SC60220
SC60220
高速 12 位磁旋转编码器 IC（正余弦差分输出）
本系列磁电机编码器 IC 基于霍尔效应原理，通过解析旋转磁场的角度变化，实现电机转子位置的高精度实时检测。其高抗干扰设计可适应复杂工作环境，并支持可配置数字输出接口和高速响应。广泛适用于无刷电机换向控制、汽车电子传感系统，以及工业机器人多关节的高精度位置反馈。
磁旋转编码器非接触式12 位分辨率正余弦输出SSOP-16
一级分类
电机编码器 IC
二级分类
磁性电机编码器
资源数量
2 项
核心参数
分辨率
12bit
每圈 4096 增量
正余弦幅度 Vpp
4.0V
2V(Vpp) 全差分输出
角度线性误差
<±0.35°
INL 最佳线性拟合
最大转速
20K rpm
高速旋转
供电电压 VDD
3.0–5.5V
典型 5V
工作电流 IDD
16mA
@5V · fmag=0rpm
工作温度 TA
−40~125℃
宽温工业级
封装
SSOP-16
16 引脚窄体 SSOP
产品特性
Linearity<±0.35° ，2Vpp
引脚定义
| 引脚 | 序号 | 说明 |
|---|---|---|
| PSIN | 1 | 正弦输出(+) |
| NSIN | 2 | 正弦输出(−) |
| PCOS | 3 | 余弦输出(+) |
| NCOS | 4 | 余弦输出(−) |
| N.A. | 5 | 不连接 |
| N.A. | 6 | 不连接 |
| NERR | 7 | 错误指示输出（错误发生输出为低） |
| VDD | 8 | 电源 |
| GNA | 9 | 模拟地 |
| GND | 10 | 数字地 |
| N.A. | 11 | 不连接 |
| PTE | 12 | 编程测试脚 |
| N.A. | 13 | 不连接 |
| N.A. | 14 | 不连接 |
| N.A. | 15 | 不连接 |
| N.A. | 16 | 不连接 |
订购信息
| 订购型号 | 灵敏度 | 温度范围 | 封装 | 包装 | 数量 |
|---|---|---|---|---|---|
| SC60220SS-TB | 60220 | −40~125 | SSOP16 | 管装 | 80 颗/管 |
订购编号说明
SC60220SS-TB
SC6022
产品系列
高速 12 位磁旋转编码器
0
型号代码
正余弦输出（0）
SS
封装外形
SSOP16
TB
包装方式
管装
参数规格
极限参数
高于此处列出的应力可能会导致器件永久损坏；长时间暴露在绝对最大额定值条件下可能会影响器件的可靠性。
| Symbol | 参数 | Min | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| VI | VDD, A, B, Z, U, V, W, MOSI, MISO, SCLK, CS, NERR 的电压 | −0.3 | 6 | V |
| II | VDD 电源电流 | −10 | 20 | mA |
| II | A, B, Z, U, V, W, MISO, NERR 的电流 | −100 | 100 | mA |
| II | SCLK, CS, MOSI, PTE 的电流 | −10 | 10 | mA |
| EEPROM 擦写次数 | — | 100 | cycle | |
| TA | 工作温度 | −40 | 125 | ℃ |
| TSTG | 存储温度 | −65 | 165 | ℃ |
| TJ(max) | 最大结温 | — | 165 | ℃ |
静电保护
| Symbol | 测试条件 | Min | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| VESD | HBM 人体失效模型（参考 ANSI/ESDA/JEDEC-001 标准） | −4 | 4 | kV |
| VESD | CDM 器件失效模型（参考 ANSI/ESDA/JEDEC-002 标准） | −750 | 750 | V |
工作参数 · 电性能 / 时钟 / 正弦数字转换器 / 信号电平 / PWM
有效通过全工作温度范围，VDD=5V，CBYPASS=100nF；除非另有说明。
| Symbol | 参数 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VDD | 电源电压 | 3.0 | 5.0 | 5.5 | V | |
| IDD | 电源电流 | 无负载，fmag=0 rpm | 10 | 16 | 22 | mA |
| Vbg | 基准电压 | 1.18 | 1.25 | 1.32 | V | |
| Vref | 参考电压 | 45 | 50 | 55 | %VDD | |
| Vth(on) | 开启电压阈值 | 增加电压 | 2.6 | 2.75 | 2.9 | V |
| Vth(off) | 关闭电压阈值 | 降低电压 | 2.4 | 2.6 | 2.8 | V |
| Vth(Hys) | 迟滞 | 0.15 | — | — | V | |
| VR(offset) | 参考电压偏差 | 470 | 500 | 530 | mV | |
| fsys | 系统时钟 | 调整了偏置电流 | 0.8 | 1 | 1.2 | MHz |
| fsdc | AD 转换器频率 | 调整了偏置电流 | 13 | 16 | 19 | MHz |
| RES(sdc) | 分辨率 | — | 12 | — | bit | |
