mA
VLOADREG_LV3负载调整率IOUT_LV3 = 0A 至 750mA——0.1%/A
VLINEREG_LV3线性调整率VIN_PVD23 = 2.7V 至 5V，IOUT_LV3 = 750mA——1%
VLOADTRAIN_LV3负载瞬态IOUT_LV3 = 10mA 至 300mA 至 10mA，1µs−50—50mV
VLINETRAIN_LV3线性瞬态VIN_PVD23 = 3V 至 5V 至 3V，50µs，IOUT_LV3 = 10mA/300mA−50—50mV
VRIPPLELV3输出纹波单个开关周期内的峰峰值——10mVpp
【CH4 LDO（VIN_LDO = 3.6V）】---
PSRRLDO电源抑制比IOUT_LDO = 100mA，f = 100kHz—60—dB
PSRRLDO电源抑制比IOUT_LDO = 100mA，f = 1MHz—40—dB
eNLDO输出噪声电压IOUT_LDO = 100mA，f = 100Hz 至 100kHz—60—µV
VLOADTRAIN_LDO负载瞬态IOUT_LDO = 10mA 至 200mA 至 10mA，1µs−25—25mV
VLINETRAIN_LDO线性瞬态所有 VOUT_LDO，VIN_LDO 阶跃 600mV，LDO 不处于压差状态，10µs，IOUT_LDO = 1mA/300mA−25—25mV
【元件要求 Component Requirement（注 4）】---
CINHV1有效输入电容1.54.710µF
CINPVD23有效输入电容1.54.710µF
CINLDO有效输入电容0.72.24µF
COUTHV1有效输出电容3.31014µF
COUTLV2有效输出电容4.51014µF
COUTLV3有效输出电容4.51014µF
COUTLDO有效输出电容0.72.24µF
LHV1输出电感11.52µH
LLV2输出电感0.6811.2µH
LLV3输出电感0.6811.2µH
CBOOT有效自举电容0.070.10.13µF
CPVCC有效 PVCC 电容0.311.4µF

表2 · LDO 输出电压（RSET 电阻选择）

RSET 引脚不允许悬空，选值超出范围不保证正确输出电压。使能器件前须固定 RSET 电阻选择。

Symbol参数测试条件MinTypMax单位
RSET0LDO 输出 3.5V1.07M1.1M1.13MΩ
RSET1LDO 输出 3.4V319k330k341kΩ
RSET2LDO 输出 3.2V164k169k174kΩ
RSET3LDO 输出 3.1V81.6k84.5k87.4kΩ
RSET4LDO 输出 3.0V45.4k47k48.6kΩ
RSET5LDO 输出 2.8V26.1k27k27.9kΩ
RSET6LDO 输出 2.7V14.5k15k15.5kΩ
RSET7LDO 输出 1.8V7.78k8.06k8.34kΩ
RSET8LDO 输出 2.9V短接到 PVCC---Ω
RSET9LDO 输出 3.3V短接到 PGND---Ω

技术图

123VDD电源供电OUT模拟量输出GND电源地
引脚配置图（QFN3X3-16-A / QFN3X3-16-B）
SC4723VDDGNDHall霍尔片Modulator调制OPADemodulator解调Buffer缓冲OUT
功能框图（VE6200QC-SEQ / VE6200QC-PG）
SC4723VDDOUTGND100nFSupply Voltage输出
典型应用线路图
tPOt1t2VCC(min)VCC90% VOUTV
上电时序示例（SEQ1，VE6200QC-SEQ / VE6200QC-PG）
TOP VIEW0.953.00 / 2.603.02 / 2.821.72 / 1.52SIDE VIEW1.25 Max0.10L 0.60 / 0.30单位：mm · 未标公差为公称尺寸 · 高度不包括模具浇口溢料
封装尺寸图（QFN3X3-16）

技术规格

封装QC
状态量产
功能1HV Buck +2LV Buck +1High PSRR LDO
车规等级AEC-Q100
频率2.1M
输入电压4.0~18.5
电压精度1.00%

历史版本

版本日期说明
1.02024-10-18首次发布

产品资料

VE6200Q 英文规格书
pdf · 1.4 MB
© 2011 - 2026 赛卓电子科技（上海）股份有限公司 版权所有