SC2526-AB-CT
高性能双通道锁存型霍尔开关IC · 速度+速度 · 合封 Cap+TVS(PCB-less)
SC2526-AB-CT 是赛卓 SC252X 系列中的双通道锁存型霍尔开关 IC，基于 60V BCD 工艺平台设计，通过 AEC-Q100 车规认证。器件为「速度+速度」输出型，两路开漏输出 Q1、Q2 提供相位差 90° 的正交速度信号，可同时检测环形磁体的转速与转动方向（90° 相位差最佳磁极间距 2.8mm）；两个霍尔感应点间距 1.33mm，采用温度补偿与斩波稳定技术，在全工作温度范围内保持精确、匹配的双通道磁场翻转点（工作点 BOP -3.0mT、释放点 BRP 3.0mT、磁滞 BHYS 6.0mT）。芯片内置稳压电路，支持 2.8V 至 40V 宽电源供电，封装内合封电容与 40V TVS（PCB-less），具备 -27V 反向电压保护与 40mA 限流开漏输出，HBM 静电防护达 ±15kV，工作温度 -40℃ 至 150℃，采用合封电容+TVS 的 PCB-less TO-94（VB-CT）封装，适用于带防夹功能的升降车窗、旋转方向与速度检测、角度位置检测等汽车与工业场景。
核心参数
产品特性
PCB-less, Speed+Speed, ESD≥15kV
引脚定义
| 引脚 | 序号 | 说明 |
|---|---|---|
| Q2 | 4 | 输出 · 速度信号 |
| GND | 3 | 地 |
| Q1 | 1 | 输出 · 速度信号 |
| VDD | 2 | 电源电压 |
订购信息
| 订购型号 | 灵敏度 | 温度范围 | 封装 | 包装 | 数量 |
|---|---|---|---|---|---|
| SC2526VB-AB-CT-BK-Q | 工作点 −30Gs / 释放点 30Gs | −40~150 | TO-94 (PCB-less) | 散包 | 500 颗/袋 |
参数规格
极限参数
工作温度范围内（另有说明除外）。以上列出的应力可能会对器件造成永久性的损害，长时间暴露在绝对最大额定值条件下可能会影响器件的可靠性。PCB-less 封装集成 40V TVS。
| Symbol | 参数 | 测试条件 | Min | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| VDD | 电源端耐压 | 串接大于 200ohm 电阻，不超过 5 分钟 | −27 | 60 | V |
| VDD | 电源端耐压 | PCB-less 封装 | −27 | 40 | V |
| VOUT | 输出端耐压 | 1.2kohm 上拉电阻，不超过 5 分钟 | −0.5 | 60 | V |
| VOUT | 输出端耐压 | PCB-less 封装 | −0.5 | 40 | V |
| ISINK | 输出灌电流 | — | 50 | mA | |
| TA | 工作温度范围 | −40 | 150 | ℃ | |
| TJ | 最大结温 | 最多持续 168 小时 | — | 165 | ℃ |
| TSTG | 储存温度 | −65 | 175 | ℃ |
静电保护
PCB-less 合封 TVS 显著提升 HBM 抗静电能力。
| Symbol | 参数 | 测试条件 | Min | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| VESD | HBM 人体模型 | 按照 AEC-Q100-002 标准 | −4 | +4 | kV |
| VESD | HBM 人体模型 (PCB-less) | 按照 AEC-Q100-002 标准 | −15 | +15 | kV |
| VESD | CDM 充电器件模型 | 按照 AEC-Q100-011 标准 | −750 | +750 | V |
热特性
最大工作电压必须满足功耗和结温的要求，参照热特性。单层 PCB，JEDEC 2s2p 和 1s0p 分别在 JESD 51-7 和 JESD 51-3 中定义。
| Symbol | 参数 | Typ | 单位 |
|---|---|---|---|
| RθJA | TO-94 封装形式热阻 | 177 | ℃/W |
电学参数
工作温度范围内，VDD = 12V（另有说明除外）。TA=25℃、VDD=12V 条件下的测试值为典型值。
| Symbol | 参数 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VDD | 工作电压 | 2.8 | 12 | 40 | V | |
