SC60214
SC60214
14Bit 高速磁编码器芯片（ABZ+PWM 输出）
本系列磁电机编码器 IC 基于霍尔效应原理，通过解析旋转磁场的角度变化，实现电机转子位置的高精度实时检测。其高抗干扰设计可适应复杂工作环境，并支持可配置数字输出接口和高速响应。广泛适用于无刷电机换向控制、汽车电子传感系统，以及工业机器人多关节的高精度位置反馈。
磁编码器14bit 分辨率ABZ+PWM 输出最高 200K rpmSOP-8
一级分类
电机编码器 IC
二级分类
磁性电机编码器
资源数量
2 项
核心参数
分辨率 RES
14bit
旋转编码器
最高转速 Rpm
200,000rpm
REG_Rpm=1
角度线性误差
<±0.35°
角度精度
AB 输出线数
24–2048lines
50/256/1024/2048 可选
电源耐压 VDD
-18~24V
输出端耐压 ≥24V
工作电压
3.3 / 5.0V
双电压应用
工作温度 TA
-40~150℃
宽温工业级
封装
SOP-8
亚光镀锡 / 无卤绿料
产品特性
Linearity<±0.35° ，ABZ-Line programmable，Zero Position
引脚定义
| 引脚 | 序号 | 说明 |
|---|---|---|
| VDD | 1 | 芯片电源供电端口 |
| VREG | 2 | 芯片内部高压 LDO 输出端，外接 100nF 去耦电容 |
| Prog | 3 | 编程调试引脚 |
| GND | 4 | 芯片地 |
| IO1 | 5 | SPI 模式：CSN，SPI 通讯使能输入信号；ABZ/PWM 模式：A 路增量信号输出 |
| IO2 | 6 | SPI 模式：SCK，SPI 通讯时钟输入信号；ABZ/PWM 模式：B 路增量信号输出 |
| IO3 | 7 | SPI 模式：MOSI，SPI 通讯数据从机信号输入；ABZ/PWM 模式：Z 路增量信号输出 |
| IO4 | 8 | SPI 模式：MISO，SPI 通讯数据从机信号输出；ABZ/PWM 模式：PWM 绝对角度输出 |
订购信息
| 订购型号 | 灵敏度 | 温度范围 | 封装 | 包装 | 数量 |
|---|---|---|---|---|---|
| SC60214DC-2048-TR | 2048 | -40~150 | SOP8 | 编带 | 4000 颗/盘 |
| SC60214DC-1024-TR | 1024 | -40~150 | SOP8 | 编带 | 4000 颗/盘 |
| SC60214DC-256-TR | 256 | -40~150 | SOP8 | 编带 | 4000 颗/盘 |
| SC60214DC-50-TR | 50 | -40~150 | SOP8 | 编带 | 4000 颗/盘 |
订购编号说明
SC6021XDC-1024-TR
SC6021X
产品系列
高速磁编码传感器芯片
4
输出形式
4: ABZ+PWM（8: SPI）
DC
封装形式
DC: SOP8
1024
参数选项
输出线数：50 / 256 / 1024 / 2048 线
TR
包装选项
TR: 编带
参数规格
极限参数
高于此处列出的应力可能会导致器件永久损坏，长时间暴露在绝对最大额定值条件下可能会影响器件的可靠性。
| Symbol | 参数 | Min | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| VDD | 电源端耐压 | -18 | 24 | V |
| VREG | 稳压端耐压 | -0.5 | 6.5 | V |
| Prog | 编程脚 | -0.5 | 6.5 | V |
| IO1/2/3/4 | 输出端耐压 | -0.5 | 24 | V |
| TA | 工作温度 | -40 | 150 | ℃ |
| TSTG | 存储温度 | -65 | 175 | ℃ |
| TJ(max) | 最大结温 | -55 | 165 | ℃ |
静电保护
| Symbol | 参数 | 测试条件 | Min | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| VESD | 人体失效模型 HBM | 参考 ANSI/ESDA/JEDEC-001 标准 | -4 | 4 | kV |
| VESD | 器件失效模型 CDM | 参考 ANSI/ESDA/JEDEC-002 标准 | -750 | 750 | V |
工作参数 · 电源端特性
工作温度范围内（VDD=5.0V，除非另有说明）。
| Symbol | 参数 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VDD5v | 5V 应用工作电压 | 参考 5V 应用电路连接 | 4.5 | 5.0 | 5.5 | V |
| VDD3.3v | 3.3V 应用工作电压 | 参考 3.3V 应用电路连接 | 3.0 | 3.3 | 3.6 | V |
| IDD5V | 5V 应用工作电流 | VDD=5.0V | - | 8.0 | 12 | mA |
| IDD3.3V | 3.3V 应用工作电流 | VDD=3.3V | - | 7.0 | 11 | mA |
| VREG | 5V 工作，VREG 引脚电压 | CREG=100nF | 3.7 | 4.0 | 4.3 | V |
| CREG | VREG 引脚去耦电容 | 47 | 100 | 470 | nF | |
| PSRRVREG | 电源抑制比 | 1K-1M | dB | |||
| VOVP | 过压诊断开启电压 | VDD>8V | 6.5 | 7.0 | 7.5 | V |
| VOVPHYS | 过压诊断迟滞电压 | 0.2 | 0.5 | 0.8 | V | |
| VUVR | 欠压诊断开启电压 | 3.4 | 3.7 | 4.3 | V | |
| VUVRHYS | 欠压诊断迟滞电压 | 0.1 | 0.3 | 0.5 | V |
工作参数 · 磁场输入特性
| Symbol | 参数 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| DMAG | 径向充磁磁铁直径 | 4.0 | 6.0 | 8.0 | mm |
| TMAG | 径向充磁磁铁厚度 | - | 2.5 | - | mm |