| INL(opt) | 非线性误差 | VDD=5V, Temp=25℃, Din=1.0mm | −0.5 | — | 0.5 | Deg |
| INL(temp) | 非线性误差 | 最佳线条拟合的最大误差，Tamb=−40 to 125 | −0.9 | — | 0.9 | Deg |
| AA(rel) | A/B 占空比 | 参考 A、B 的输出周期 | −20 | 0 | +20 | % |
| TD | 角度输出延时 | at ABZ hysteresis = "1LSB" | — | 18.0 | 45.0 | µs |
| Vpp | 正弦余弦幅度 | 3.2 | 4.0 | 4.8 | V | |
| t(on) | 调整时间 | ±最终振幅的 10% | — | — | 300 | µs |
| Vt(lo) | 最小幅度报警 | 1.0 | — | 2.8 | V | |
| Vt(hi) | 最大幅度报警 | 4.8 | — | 5.8 | V | |
| Fpwm | PWM 频率（默认） | VDD=5V, Temp=25℃ | 927 | 976 | 1024 | Hz |
| Fpwm | PWM 频率（可选） | VDD=5V, Temp=25℃ | 232 | 244 | 256 | Hz |
工作参数（续）· 磁性输入标准
有效通过全工作温度范围，VDD=5V，CBYPASS=100nF；除非另有说明。
| Symbol | 参数 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| dmag | 磁铁直径 | Φ6mm x 2.5mm 用于圆柱形磁铁 | 4.0 | 6.0 | 10.0 | mm |
| tmag | 磁铁厚度 | — | 2.5 | — | mm | |
| Din | 安装距离 | 推荐磁体 | — | 1.0 | 2.0 | mm |
| Hext | 磁场强度范围 | 在芯片表面 | 25 | — | 125 | mT |
| fmag | 转速频率 | — | — | 333 | Hz | |
| rpm | 转速 | — | — | 20 | krpm | |
| xdis | 霍尔阵列与磁铁中心偏差 | — | — | 0.2 | mm | |
| xpac | 霍尔阵列与封装中心偏差 | −0.15 | — | 0.15 | mm | |
| φpac | 芯片在封装体内偏移角度 | −3 | — | 3 | Deg | |
| hpac | 芯片与封装表面距离 | — | 0.4 | — | mm |
工作参数（续）· 数字输入输出
有效通过全工作温度范围，VDD=5V，CBYPASS=100nF；除非另有说明。
| Symbol | 参数 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Vt(hi) | 高电平阈值（CS, SCLK, MOSI） | — | — | 2 | V | |
| Vt(lo) | 低电平阈值（CS, SCLK, MOSI） | 0.8 | — | — | V | |
| Ipd | 下拉电流 MOSI | V=1V…VPD | 6 | 38 | 60 | µA |
| Ipu | 上拉电流 CS, SCLK | V=0…VPD−1V | −80 | −140 | −200 | µA |
| Ipd | 下拉电流 PTE | V=1V…VPD | 1 | 4 | 10 | µA |
| PTEon | 开启阈值（PTE） | — | 1.7 | — | V | |
| PTEoff | 关闭阈值（PTE） | — | 1.3 | — | V | |
| Vs(hi) | 饱和电压高电平（A,B,Z,U,V,W,PWM,MISO,NERR） | I(hi)=−4mA, with reference to VDD | — | — | 200 | mV |
| Vs(lo) | 饱和电压低电平（A,B,Z,U,V,W,PWM,MISO,NERR） | I(lo)=4mA, with reference to GND | — | — | 200 | mV |
| Ishort(hi) | 输出高电平短路到地 | V(hi)=GND | 10 | — | 20 | mA |
| Ishort(lo) | 输出低电平短路到 VDD | V(lo)=VDD | 5 | — | 15 | mA |
| tRise | 上升沿时间 | RL=100 Ω to GND | 5 | — | 30 | ns |
| tFall | 下降沿时间 | RL=100 Ω to VDD | 5 | — | 30 | ns |
技术图
技术规格
| 封装 | SS |
| UVW | - |
| KRPM | 20 |
| PWM(Hz) | - |
| 状态 | 量产 |
| ABZ-Line | - |
| 电压范围 | 3V~5.5V |
| 分辨率 | 12bit |
| 数字接口 | - |
| Analog | ±SIN&COS |
历史版本
| 版本 | 日期 | 说明 |
|---|---|---|
| Rev.E0.1 | 2019-04-05 | 初始版本 |
| Rev.A1.0 | 2019-07-16 | 正式版发布 |
| Rev.A1.1 | 2020-05-31 | 版本更新 |
| Rev.A1.2 | 2025-02-17 | 版本更新 |