| IDD | 静态工作电流 | — | 2.0 | 2.7 | mA | |
| IDDR | 反向电流 | — | — | 1 | mA | |
| UVLOH | 高欠压保护 | 2.2 | 2.3 | 2.5 | V | |
| UVLOL | 低欠压保护 | 1.9 | — | 2.2 | V | |
| UVLOHYS | 欠压保护迟滞 | 150 | — | 650 | mV | |
| TDGL | 欠压保护防抖时间 | — | 10 | — | µs | |
| VSAT | 输出饱和电压 | VDD=3V, IQ1=20mA, IQ2=20mA, BOP=50G | — | 0.2 | 0.4 | V |
| VSAT | 输出饱和电压 | VDD=3V, IQ1=30mA, IQ2=30mA, BOP=50G | — | — | 0.5 | V |
| ILKG | 输出漏电 | VDD Open, GND=0V, VQ1=40V, VQ2=40V | — | — | 10 | µA |
| IO | 输出限流点 | VDD=3V, VQ1=2V, VQ2=2V, BOP=50G | 30 | 40 | 50 | mA |
| tF | 输出下降时间 | VDD=12V, GND=0V, VPU=12V, QX 经 RPU=2K 上拉, B>BOP+20G；从 0.1·VPU 到 0.9·VPU | — | — | 1 | µs |
| tR | 输出上升时间 | VDD=12V, GND=0V, VPU=12V, QX 经 RPU=2K 上拉, B>BRP−20G；从 0.1·VPU 到 0.9·VPU | — | — | 1 | µs |
| TPO | Q1 和 Q2 启动时输出时间 | VDD：0V→5V 阶跃, GND=0V, Q1/Q2 经 RL=2K, B>BOP+20G | — | 20 | 50 | µs |
| TD | 磁场反应时间 | 设计保证 | — | 20 | 40 | µs |
| TSAMP | 采样频率 | 设计保证 | — | 4 | — | µs |
| FC | 斩波频率 | 设计保证 | — | 1 | — | MHz |
| TDC | 方向超前速度时间 | 方向信号更新超前速度信号更新 | 200 | 400 | 600 | ns |
| TJIT | 输出抖动 | 1k 方波磁场典型值 | — | 2.6 | — | µsRMS |
磁学参数
工作温度范围内，VDD = 12V（另有说明除外）。SC2526 磁场极性 −/+3mT；1mT = 10Gs。磁场温度系数为设计保证，产品认证予以确认。
| Symbol | 参数 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| fBW | 磁场开关频率 | — | — | 20 | kHz | |
| dHALL | 霍尔感应点间距 | — | 1.33 | — | mm | |
| BOP | 工作点 | TA=25℃ | −4 | −3 | −2 | mT |
| BRP | 释放点 | TA=25℃ | 2 | 3 | 4 | mT |
| BHYS | 迟滞 | 4 | 6 | 8 | mT | |
| BMATCH | 磁场匹配 | BOP1−BOP2 与 BRP1−BRP2 | −2 | — | 2 | mT |
| BMATCH | 磁场匹配 | (BOP+BRP)/2 | −2 | — | 2 | mT |
| TC | 磁场温度系数 | 设计保证 | — | 1000 | — | ppm/℃ |
技术图
技术规格
| BH(mT) | 6.0 |
| BOP(mT) | -3.0 |
| BRP(mT) | 3.0 |
| IDD(mA) | 2.0 |
| 封装 | VB |
| 状态 | 量产 |
| 功能 | PCB-less, Speed+Speed, ESD>15kV |
| 电压范围 | 2.8~40 |
| 车规等级 | AEC-Q100 |
历史版本
| 版本 | 日期 | 说明 |
|---|---|---|
| Rev.E0.1 | 2024-07-25 | 初始规格书 |
| Rev.A1.0 | 2024-11-27 | 正式版本发布 |
| Rev.A1.1 | 2025-08-05 | 增加 VB-CT(PCB-less) 型号 |
| Rev.A1.2 | 2026-03-26 | 增加包装信息和声明 |