| ADIS | 磁体和芯片表面距离 | 1.0 | 1.5 | 2.0 | mm |
| HEXT | 磁场强度范围 | 20 | 30 | 60 | mT |
| Rpm | 磁铁转速 | - | - | 200,000 | rpm |
| XDIS | 磁铁和芯片中心偏差 | - | - | 0.2 | mm |
工作参数 · 诊断功能
| Symbol | 参数 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Dsatlo | 主动诊断输出电平 | 下拉电阻 R≥4.7kΩ | - | 0.5 | 1 | %VDD |
| Dsatlo | 主动诊断输出电平 | 上拉电阻 R≥4.7kΩ | - | 98 | 100 | %VDD |
| BVSSPD | 被动诊断输出电平（开路） | VSS 开路，下拉电阻，4.7kΩ≤R≤47kΩ | - | 0 | 3 | %VDD |
| BVSSPU | 被动诊断输出电平（开路） | VSS 开路，上拉电阻，4.7kΩ≤R≤47kΩ | 97 | 98 | - | %VDD |
| BVDDPD | 被动诊断输出电平（开路） | VDD 开路，下拉电阻，4.7kΩ≤R≤47kΩ | - | 0 | 1 | %VDD |
| BVDDPU | 被动诊断输出电平（开路） | VDD 开路，上拉电阻，4.7kΩ≤R≤47kΩ | 96.5 | 98 | - | %VDD |
| ℃ | 过温保护 | - | 170 | - | ℃ | |
| IOCP | 过流保护 | - | 30 | mA |
工作参数 · A/D 转换特性
| Symbol | 参数 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| RES(SD) | Sigma/Delta 调制分辨率 | - | 14 | - | Bit |
| T(ON) | 启动时间 | - | - | 5 | ms |
工作参数 · ABZ/PWM 输出特性
| Symbol | 参数 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FPWM | PWM 频率（默认） | 976 | 1000 | 1024 | Hz | |
| FPWM(OPT) | PWM 频率（可选） | 232 | 244 | 256 | Hz | |
| RES(AB) | AB 输出线数 | 24, 50, 256, 1024 lines | 24 | - | 1024 | lines |
| ZWIDTH | Z 零位宽度 | 1/4T, 1T | 1 | 4 | - | LSB |
| Rpm | 转速 | REG_rpm=0 | - | 50000 | - | rpm |
| Rpm | 转速 | REG_Rpm=1 | - | 200000 | - | rpm |
工作参数 · IO 数字端口电学特性
| Symbol | 参数 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VTHI | 输入高电平阈值 | - | - | 2.0 | V | |
| VTLO | 输入低电平阈值 | 0.8 | - | - | V | |
| VSHI | 输出高电平电压 | 4mA 下拉电流 | VDD-0.5 | - | - | V |
| VSLO | 输出低电平电压 | 4mA 上拉电流 | - | - | 0.5 | V |
| VIH | 输入高电平 | 0.5*DVDD | - | - | V | |
| VOL | 输出低电平 | - | - | 0.2*DVDD | V | |
| VOH | 输出高电平 | 0.8*DVDD | - | - | V | |
| ISHI | 输出高电平短路到地电流 | VDD=3.3V | - | - | 30 | mA |
| ISLO | 输出低电平短路到电源电流 | VDD=3.3V | - | - | 30 | mA |
工作参数 · SPI 通讯时间参数
| Symbol | 参数 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| TCSN | CSN 信号建立时间 | 100 | - | - | ns |
| TSCKH | SCK 高电平时间 | 80 | - | - | ns |
| TSCKL | SCK 低电平时间 | 80 | - | - | ns |
| TSCK | SCK 时间周期 | 160 | - | - | ns |
封装信息 DC（SOP8）
单位：毫米（mm）。e=1.270(BSC)；θ=0°~8°。
| Symbol | 参数 | Min | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| A | 总高度 | 1.450 | 1.750 | mm |
| A1 | 坐高 | 0.100 | 0.250 | mm |
| A2 | 本体厚度 | 1.350 | 1.550 | mm |
| b | 引脚宽度 | 0.330 | 0.510 | mm |
| c | 引脚厚度 | 0.170 | 0.250 | mm |
| D | 本体长度 | 4.700 | 5.100 | mm |
| E | 含引脚宽度 | 5.800 | 6.200 | mm |
| E1 | 本体宽度 | 3.800 | 4.000 | mm |
| L | 引脚长度 | 0.400 | 1.270 | mm |
技术图
技术规格
| 封装 | DC |
| UVW | - |
| KRPM | 200 |
| PWM(Hz) | 244/1000 |
| 状态 | 量产 |
| ABZ-Line | 24/50/256/1024 |
| 电压范围 | 3V~5.5V |
| 分辨率 | 14bit |
| 数字接口 | - |
| Analog | - |
历史版本
| 版本 | 日期 | 说明 |
|---|---|---|
| OTS | 2025-07-31 | 初始规格书 |
| Rev.V0.1 | 2025-10-30 | 更新功能框图，寄存器表 |
| Rev.V0.2 | 2026-06-25 | 订购信息增加 SC60214DC-2048-TR 选项 |